研削,研磨 に関する技術一覧

「研削,研磨」に関する技術の関連情報です。 「研削,研磨」 の関連技術、「研削または研磨するための機械,装置,または方法,研削面のドレッシングまたは正常化,研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給」「粒状物質を用いた研削性のまたはこれに類以のブラスト加工」 など、その他「研削,研磨」に関する技術情報を、出願された情報を元に収録しています。 「研削,研磨」の分野ページはこちら

研削,研磨に所属する技術動向

研削,研磨の分野に属する技術の状況としては、2016年に1,363件、2017年に1,539件の新たな技術が出願されるといった動きがあります。

また、研削,研磨の分野においては特に近年粒状物質を用いた研削性のまたはこれに類以のブラスト加工の分野における動向が活発であり、他にも研削,バフ加工,または刃砥ぎ用工具や 研削または研磨するための機械,装置,または方法,研削面のドレッシングまたは正常化,研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給といった分野においても、日々新たな動きが生まれています。

この分野でのメインプレイヤーとしては株式会社ディスコや株式会社荏原製作所、HOYATechnosurgical株式会社が豊富な実績を残しており、 株式会社ノリタケカンパニーリミテドなどは、 研削,研磨や基本的電気素子といった分野も含め、 新日鐵住金株式会社やノリタケダイヤ株式会社といった法人と共に共同研究を行っている実績もあります。

注目の技術

研削,研磨』に分類される技術のうち、技術力の高さや近年注目されている・今後活用可能性の高いと目されている技術の一覧です。

  1. 【課題】層又は膜の1つが銅又は銅含有合金を含む多層の金属層と薄膜を研磨するのに適した化学的・機械的研磨用スラリーの提供。【解決手段】膜生成剤、酸化剤(例えば尿素−過酸化水素)、錯生成剤(例えばシュウ酸アンモニウムや酒石酸)、研磨材、及び随意の界面活性剤を含む化学的・機械的研磨用スラリー。また、本化学的・機械的研磨用スラリー組成物を使用し、銅合金、チタン、窒化チタンを含...

    銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリー

  2. 技術 研磨方法

    【課題】スクラッチや剥がれ、ディシング、エロージョンを抑制し、また、複雑な洗浄プロセスや研磨剤供給/処理装置を必要とせず、研磨剤や研磨布等の消耗品のコストを抑さえた研磨技術を提供する。【解決手段】溝を有する絶縁膜23上に形成された金属膜21を、酸化性物質と酸化物を水溶化する物質を含み、研磨砥粒を含まない研磨液で研磨する。

    研磨方法

  3. 【課題】研磨条件を変更した際にも面内均一性の変化幅が低減された、研磨特性の安定性に優れた金属研磨用組成物を提供する。【解決手段】短径/長径比が0.2から0.8であり、且つ、表面の少なくとも一部がアルミニウム原子で覆われているコロイダルシリカ粒子を全砥粒の50%以上含有し、好ましくは、酸化剤、有機酸などを含有する金属研磨用組成物である。該コロイダルシリカ粒子を構成するコ...

  4. 【課題】画像形成時に干渉縞が現れず、また、黒ポチ・白抜け・ゴーストなどの画像欠陥のない電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。【解決手段】支持体上に電荷発生層および電荷輸送層をこの順に有する電子写真感光体において、該電荷発生層が結着樹脂1質量部に対して電荷発生物質を2質量部よりも多く5質量部以下含有し、かつ、...

    電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

  5. 【課題】機械的強度が小さい低誘電絶縁膜であっても、スクラッチの発生や外周部における剥がれを大幅に低減可能であり、かつ配線材料たる金属膜の研磨速度に優れた半導体基板の化学機械研磨方法およびそのために用いられる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。【解決手段】化学機械研磨方法は、(1)砥粒および(2)2つ以上のカルボキシル基を有する複素環化合物またはその無水物が配合され...

新着の技術

研削,研磨』に分類される技術のうち、最近新たに出願された技術の一覧です。

  1. 【課題・解決手段】(i)コバルト及び/又は(ii)コバルト合金及び(iii)TiN及び/又はTaNを含む基板(S)を化学機械研磨するための化学機械研磨(CMP)組成物(Q)の使用方法であって、前記CMP組成物(Q)が、 (E)無機粒子、 (F)アミノ基及び酸性基(Y)を含む少なくとも1種の有機化合物であって、前記化合物がn個のアミノ基及び少なくともn+1個の酸性プ...

    コバルトを含む基板の研磨のための化学機械研磨(CMP)組成物の使用方法

  2. 【課題】コロージョン速度を低減し、タングステンのディッシング及び下層の絶縁体のエロージョンを抑制するタングステンを含有する基材を化学機械研磨する方法を提供する。【解決手段】基材を提供する工程と、初期成分として、水、酸化剤、ジヒドロキシビススルフィド、ジカルボン酸、鉄イオンの供給源、コロイダルシリカ砥粒及び任意選択でpH調整剤を含有する研磨組成物を提供する工程と、研磨面...

  3. 【課題】ウェハを平坦かつ薄膜に形成するウェハ加工システムを提供する。【解決手段】ウェハ加工システム1は、ウェハWを研削する研削装置10と、研削後のウェハWの厚みを測定するNCIG17と、研削装置10による研削加工に続けてウェハWを研磨するCMP装置20と、備えている。制御装置60は、NCIG17の測定値に基づいて研削後のウェハWの形状を演算し、研磨後のウェハWが略平坦...

    ウェハ加工システム

  4. 【課題】ピンホール不良を低減することができる、管体の内面処理方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の管体の内面処理方法は、管体の鋳造工程S1と、管体の内面を、管体の軸と略平行な軸周りに回転する砥石により研磨する内面研磨工程S3と、内面研磨工程S3の前または後に行われる水圧試験工程S4と、管体の内面を、管体の軸と略平行な軸周りに回転する研掃ブラシにより研掃する研掃工...

    管体の内面処理方法

  5. 【課題】エッジトリミングの良否を早期に判定する。【解決手段】外周に面取り部を有するウェーハの外周縁を表面側から切削するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの外周縁をカメラで撮像して、ウェーハの外周縁の位置を検出する外周縁位置検出ステップと、該外周縁に該表面側から切削ブレードを切り込ませる加工ステップと、切削された環状領域を撮像して、新たに形成された該ウェーハの表面の...

    ウェーハの加工方法

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