ウインセミコンダクターズコーポレーション に関する公開一覧

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  1. 【課題】化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造を提供する。【解決手段】化合物半導体ウェーハー20の裏面202に形成されるコンタクト金属層30、コンタクト金属層の裏面302に形成され、非導電材料で作られる、少なくとも一層のストレス均衡層40、複数のストレス均衡層ビア72、およびダイ取り付け層50よりなる。ストレス均衡層ビアは、それぞれ、ストレス均衡層を貫通...

    化合物半導体ウェーハーの歪みを低減するための改良構造

  2. 【課題】化合物半導体ウェーハーの歪みを低減する裏面オーミック構造を提供する。【解決手段】構造1は、コンタクト金属層30、少なくとも一層のストレス均衡層40およびダイ取り付け層50よりなる。コンタクト金属層は、化合物半導体ウェーハー20の裏面に形成される。少なくとも一層のストレス均衡層は、コンタクト金属層の裏面に形成され、少なくとも一つ導電材料で作られる。ダイ取り付け層...

    化合物半導体ウェーハーのゆがみを低減するための構造上の改良