株式会社FLOSFIA に関する公開一覧

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  1. 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以...

    半導体装置

  2. 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、...

    半導体装置

  3. 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、...

    半導体装置

  4. 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以...

    半導体装置

  5. 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して色素を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。【解決手段】色素を基体14に接触させることにより前記基体に前記色素を担持させる方法であって、前記接触を、減圧下(例えば、100Pa〜90000Pa)で前記色素と非プロトン性極性溶媒(例えば、ジメチルホルムアミド)とを含む原料溶液18に前記基体を含浸させ...

    色素の担持方法および電子装置または電子部品の製造方法

  6. 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して色素を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。【解決手段】色素を基体14に接触させることにより前記基体に前記色素を担持させる方法であって、前記基体が、表面の一部または全部に平均孔径が100nm以下の多孔質層を含み、前記色素が前記平均孔径よりも小さく、前記接触を、減圧下で前記色素と溶媒とを含む原料溶...

    色素の担持方法および電子装置または電子部品の製造方法

  7. 【課題】放熱性が求められる半導体装置等に有用な、結晶品質に優れた結晶性酸化物膜を提供する。【解決手段】第1の結晶軸と第2の結晶軸とを少なくとも含み、ガリウムを含有する金属酸化物を主成分とする結晶性酸化物膜を形成する際に、第2の辺を第1の辺よりも短くし、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数を第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向を第1の結晶軸方向と平行または...

    結晶性酸化物膜

  8. 【課題】放熱性が求められる半導体装置等に有用な、結晶品質に優れた結晶性酸化物半導体を提供する。【解決手段】第1の結晶軸と第2の結晶軸とを少なくとも含む結晶性酸化物半導体を形成する際に、第2の辺を第1の辺よりも短くし、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数を第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向を第1の結晶軸方向と平行または略平行とし、第2の辺方向を第2の結晶...

    結晶性酸化物半導体

  9. 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有する本発明のサーミスタ膜およびサーミスタ素子の提供。また、このようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法の提供。【解決手段】第1電極の上に、サーミスタ膜を形成する工程、前記サーミスタ膜の第1電極側の面の反対側に、第2電極を形成する工程を経て、膜厚1μm以下のサーミスタ膜と、前記サーミス...

    サーミスタ膜の製造方法

  10. 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有する本発明のサーミスタ膜およびサーミスタ素子の提供。また、このようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】サーミスタ素子100において、第1電極51の上に、少なくともMnを含む第1の結晶性酸化物からなる第1のサーミスタ膜と、少なくともMnを含む第2の結晶性酸化物か...

    積層構造体、積層構造体を有するサーミスタ素子およびその製造方法

  11. 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有するサーミスタ膜およびサーミスタ素子並びにこのようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】サーミスタ素子100の製造方法は、第1電極51の上に、結晶性酸化物を含み、電気抵抗率が100kΩcm以下であるサーミスタ膜50を形成する工程及びサーミスタ膜50の第1電極側の...

    サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法

  12. 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有するサーミスタ膜およびサーミスタ素子並びにこのようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】サーミスタ素子100の製造方法は、第1電極51の上に、結晶性酸化物を含み、結晶性酸化物が一軸に配向している結晶を有しており、結晶の大きさが1μm角以上であるサーミスタ膜50を...

    サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法

  13. 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有するサーミスタ膜およびサーミスタ素子並びにこのようなサーミスタ膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】サーミスタ素子100の製造方法は、第1電極51の上に、結晶性酸化物結晶性酸化物を含み、結晶性酸化物がCu3Mn3O8構造を有するサーミスタ膜50を形成する工程及びサーミスタ膜...

    サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法

  14. 【課題】高周波域においても良好なサーミスタ特性を有する本発明のサーミスタ薄膜およびサーミスタ素子の提供。また、このようなサーミスタ薄膜およびサーミスタ素子を工業的有利に得ることができる製造方法の提供。【解決手段】第1電極の上に、サーミスタ薄膜を形成する工程、前記サーミスタ薄膜の第1電極側の面の反対側に、第2電極を形成する工程を経て、膜厚1μm以下のサーミスタ薄膜と、前...

    サーミスタ薄膜、サーミスタ薄膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法

  15. 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して金属源を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。【解決手段】金属源を基体に接触させることにより前記基体に前記金属源を担持させる方法であって、前記接触を、減圧下(例えば、100Pa〜90000Pa)で前記金属源と非プロトン性極性溶媒(例えば、ジメチルホルムアミド)とを含む原料溶液に前記基体を含浸させ...

    金属源の担持方法および電子装置または電子部品の製造方法

  16. 【課題】担持速度を格段に向上させつつ、基体に対して金属源を均一且つ良好に担持させることができる新規な成膜方法を提供する。【解決手段】金属源を基体に接触させることにより前記基体に前記金属源を担持させる方法であって、前記基体が、表面の一部または全部に平均孔径が100nm以下の多孔質層を含み、前記金属源が前記平均孔径よりも小さく、前記接触を、減圧下で前記金属源と溶媒とを含む...

    金属源の担持方法および電子装置または電子部品の製造方法

  17. 【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以...

    結晶性半導体膜および半導体装置

  18. 【課題】クラックが低減され、かつ、横方向に結晶成長したコランダム構造のエピタキシャル膜を有する結晶性積層構造体を提供する。【解決手段】本発明の結晶性積層構造体は、結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル膜が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル膜がボイドを含むことを特徴と...

    結晶性積層構造体

  19. 【課題】密着性に優れた金属膜を工業的有利に成膜できる金属膜の形成方法およびその方法により形成された金属膜を提供する。【解決手段】基体上に金属膜を形成する金属膜形成方法であって、酸化剤、キレート剤またはプロトン酸を含む有機溶媒中に、金属を溶解または分散させてなる原料溶液を霧化してミストを発生させる霧化工程と、キャリアガスを前記ミストに供給するキャリアガス供給工程と、前記...

    金属膜形成方法

  20. 【課題】回転ドメインと反りが低減された結晶性酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】ミストを用いて、基体上に、第1の層と、第1の層とは異なる材料を主成分とする第2の層とが、少なくとも1層ずつ交互に積層されている量子井戸構造を有するバッファ層を介して、コランダム構造を有し、かつアルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる1種または2種以上を少なくとも含有する酸化物半導体...

    結晶性酸化物半導体膜、半導体装置

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