金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 に関する技術一覧

「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」に関する技術の関連情報です。 「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」 の関連技術、「金属質への被覆,金属材料による材料への被覆,表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般」「金属へのほうろう被覆またはガラス質層の形成」 など、その他「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」の分野ページはこちら

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般に所属する技術動向

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の分野に属する技術の状況としては、2016年に3,421件、2017年に4,072件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の分野においては特に近年金属へのほうろう被覆またはガラス質層の形成の分野における動向が活発であり、他にも電解法以外の化学的方法による金属質材料の清浄または脱脂や 機械方法によらない表面からの金属質材料の除去,金属質材料の防食,鉱皮の抑制一般,少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては新日鐵住金株式会社や東京エレクトロン株式会社、JFEスチール株式会社が豊富な実績を残しており、 新日鐵住金株式会社などは、 冶金や成形といった分野も含め、 NSプラント設計株式会社や日本パーカライジング株式会社といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】摩擦係数が低く、潤滑油下での利用に最適な被膜と被覆部材を提供する。【解決手段】基材1上に被膜2を設けた被覆部材である。この被膜は摺動面の少なくとも一部に設ける。被膜2は炭素を主成分とする層を具える。そして、この被覆部材を潤滑油の存在下で用いる。潤滑油には芳香族化合物を含有することが望ましい。

    硬質被膜及び被覆部材

  2. 【課題】耐食性に優れ、長時間使用しても接触電気抵抗の増加が小さい通電部品用ステンレス鋼材の製造方法の提供。【解決手段】ステンレス鋼材を酸性水溶液中で腐食して、その表面に導電性を有するM23C6型、M4C型、M2C型、MC型炭化物系金属介在物およびM2B型硼化物系金属介在物のうちの1種以上を露出させ、次いでpHが7以上であるアルカリ性水溶液中により中和処理をおこない、そ...

    通電部品用ステンレス鋼材の製造方法

  3. 【課題】水素還元作用による劣化を抑制した優れた特性の強誘電体キャパシタを持つ半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に絶縁膜2を介して、第1の水素バリア膜101、下部電極膜30、強誘電体膜4、上部電極膜50及び第2の水素バリア膜102を順次堆積し、マスク103を用いて水素バリア膜102及び上部電極膜50を順次エッチングして上部電極5をパターン形成する。露出し...

    半導体装置及びその製造方法

  4. 【課題】大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。【解決手段】3枚以上の電極によって2つ以上の放電空間を形成してなり、前記放電空間を形成する電極対向面の少なくと...

    放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法

  5. 【課題】CVD及びALDに有用な前駆原料混合物、これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込む電子素子を形成する方法の提供。【解決手段】Li等の金属元素を含む、少なくとも1つの前駆化合物であり、前駆化合物に、水素化物等の元素を含む、少なくとも1つの前駆物質を含み、これが脂肪族炭化水素等の不活性液内に溶解、乳化または浮遊される。前駆原料混合物は、溶液、乳濁液または...

    前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成

新着の技術

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】蒸着用メタルマスクは複数のマスク孔を含むマスク領域を備え、マスク領域の中央以外に位置する各マスク孔の接続部は、マスク孔の全周にわたりマスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、マスク領域の中央寄りの部分である第1部分と、マスク領域の端部寄りの部分である第2部分とから構成される。第1部分とマスク領域の裏面との間の距離が、第1ステップハイであり、端部領域で...

    蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法

  2. 【課題・解決手段】基板を載置体の上に載置する基板載置方法において、前記基板の周縁部を挟持機構により挟持する第1の挟持工程と、前記挟持機構による前記基板の挟持を解放する解放工程と、前記解放工程の後に、前記基板を前記載置体の上に載せた状態で、前記基板の前記周縁部を挟持機構により挟持する第2の挟持工程と、を有する。これにより、簡易な手法で大型・薄型の基板とマスクとの密着性を高める。

    基板載置方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法

  3. 【課題】塩化ナトリウム及び塩化カリウムを使用することなく、白金の表面を硬化させた白金加工品を製造する。【解決手段】白金加工品の製造方法は、炭化ホウ素、炭化ケイ素及び石膏を含む処理剤を製造する工程と、容器に溶岩を収納する工程と、前記溶岩上に、前記処理剤を載置する工程と、前記処理剤上に第1の白金製の部材を載置する工程と、前記第1の白金製の部材の上に前記処理剤を載置する工程...

    白金加工品の製造方法

  4. 【課題】 低価格で製造できる常圧型の蒸気洗浄装置を用いながら、大型の被洗浄物を洗浄する場合でも、洗浄溶剤の外部への拡散を抑制して洗浄溶剤の流出に伴う環境へ与える影響を減少するとともに、洗浄溶剤の消耗を抑制し、低コストでの被洗浄物の蒸気洗浄を可能にする。【解決手段】 洗浄蒸気5を作業室8に流出させる流出口10を設けた被覆板2と、流出口10から作業室8に流出する洗浄蒸...

    被洗浄物の蒸気洗浄装置

  5. 【課題】III族窒化物半導体基板上に、内部量子効率が高いデバイスを形成する。【解決手段】{10−10}面、又は、{10−10}面を所定の方向に所定角度傾斜した面を主面として有するサファイア基板を準備するサファイア基板準備工程S10と、窒化処理を行いながら、又は、窒化処理を行わずに、サファイア基板に対して熱処理を行う熱処理工程S20と、熱処理後のサファイア基板の主面の上...

    III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の詳細カテゴリ一覧

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その他の分野

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