株式会社半導体エネルギー研究所 に関する公開一覧

株式会社半導体エネルギー研究所」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「株式会社半導体エネルギー研究所」の詳細情報や、「株式会社半導体エネルギー研究所」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「株式会社半導体エネルギー研究所」の法人詳細ページはこちら

  1. 技術 発光装置

    【課題】蛍光発光とりん光発光を用いた発光素子において、実用化に有利な多色発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】ホスト材料と蛍光発光物質とを含む第1の発光層と、正孔輸送性を有する物質と電子輸送性を有する物質とを含む分離層と、励起錯体を形成する2種類の有機化合物と三重項励起エネルギーを発光に変換できる物質とを含む第2の発光層との積層構造を備えた発光素子を提供する...

    発光装置

  2. 【課題】撮像間隔の短い固体撮像装置を提供する。【解決手段】n行目m列の画素が有する第1のフォトダイオードと、n+1行目m列の画素が有する第2のフォトダイオードを、トランジスタを介して接続する。第1のフォトダイオードと第2のフォトダイオードで同時に受光し、受光量に応じた電位をまずn行目m列の画素に保持し、続けて、リセット動作を行わずにn+1行目m列の画素に受光量に応じた...

    イメージセンサ

  3. 技術 発光装置

    【課題】 発光装置の画素部において、発光色の異なるEL素子の発光輝度をそろえ、さらにEL素子の発光輝度を上げることを目的とする。【解決手段】 発光装置の画素部にトリプレット化合物を含むEL層を有するEL素子とシングレット化合物を含むEL層を有するEL素子とを組み合わせて形成することにより、複数形成されたEL素子の発光輝度をそろえることができる。さらに正孔輸送層を積...

    発光装置

  4. 技術 撮像装置

    【課題】撮像品質が高く、高速動作に適した撮像装置を提供する。【解決手段】第1の領域乃至第nの領域(nは2以上16以下の自然数)を有し、それぞれの領域において、第1の回路と、第2の回路と、第3の回路と、第4の回路を有する撮像装置であって、第1乃至第3の回路は、シリコンを活性層または活性領域とするトランジスタを有し、第4の回路は、酸化物半導体を活性層とするトランジスタ、お...

    撮像装置

  5. 【課題】電池に使用される活物質粒子等よりなる電極の導電性と電気容量を高める。【解決手段】従来、用いられていた導電助剤やバインダーに代えて、1乃至100のグラフェンよりなるグラフェンネットを用いる。2次元的な広がりと三次元的な構造を有するグラフェンネットは、活物質粒子や他の導電助剤と接する確率が向上するため、導電率を改善でき、また、活物質粒子間の結合力を高める。また、そ...

    リチウムイオン二次電池

  6. 【課題】外部ストレスによる亀裂などの破損による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。【解決手段】一対の第1の耐衝撃層及び第2の耐衝撃層に挟持された半導体集積回路におい...

    半導体装置

  7. 技術 撮像装置

    【課題】グローバルシャッタ方式で撮像を行うことができる画素共有型の撮像装置を提供する。【解決手段】第1および第2の光電変換素子と、第1乃至第6のトランジスタと、を有し、第1乃至第4のトランジスタは活性層に酸化物半導体を有する撮像装置である。該撮像装置は、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタを複数の画素で共有する、画素共有型の撮像装置でありながら、グローバルシャッ...

    撮像装置

  8. 【課題】信頼性が高く、安定した電気特性を示す半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】半導体装置は、第1の酸化物半導体層144aと、第2の酸化物半導体層144bと、第3の酸化物半導体層144cとが積層された酸化物半導体積層144と、酸化物半導体積層に接するソース電極層142a及びドレイン電極層142bと、ゲート絶縁層147を介して酸化物...

    半導体装置

  9. 技術 発光装置

    【課題】可搬性に優れた発光装置を提供する。一覧性に優れた発光装置を提供する。【解決手段】連結部と、連結部を介して互いに離間する複数の発光ユニットと、を有し、連結部及び発光ユニットは可撓性を有し、連結部は、発光ユニットよりも小さい曲率半径で折り曲げることができる、発光装置。発光ユニットには、連結部と隣り合わない辺側から信号が供給される、又は無線通信により信号が供給される。

    発光装置

  10. 技術 発光装置

    【課題】動作不良を抑制する。【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第1のゲート及び第2のゲートを有し、第2のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第2のゲートと、を導通状態にするか...

    発光装置

  11. 【課題】正常な動作を確保しつつ、低消費電力化を実現できる半導体装置の提供。【解決手段】第1のトランジスタ、及び上記第1のトランジスタが有するゲートへの、第1の信号の供給を制御する第2のトランジスタをそれぞれ有する一対の第1の回路と、上記第2のトランジスタが有するゲートに供給され、なおかつ上記第1の信号よりも振幅が大きい第2の信号を、生成する第2の回路と、を有し、一対の...

    半導体装置

  12. 技術 表示装置

    【課題】安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。または、ノーマリーオフの電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート絶縁体と、酸化物半導体と、を有し、酸化物半導体は、チャネル形成領域にフッ素を有し、該チャネル形成領域におけるフッ素濃度は、1×1020atoms/cm3以上1×1022atoms/cm3以下である半導体装置である。また、フ...

    表示装置

  13. 【課題】新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタ160と、第2のゲート電極、第2のソース電極および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタ162と、を有する。第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設け...

    半導体装置

  14. 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタの電気特性変動を抑制し信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置において、トランジスタ100は、ゲート電極104と、ゲート電極上の第1の絶縁膜106と、第1の絶縁膜上の第2の絶縁膜107と、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜108と、酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極112a、112bと、ソース電極上の第3...

    半導体装置

  15. 【課題】新規な構成の撮像装置を提供する。【解決手段】選択トランジスタのオフリーク電流を低減するため、SOI基板に形成されるトランジスタであり、FD−SOIと呼ばれる完全空乏型のトランジスタを用いる。光電変換領域と転送トランジスタを設けた第1半導体基板と、FD−SOIを有する第2半導体基板とを貼り合わせて撮像装置とする。少なくとも選択トランジスタをFD−SOIとすること...

    撮像装置およびその作製方法

  16. 【課題・解決手段】特性の変動、素子の劣化、形状異常を抑制する半導体装置を提供する。複数の素子を有する第1の領域と、複数のダミー素子を有する第2の領域と、を有し、第2の領域は、第1の領域の外縁部に設けられ、素子、およびダミー素子は酸化物半導体を有する。また、素子と、ダミー素子は、同じ構造であり、素子が有する構造体は、ダミー素子が有する構造体と、同材料からなり、かつ同層に...

    半導体装置、および半導体装置の作製方法

  17. 【課題・解決手段】人工ニューラルネットワークによる演算結果から、当該演算に用いられた重み係数の更新を行う半導体装置を提供する。第1乃至第3回路と、第1乃至第3メモリセルと、を有する半導体装置である。第1乃至第3メモリセルのそれぞれは、保持ノードのデータに応じた電流を吸出する機能と、第1、第2配線の電位に応じて保持ノードのデータを変動させる機能と、を有する。第1乃至第3...

    半導体装置

  18. 【課題】酸化物半導体膜を有する半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、半導体装置は、ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の一対の電極と、を有し、酸化物半導体膜は、チャネル領域と、一対の電極と接するn型領域と、を有し、チャネル領...

    半導体装置の作製方法

  19. 【課題】容量の大きい蓄電装置を提供する。または、エネルギー密度の高い蓄電装置を提供する。または、信頼性の高い蓄電装置を提供する。または、寿命の長い蓄電装置を提供する。または、容量の大きい電極を提供する。または、エネルギー密度の高い電極を提供する。または、信頼性の高い電極を提供する。【解決手段】第1の電極と、第2の電極と、を有する蓄電装置であり、第1の電極は、第1の集電...

    蓄電装置の作製方法

  20. 【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供すること。【解決手段】トランジスタと、容量素子と、を有し、トランジスタは、第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層と接するソース電極およびドレイン電極と、第1の酸化物半導体層と重なるゲート電極と、第1の酸化物半導体層とゲート...

    半導体装置

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