金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 に関する技術一覧

「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」に関する技術の関連情報です。 「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」 の関連技術、「金属質への被覆,金属材料による材料への被覆,表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般」「金属へのほうろう被覆またはガラス質層の形成」 など、その他「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」の分野ページはこちら

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般に所属する技術動向

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の分野に属する技術の状況としては、2015年に3,527件、2016年に3,404件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の分野においては特に近年金属へのほうろう被覆またはガラス質層の形成の分野における動向が活発であり、他にも電解法以外の化学的方法による金属質材料の清浄または脱脂や 機械方法によらない表面からの金属質材料の除去,金属質材料の防食,鉱皮の抑制一般,少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては新日鐵住金株式会社や東京エレクトロン株式会社、JFEスチール株式会社が豊富な実績を残しており、 新日鐵住金株式会社などは、 冶金や成形といった分野も含め、 NSプラント設計株式会社や日本パーカライジング株式会社といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】摩擦係数が低く、潤滑油下での利用に最適な被膜と被覆部材を提供する。【解決手段】基材1上に被膜2を設けた被覆部材である。この被膜は摺動面の少なくとも一部に設ける。被膜2は炭素を主成分とする層を具える。そして、この被覆部材を潤滑油の存在下で用いる。潤滑油には芳香族化合物を含有することが望ましい。

    硬質被膜及び被覆部材

  2. 【課題】耐食性に優れ、長時間使用しても接触電気抵抗の増加が小さい通電部品用ステンレス鋼材の製造方法の提供。【解決手段】ステンレス鋼材を酸性水溶液中で腐食して、その表面に導電性を有するM23C6型、M4C型、M2C型、MC型炭化物系金属介在物およびM2B型硼化物系金属介在物のうちの1種以上を露出させ、次いでpHが7以上であるアルカリ性水溶液中により中和処理をおこない、そ...

    通電部品用ステンレス鋼材の製造方法

  3. 【課題】水素還元作用による劣化を抑制した優れた特性の強誘電体キャパシタを持つ半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に絶縁膜2を介して、第1の水素バリア膜101、下部電極膜30、強誘電体膜4、上部電極膜50及び第2の水素バリア膜102を順次堆積し、マスク103を用いて水素バリア膜102及び上部電極膜50を順次エッチングして上部電極5をパターン形成する。露出し...

    半導体装置及びその製造方法

  4. 【課題】大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。【解決手段】3枚以上の電極によって2つ以上の放電空間を形成してなり、前記放電空間を形成する電極対向面の少なくと...

    放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法

  5. 【課題】CVD及びALDに有用な前駆原料混合物、これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込む電子素子を形成する方法の提供。【解決手段】Li等の金属元素を含む、少なくとも1つの前駆化合物であり、前駆化合物に、水素化物等の元素を含む、少なくとも1つの前駆物質を含み、これが脂肪族炭化水素等の不活性液内に溶解、乳化または浮遊される。前駆原料混合物は、溶液、乳濁液または...

    前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成

新着の技術

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題】塩酸や硫酸を用いた場合の問題を解決することができるとともに、脱スケール効果が高く、耐久性に優れているとともに、維持管理コストや廃液処理コストを低減できる脱スケール剤を提供することを目的としている。【解決手段】シュウ酸と、塩化ナトリウムを含む鋼材の脱スケール剤であって、アセトンをさらに含み、常温の水100mlに対し、シュウ酸が5〜8g、塩化ナトリウムが8〜15g...

    脱スケール剤

  2. 【課題・解決手段】本発明が提供するのは、一般式がR1R2E−E’R3R4(I)又はR5E(E’R6R7)2(II)の少なくとも1種類の15族元素二元化合物の、蒸着プロセスにおける反応物質としての使用法である。その場合、R1、R2、R3、及びR4は、水素、アルキルラジカル(C1〜C10)、及びアリール基からなる群から独立に選択され、かつ、E及びE’は、窒素、リン、ヒ素、...

    少なくとも1種類の15族元素二元化合物の使用法、III−V族半導体層、及び15族元素二元化合物

  3. 【課題・解決手段】本発明は、整形外科用インプラント、特に、多段階の溶液浸漬および乾燥のプロセスによって、有機リンカーおよび配位子で固定された銀からなる抗菌性表面処理を受けた金属基材を実質的に含む臀部および膝の人工関節に関する。この処理は、生体適合性でありつつ、細菌成長を阻害するように設計され、そのため、臀部および膝の関節形成術の再置換の主因の1つである人工関節周囲の感染に効く。

    抗菌性銀錯体でコーティングされた表面

  4. 【課題・解決手段】本発明は、鉄および/または亜鉛の金属表面を有する一連のコンポーネントを、システムタンク内に位置し、ジルコニウムおよび/またはチタン元素の化合物と、フッ化物イオンの供給源とを含有する不動態化前処理水溶液と接触させる腐食防止方法に関する。本発明の方法では、この前処理溶液の一部が廃棄され、前処理システムタンク内に計量される合計で少なくとも等しい体積部の1以...

  5. 【課題・解決手段】概して、本開示は、材料を堆積させるためのシステム、装置及び方法に関する。特に、本開示は、ソース材料を蒸発させるためのるつぼに関する。るつぼは、ソース材料を受容するための内側空間を囲む内面を有する壁と、るつぼの内側空間内部に配置された一又は複数の伝熱素子とを有している。

    蒸発を目的としたるつぼアセンブリ

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金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の詳細カテゴリ一覧

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その他の分野

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