金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 に関する技術一覧

「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」に関する技術の関連情報です。 「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」 の関連技術、「金属質への被覆,金属材料による材料への被覆,表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般」「金属へのほうろう被覆またはガラス質層の形成」 など、その他「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般」の分野ページはこちら

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般に所属する技術動向

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の分野に属する技術の状況としては、2019年に1,871件、2020年に1,684件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の分野においては特に近年金属へのほうろう被覆またはガラス質層の形成の分野における動向が活発であり、他にも電解法以外の化学的方法による金属質材料の清浄または脱脂や 機械方法によらない表面からの金属質材料の除去,金属質材料の防食,鉱皮の抑制一般,少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては新日鐵住金株式会社や東京エレクトロン株式会社、JFEスチール株式会社が豊富な実績を残しており、 新日鐵住金株式会社などは、 成形や冶金といった分野も含め、 NSプラント設計株式会社や日本ペイントホールディングス株式会社といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】摩擦係数が低く、潤滑油下での利用に最適な被膜と被覆部材を提供する。【解決手段】基材1上に被膜2を設けた被覆部材である。この被膜は摺動面の少なくとも一部に設ける。被膜2は炭素を主成分とする層を具える。そして、この被覆部材を潤滑油の存在下で用いる。潤滑油には芳香族化合物を含有することが望ましい。

    硬質被膜及び被覆部材

  2. 【課題】耐食性に優れ、長時間使用しても接触電気抵抗の増加が小さい通電部品用ステンレス鋼材の製造方法の提供。【解決手段】ステンレス鋼材を酸性水溶液中で腐食して、その表面に導電性を有するM23C6型、M4C型、M2C型、MC型炭化物系金属介在物およびM2B型硼化物系金属介在物のうちの1種以上を露出させ、次いでpHが7以上であるアルカリ性水溶液中により中和処理をおこない、そ...

    通電部品用ステンレス鋼材の製造方法

  3. 【課題】水素還元作用による劣化を抑制した優れた特性の強誘電体キャパシタを持つ半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に絶縁膜2を介して、第1の水素バリア膜101、下部電極膜30、強誘電体膜4、上部電極膜50及び第2の水素バリア膜102を順次堆積し、マスク103を用いて水素バリア膜102及び上部電極膜50を順次エッチングして上部電極5をパターン形成する。露出し...

    半導体装置及びその製造方法

  4. 【課題】大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。【解決手段】3枚以上の電極によって2つ以上の放電空間を形成してなり、前記放電空間を形成する電極対向面の少なくと...

    放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法

  5. 【課題】CVD及びALDに有用な前駆原料混合物、これを用いて膜を成長させる方法、及びこの膜を組み込む電子素子を形成する方法の提供。【解決手段】Li等の金属元素を含む、少なくとも1つの前駆化合物であり、前駆化合物に、水素化物等の元素を含む、少なくとも1つの前駆物質を含み、これが脂肪族炭化水素等の不活性液内に溶解、乳化または浮遊される。前駆原料混合物は、溶液、乳濁液または...

    前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成

新着の技術

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題】電気特性の優れたトランジスタ及び開口率が高く、且つ、電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁表面上にトランジスタ102及び容量素子105を有する半導体装置であって、トランジスタは、ゲート電極13と、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜19aと、ゲート電極及び酸化物半導体膜の間のゲート絶縁膜(窒化物絶縁膜15及び酸化物絶...

    半導体装置

  2. 【課題】周方向へ複数の分割片に分割する場合でも、合わせ目における耐焼付性を高める摺動部材を提供する。【解決手段】周方向で2つ以上の分割片20に分割されている摺動部材10は、軸受合金層11及びオーバレイ層12を備える。オーバレイ層12は、合金のマトリクス31、及びマトリクス31より融点が低くマトリクス31に析出している金属相32を有する。分割片20は、合わせ目21から周...

    摺動部材及びそれに用いる分割片

  3. 【課題】エッチング処理中に被処理基板の向きを自動で回転させる機構を有するエッチング装置を提供する。【解決手段】エッチング装置10は、回路基板50を保持する基板保持治具12を用いてエッチング処理を行うように構成され、搬送部14およびエッチングチャンバ18を備えている。搬送部14は、基板保持用治具12をエッチング装置10の搬送方向に沿って搬送するように構成される。エッチン...

    エッチング装置

  4. 【課題】亜鉛系めっきの付着量が低くても、高い耐食性と外観性を有する化成処理鋼板を提供すること。【解決手段】鋼板と、前記鋼板の片面または両面に設けられ、亜鉛を含有するめっき層と、前記めっき層上に、(A)ホスホン酸誘導体、(B1)安息香酸誘導体、(B2)亜硝酸塩、(C1)モノシクロヘキシルアミン誘導体および(C2)ジシクロヘキシルアミン誘導体から選択されるいずれか一つ以上...

  5. 【課題】載置台本体に対するカバー部材の位置ずれを抑制し、また、この位置ずれ抑制のための機構により載置台本体の熱膨張又は熱収縮時に当該載置台本体に破損が生じるのを防ぐ。【解決手段】基板が載置される載置台であって基板が上面に載置される載置台本体と、前記載置台本体の上面の外縁部を覆うカバー部材と、前記載置台本体の上面と前記カバー部材の下面との間に設けられ、転動または摺動する...

    載置台、基板処理装置及び載置台の組立方法

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の詳細カテゴリ一覧

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般の分類に属する、詳細カテゴリの一覧です。

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 ページ上部に戻る

その他の分野

金属質材料への被覆,金属質材料による材料への被覆,化学的表面処理,金属質材料の拡散処理,真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般,金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般』と近しいカテゴリにある他の技術分野一覧です。