テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド に関する公開一覧

テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド」の詳細情報や、「テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド」の法人詳細ページはこちら

  1. 【課題・解決手段】記載される例において、DC−DC電圧コンバータ(200)のための電力段が、電圧入力、ハイサイドnチャネルトランジスタ(210)、ハイサイドpチャネルトランジスタ(215)、及びローサイドnチャネルトランジスタ(220)を含む。電圧入力は供給電圧(205)に結合され得る。ハイサイドnチャネルトランジスタ(210)のドレイン端子が電圧入力に結合され、ハイ...

    DC−DCコンバータのための電力段

  2. 【課題・解決手段】集積回路(100)、マージ回路(130)、及び多重露光画像データを処理する方法の説明される例において、単一の前処理回路(120)が、画像の第1の露光に関連する第1の入力露光データの前処理のために、及びその後、画像の第2の露光に関連する第2の入力露光データの前処理のために用いられる。第1及び第2の前処理された露光データはマージされて、トーンマッピング及...

    多重露光ワイドダイナミックレンジ画像データに対する画像データ処理

  3. 【解決手段】 記載される例において、集積回路(100)が、フィールド酸化物(106)に隣接するMOSトランジスタ(108)、及びMOSトランジスタ(108)に近接するフィールド酸化物(106)上のゲート構造(110)で形成される。エピタキシャルソース−ドレイン(124)とフィールド酸化物(106)との間のギャップ(146)が、ギャップ(146)における二酸化シリコン...

    埋め込みエピタキシャルファセットにおけるシリサイド及びコンタクトの形成

  4. 【解決手段】 障害物の位置を推定するためのレーダー装置(200)の説明される例において、受信アンテナユニット(210)が、アンテナのリニアアレイと、アンテナのリニアアレイにおける少なくとも1つのアンテナから所定のオフセットにある付加的なアンテナとを含む。信号処理ユニット(215)が、アンテナのリニアアレイにおいて障害物から受信される信号から、障害物の各々に関連する方...

    レーダーにおける角度分解能

  5. 【課題・解決手段】装置(700)の記載される例において、半導体基板(710)が、表側表面と、表側表面と反対の裏側表面とを有する。表側表面の上に金属導体(714)が形成される。少なくとも一つのキャビティ開口が、裏側表面においてエッチングされる。放射又は結合構造(716)が、金属導体(714)の一部において形成され、裏側表面におけるキャビティ開口を介して信号を放射するよう...

    裏側集積回路高周波数信号の放射、受信、及び相互接続のための方法及び装置

  6. 【課題】物理アップリンク制御チャネル(PUCCH)リソースを選択するためのシステム及び方法を提供する。【解決手段】第1のサブフレームで拡張物理ダウンリンク制御チャネル(EPDCCH)が検出される。EPDCCHに対しHARQ−ACKリソースインジケータオフセット(ΔARO)値が識別される。EPDCCHに対応するハイブリッド自動再送要求−アクノリッジメント(HARQ−AC...

    アップリンクHARQ−ACKリソースの効率的なアロケーション

  7. 【課題・解決手段】記載される例は、アッセンブリをモールディングした(216)後の犠牲ダイ封止の昇華及びダイ取り付け材料の昇華又は分離を介して形成されるキャビティ(252)浮遊ダイパッケージ(200B‐1)を含むを含む。モールディング構造におけるピンホールベント(218)が、ガスを逃がすように昇華経路として提供され、ダイ(206)又はダイスタックは、基板(202)から離...

    浮遊ダイパッケージ

  8. 【課題・解決手段】記載される例において、集積回路(200)が、機能的回路要素(214)及びテスト回路要素(212)を含む。パッドのセット(P0〜P4)が、テスト信号をテスト回路要素(212)に通信するために第1の状態で動作し得、入力/出力信号を機能的回路要素(214)に通信するため第2の状態で動作し得る。パッドのセット(P0〜P4)とは異なる第2のセットのパッド(P5...

    フルパッドカバレッジバウンダリスキャン

  9. 【課題】デプリケーションモードトランジスタを制御する方法及び回路要素を提供する。【解決手段】回路要素100において、第1のトランジスタ104は、デプリーションモードトランジスタ102のソースに結合されるドレインと、第1の電圧ノードに結合されるソースと、制御ノード115に結合されるゲートとを有する。第2のトランジスタ134は、デプリーションモードトランジスタのゲートに結...

    デプリーションモードトランジスタとエンハンスメントモードトランジスタとを制御するための回路要素

  10. 【課題・解決手段】説明する例において、DC−DCコンバータ(100)及び制御回路(101)が、ハイサイド及びローサイドドライバ信号(HSD、LSD)を提供し、コンパレータ信号(CMP)に従って、ローサイドスイッチングデバイス(S2)のターンオフとハイサイドスイッチングデバイス(S1)のターンオンとの間の遅延時間を選択的に調整する。クロックドコンパレータ回路(130)が...

    DC−DCコンバータ及び制御回路

  11. 【課題・解決手段】記載される例において、電気デバイス(150)(例えば、集積回路)が、増幅器(80)、構成可能な同相利得トリム回路(90)、及びメモリ(154)を含む。構成可能な同相利得トリム回路(90)は、増幅器(80)に結合される。メモリ(154)は、同相利得トリム回路(90)を構成するため電気デバイス(150)のための初期化プロセスの間用いることが可能なトリムデ...

    増幅器のための同相利得トリミング

  12. 【課題・解決手段】記載される例において、集積回路チップ(102)が、入力信号(IN)を受け取るように結合されるN‐ゲート(GN)を有するバイモーダルパワーN‐P‐横方向拡散金属酸化物半導体(LDMOS)デバイス(104)、及び、入力信号を受け取り、制御信号をN‐P‐LDMOSデバイスのP‐ゲートドライバ(106)に提供するためように結合されるレベルシフタ(108)を含む。

    P‐Nバイモーダルパワーデバイスのための統合されたハイサイドドライバ

  13. 【課題・解決手段】スイッチングの間、高電圧トランジスタ(M0)のドレイン端子(106)のドレイン電圧を測定するための測定回路の説明される例において、測定回路は、高電圧トランジスタ(M0)がオンにされるときの高電圧トランジスタ(M0)の電圧を表す減衰器出力信号(VDCLAMP)を生成するための減衰器回路(102)、及び減衰器出力信号(VDCLAMP)に従って、増幅された...

    高分解能電力電子測定

  14. 【課題・解決手段】記載される例において、増幅器システム(10)が、入力パルス信号を受信するように、及び入力パルス信号に基づいて基準電圧パルスを生成するように構成される入力段(12)を含む。増幅器システム(10)はまた、少なくとも一つの電源電圧を受け取る増幅器段(14)を含み、増幅器段(14)は、基準電圧パルスを増幅するように、及び、基準電圧パルスの振幅に起因する少なく...

    パルスシェーピング増幅器システム

  15. 【課題】パワーオーバーイーサネット制御システムを提供する。【解決手段】パワーオーバーイーサネット(PoE)制御システム10は、イーサネット接続16を介して電圧信号を受信するように構成される電力供給されるデバイス(PD)14を含む。PDは、受信した電圧信号を介して公称電力レベルを示すように構成されるPoE信号レシーバ20を含む。更に、該システムは、電圧信号を生成し、公称...

    パワーオーバーイーサネット制御システム

  16. 【課題・解決手段】説明される例は、パッケージ基板(102)、パッケージ基板(102)上に搭載される第1のダイ(110)、及びパッケージ基板(102)上に搭載される第2のダイ(150)を備える、電磁検知デバイス(100)を含む。第1のダイ(110)は、第1の集積回路(113)と、第1の集積回路(113)の上に形成される第1の磁気コア(116)とを含む。第1の磁気コア(1...

    3次元検知を備える集積フラックスゲートデバイス

  17. 【課題・解決手段】記載される例において、マイクロ電子デバイス(100)が、磁気センサ構成要素(106)及び磁化可能な構造的特徴(110)を含む。磁化可能な構造的特徴(110)の磁気モーメント(112)が、互いに平行に整合される。マイクロ電子デバイス(100)は、磁化可能な構造的特徴(110)の磁気モーメント(112)を、印加される磁場と整合するように磁場を印加すること...

    磁場の印加を介する磁気材料に起因する磁気センサ構成要素変動の低減

  18. 【課題・解決手段】記載される例において、インタフェースデバイス(300)が、pドープされた基板の(204)水平表面に沿ったNPN構造(Q1)を含む。NPN構造(300)は、出力端子(106)に結合される第1のnドープされた領域(242)、第1のnドープされた領域(242)を囲むpドープされた領域(232、243、245)、及び、出力端子(107)に結合され、pドープさ...

    パワーダウン保護を備えた出力ドライバ

  19. 【課題・解決手段】記載される例において、バイオセンシングデバイス(100)は、生物物理学的測定を行なうために用いられる時間期間を較正する。デバイスは、光源検知フェーズを開始し、その後、第1の周囲検知フェーズ及び第2の周囲検知フェーズが続く。光源検知フェーズにおいて、デバイスは、光源回路(120)がイネーブルされる一方で、光検出器(122)を介する電流を表すデジタル値を...

    周囲光相殺を備えたバイオセンシングデバイス

  20. 【課題・解決手段】記載の例では、信号処理チェーン(100)が、第1の露光時間画素データを含む第1のフレームと第2の露光時間画素データを含む第2のフレームとを含む複数のフレームを含むWDRセンサからロー画像信号を受信することを含み、ワイドダイナミックレンジ(WDR)マルチフレーム処理を実装する。第1の画素データ用の第1の統計及び第2の画素データ用の第2の統計を含むカメラ...

    ワイドダイナミックレンジ(WDR)センサデータのための画像処理

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