株式会社アルバック に関する公開一覧

株式会社アルバック」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「株式会社アルバック」の詳細情報や、「株式会社アルバック」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「株式会社アルバック」の法人詳細ページはこちら

  1. 【課題】耐ヒロック性に優れたAl合金導電膜、薄膜トランジスタ及びAl合金導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係るAl合金導電膜は、0.1原子%以上1.5原子%以下のCeと、0.1原子%以上2.5原子%以下のMo、Nb、Ta、Ti及びWの群より選択される1種の元素とを含有する。これにより、膜表面のP-V値(Peak to Valley:最大高低差)が...

    Al合金導電膜、薄膜トランジスタ及びAl合金導電膜の製造方法

  2. 【課題】被スパッタ面のなかで、磁気回路の遠隔部と重なる部分に供給されるスパッタガスの流量が、被スパッタ面のなかで、磁気回路の他の部分と重なる部分に供給されるスパッタガスの流量よりも小さくなることが抑えられるスパッタ装置を提供する。【解決手段】被スパッタ面と対向する平面視において、ターゲット11の中心11Cに対して偏心した形状を有するとともに、被スパッタ面の法線を中心と...

    スパッタ装置

  3. 【課題】進行波と反射波の測定を安定して行うことができる方向性結合器を提供する。【解決手段】湾曲した金属板から成る検出器23aと、プリント配線板25に形成した金属膜の内部配線43とによって巻線を形成し、導電線15に流れる電流が形成する磁束によって巻線に起電力を発生させ、終端回路24によって、進行波と反射波とを区別して検出する。検出器23aと内部配線43とで構成された巻線...

    方向性結合器

  4. 【課題】基板の面内において磁性膜における一軸磁気異方性のばらつきを抑えることを可能とした成膜装置、および、成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置は、一軸磁気異方性を発現することが可能な磁性材料を含むターゲット31と、ターゲット31と対向する領域に所定のピッチで並ぶ複数の磁石21を含み、ターゲット31と複数の磁石21との間に位置する基板Sに平行な水平磁場HMを基板Sと...

    成膜装置、および、成膜方法

  5. 【課題】簡易なエッチング処理により、安定的なOTSデバイスの特性を実現することが可能な、OTSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性の基板上に、第一導電部、カルコゲナイドからなるOTS部、及び、第二導電部を順に重ねて配してなるOTSデバイスの製造方法であって、前記基板の一面の全域に亘って前記第一導電部を形成する工程Aと、前記第一導電部の全域に亘って前記OTS...

    OTSデバイスの製造方法およびOTSデバイス

  6. 【課題】基板の位置について検出精度を向上可能とした位置検出装置、および、蒸着装置を提供する。【解決手段】基板Wの平坦部Wp1で反射された光による第1像と、平坦部Wp1につながるベベル部Wp2で反射された光による第2像とを撮影する撮影部11と、第1像と第2像とのコントラストに基づく平坦部Wp1とベベル部Wp2との境界を基板Wの外形の一部として抽出し、該抽出された外形の一...

    位置検出装置、および、蒸着装置

  7. 技術 処理装置

    【課題】処理槽の周方向において、ガスの流量における分布を変えることを可能とした処理装置を提供する。【解決手段】処理空間11Sを区画する真空槽11と、処理空間11Sに通じる途中に保持空間20aを含み、処理空間11Sにおける互いに異なる2以上の供給位置に向けてガスを通すガス通路20と、保持空間20aに保持され、保持空間20a内での位置が変わることによって、保持空間20aか...

    処理装置

  8. 【課題】基板の位置の検出精度を向上可能とした位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置を提供する。【解決手段】画像処理部20は、表面撮影部の各カメラ11が基板マークWmを撮影した結果から、表面撮影部のカメラ11間の相対位置を算出し、当該カメラ11間の相対位置と、表面撮影部の各カメラ11が処理基板Wを撮影した結果とを用い、表面撮影による処理基板Wの位置を算出し、かつ、...

    位置検出装置、位置検出方法、および、蒸着装置

  9. 【課題・解決手段】本発明の配線基板の加工方法は、基板上に局所的に配された導体部が、フィラーをなす無機部材が有機部材に分散してなる樹脂部によって被覆された構成を含む配線基板の加工方法であって、アッシング法を用い、前記樹脂部の表層側から前記有機部材を除去し、ウェット洗浄法を用い、前記有機部材が除去された樹脂部の表層側に残存する前記無機部材を除去する。

    配線基板の加工方法

  10. 【課題・解決手段】スパッタリング法によって基板上の層組成を簡便に変更する。成膜装置は、真空容器と、基板搬送機構と、成膜源と、制御部とを具備する。上記真空容器は、減圧状態を維持することが可能である。上記基板搬送機構は、上記真空容器内で基板を搬送することが可能である。上記成膜源は、上記基板に対向し上記基板の搬送方向に沿って配置された第1ターゲットと第2ターゲットとを有する...

    成膜装置及び成膜方法

  11. 【課題】磁石アレイの吸引力によりマスクプレートを基板の下面に密着させる際にマスクプレートに対する基板の位置ずれを生じ難くでき、基板及びマスクプレートの損傷を招くことがないキャリアを提供する。【解決手段】基板Swの一方の面を開放した状態で当該基板を保持して真空チャンバ内の所定位置に搬送するキャリアは、基板の他方の面が密着する密着プレート1と、基板から密着プレートに向かう...

    真空処理装置

  12. 【課題】温度制御性が高い吸着装置と真空装置を提供する。【解決手段】吸着装置10の吸着板37の内部の、吸着面49に近い位置に第一、第二の吸着電極32a、32bを配置して基板5を吸着し、接触面48に近い位置に第一、第二の台側電極33a、33bを配置して給電台41を吸着する。給電台41と基板との間の熱抵抗が小さくなる。吸着板37を柔軟性を有する材料で構成しておき、吸着板37...

    吸着装置、真空装置

  13. 【課題・解決手段】本発明は、イオン源のイオン生成容器内においてイオン化ガスとイオン原料を反応させてイオンを生成する際に発生した中間生成物がガス供給管の供給側先端部及び内壁面に付着する量を極力減少させる技術を提供する。本発明のイオン源は、筒状のガス導入管(13)を介して容器内に導入されたイオン化ガスと、容器内に放出されたイオン原料を反応させてイオンを生成するイオン生成容...

    イオン源及びイオン注入装置

  14. 【課題】アノード電極である防着板への誘電体の付着を防止し、アノード電極の有効面積を減少させ、薄膜の成長速度を低下させないスパッタリング装置の提供。【解決手段】スパッタリングターゲット16と基板配置部13とで挟まれたスパッタ空間12を取り囲む防着板17の表面に、Alの溶射によって形成した低抵抗化膜7を設け、低抵抗化膜7の表面に付着したLi3PO4のスパッタリング粒子から...

    スパッタリング装置及び薄膜製造方法

  15. 【課題】処理対象物表面全体に亘って炭素ナノ構造体を成長させることができる炭素ナノ構造体成長用のCVD装置及び炭素ナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】処理炉1と、処理炉内を通過するように処理対象物Fmを搬送する搬送手段15と、処理炉内に炭素含有の原料ガスを導入するガス導入手段11,12と、原料ガスを加熱する加熱手段13とを備え、処理室内を通過する処理対象物の表面...

    炭素ナノ構造体成長用のCVD装置及び炭素ナノ構造体の製造方法

  16. 【課題】スパッタリングによって形成されるPZT薄膜層において、高温環境下における絶縁耐圧及び耐疲労特性を向上させる技術を提供する。【解決手段】シリコン基板10上に、TiOX層4を介して設けられた白金電極層5と、白金電極層5上に設けられたバッファ層6とを有する基板を用意する。イットリウムをドープしたPZTターゲットを用い、バッファ層6上にスパッタリングによってPZT薄膜...

    PZT薄膜積層体の製造方法

  17. 【課題】コンタミネーションが発生せず、成膜速度の速いスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 スパッタ空間19を取り囲むシールド板14と接地電位に接続された真空槽11の槽壁との間に配置されたアースブロック15に収容孔18を設け、その内部にシールド板14とアースブロック15とを接続するコイル部品5を配置する。シールド板14とアースブロック15の間には電気絶縁性材料1...

    スパッタリング装置

  18. 【課題】500℃未満の温度下でLaNiO3からなるバッファ層上にスパッタリングによってPZT薄膜層を形成する際に、PZT薄膜層において本来の(001)配向に対して面方位の異なる結晶部分の発生を防止する技術を提供する。【解決手段】シリコン基板10上に、TiOX層4を介して設けられた白金電極層5と、白金電極層5上に設けられたLaNiO3からなるバッファ層6とを有する基板を...

    PZT薄膜積層体の製造方法

  19. 技術 電源装置

    【課題】スイッチ素子SW3に印加される電圧をクランプして保護する。【解決手段】保護用整流素子D1の一端と、保護用キャパシタンス素子C5の一端と、保護用インダクタンス素子L4の一端とを、互いに中心点14で接続させバイアス回路33を構成させ、保護用整流素子D1の他端を直流高電圧が出力される直流高電圧点11に接続し、保護用キャパシタンス素子C5の他端をスイッチング電圧が出力...

    電源装置

  20. 【課題】タッチプレートとマスクプレートとの間に基板を挟み込むようにして磁石アレイの吸引力によりマスクプレートを基板の下面に密着させるときに、パターンマスク部の透孔の周縁の浮き上がりを可及的に抑制でき、成膜された薄膜にマスクボケが発生することを防止できるマスクプレートを提供する。【解決手段】マスクプレートMPは、板厚方向に貫通する複数の透孔11が所定のパターンで開設され...

    マスクプレート及び成膜方法

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