ローム株式会社 に関する公開一覧

ローム株式会社」に該当した技術の詳細情報一覧です。あらゆる文献や技術を元に、価値のある「ローム株式会社」の詳細情報や、「ローム株式会社」を活用可能な分野・領域の探索など、目的にあった情報を見つける事ができます。 「ローム株式会社」の法人詳細ページはこちら

  1. 【課題・解決手段】集積回路パッケージは、出力電圧VOUTに応じてMOSトランジスタQ1(第1スイッチ)及びMOSトランジスタQ2(第2スイッチ)が相補的にオン/オフし、昇降圧モード時にオンデューティDを固定したパルス信号を外部出力する。当該集積回路パッケージは、昇降圧モード時に前記パルス信号を外部に出力する外部ピンP5に接続される外部部品のインピーダンスを判定し、その...

    スイッチングレギュレータ及び集積回路パッケージ

  2. 【課題】消費電力の省力化とスイッチング速度の高速化を実現する。【解決手段】パワー半導体駆動回路10は、VPP・GND間に直列接続されたトランジスタPT1及びPT2を駆動するものであって、トランジスタPT1のゲートG側に設けられてトランジスタPT1のゲート抵抗を設定するトランジスタM3及びM4から成る並列回路と、トランジスタPT1のゲート電圧Vhoを監視するゲート電圧監...

    パワー半導体駆動回路、パワー半導体回路、及びパワーモジュール回路装置

  3. 【課題】アクティブ時の省電力化、アクティブ時の高速化、歩留まりの向上を実現する。【解決手段】強誘電体シャドウメモリの構成、制御方法、及び、試験方法として、(1)リード/ライト動作時にビット線のプリチャージを行わないビット線ノンプリチャージ手法、(2)ストア/リコール時に逐次駆動されるプレート線の電荷を共有するプレート線チャージシェア手法、(3)ライト動作時にワード線を...

    半導体記憶装置

  4. 技術 監視装置

    【課題】故障検出率の高い監視装置を提供する。【解決手段】監視装置100は、監視対象の異常検出を行う監視部と、電源が起動してからリセット解除待機時間が経過するまでの間に前記監視部が正常に機能しているか否かを診断する自己診断部と、前記リセット解除待機時間が経過してからリセット出力信号のリセット解除を行うリセット制御部とを有する。なお、前記自己診断部は、前記監視部が正常に機...

    監視装置

  5. 【課題】寄生素子を誤動作させず瞬時電流の確保と負荷に応じた過電流保護を両立する。【解決手段】過電流保護回路71は、閾値制御信号S170に応じて過電流検出閾値Vth(a,b)を切り替える閾値生成部130(a,b)と、VBB−Vo間のパワートランジスタ10に流れる出力電流Ioに応じたセンス信号Vs(a,b)と過電流検出閾値Vth(a,b)とを比較して過電流保護信号S71(...

    過電流保護回路

  6. 【課題】異常を検出してその履歴を残すことができる異常検知データ記録装置を提供する。【解決手段】異常検知データ記録装置は、第1の半導体集積回路装置と、第2の半導体集積回路装置と、を備える。前記第1の半導体集積回路装置は、前記異常検知データ記録装置を搭載する電子機器の異常を検知する異常検知部と、前記異常検知部によって検知された異常を示す異常検知データを送信する送信部と、を...

    異常検知データ記録装置

  7. 技術 積分回路

    【課題】出力放電時に回路内部のノード電圧が大きく負に振れない積分回路を提供する。【解決手段】積分回路10は、非反転入力端(+)と反転入力端(−)がイマジナリショートするように出力端から出力電圧Voを出力するオペアンプ11と、入力電圧Vi(=パルス幅変調信号PWM)の入力端とオペアンプ11の反転入力端(−)との間に接続された抵抗12と、オペアンプ11の出力端と反転入力端...

    積分回路

  8. 【課題】容量性負荷を接続したときでも正しく起動するスイッチ装置を提供する。【解決手段】スイッチ装置1(例えば、車載用のハイサイドスイッチICまたはローサイドスイッチIC)は、出力電流Ioの流れる電流経路を導通/遮断するスイッチ素子10と、外部制御信号Siがスイッチオン時の論理レベル(例えばハイレベル)であるときにパルス幅変調された内部制御信号ENを生成する内部制御信号...

    スイッチ装置

  9. 【課題】 製造コストの低減を図ることが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置1Aは、主面101A、およびこの主面101Aから凹む凹部105Aを有し、かつ半導体材料からなる基板100Aと、基板100Aに形成された配線層200Aと、凹部105Aに収容された方位センサ素子311A,312A,313Aと、方位センサ素子311A,312A,313Aの少なく...

    半導体装置

  10. 【課題】キャリブレーション機能を損なわずに断線等の異常を検出する。【解決手段】コントローラ200は、複数のセンサ電極102を制御する。複数のセンスピン202には、複数のセンサ電極102が接続される。複数の容量検出回路210はそれぞれ、対応するセンスピン202の容量を測定する。キャリブレーション回路230は、複数の容量検出回路210を校正する。複数のセンスピン202それ...

    静電容量スイッチコントローラ、静電容量スイッチ、電子機器、異常検出方法

  11. 【課題】光透過層に対する光反射層の密着力を向上できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置1は、主面を有し、光を生成する化合物半導体層21と、光透過性を有し、化合物半導体層21の主面を被覆する光透過層22と、光反射性を有し、光透過層22を被覆する第2光反射層23と、光透過層22および第2光反射層23の間の境界部において第2光反射層23の表層部に形成され、...

    半導体発光装置

  12. 【課題】より好ましいテラヘルツ装置を提供する。【解決手段】テラヘルツ装置は、半導体基板と、半導体基板上に配置されたテラヘルツ素子5と、テラヘルツ素子5と電気的に並列接続された第1整流素子61と、を備える。第1整流素子は、たとえばダイオードである。このようなダイオードの具体例は、ツェナーダイオード、ショットキーダイオードおよび発光ダイオードを含む。第1整流素子において、...

    テラヘルツ装置

  13. 【課題】4相クロック駆動のチャージポンプ回路において、負昇圧及び正昇圧効率を改善する。【解決手段】負昇圧ユニットCNU1は、負昇圧ユニット入力端子CNUiにドレインを接続し、負昇圧ユニット出力端子CNUoにソースを接続した転送用トランジスタM42と、転送用トランジスタM42のソースに第1の電極を接続し、クロック入力端子FN2に第2の電極を接続したポンプ用キャパシタCP...

    チャージポンプ回路

  14. 【課題】新規な構成のスイッチングデバイスを提供する。【解決手段】スイッチングデバイスは、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有するSiCスイッチング素子と、ドレイン電極と電気的に接続されるドレイン端子と、ゲート電極と電気的に接続されるゲート端子と、ソース電極と電気的に接続されるソース端子と、ソース電極と電気的に接続され、ソース端子とは離間するセンスソース端子と、樹脂...

    スイッチングデバイス

  15. 【課題】 より効率よく製造可能であり、コスト低減が可能なリードフレーム、半導体装置を提供すること。【解決手段】 搭載面およびこの搭載面に配置された複数の電極を有する半導体素子と、上記半導体素子の上記複数の電極に接合された複数のリードと、上記半導体素子と上記複数のリードの少なくとも一部ずつとを覆う樹脂パッケージと、を備える半導体装置であって、上記各リードは、平面視に...

    半導体装置

  16. 【課題】電池切れを抑制可能なモバイル機器を提供する。【解決手段】モバイル機器100は、ワイヤレスパワートランスミッタ20からの電力信号S2により充電可能である。ワイヤレスパワーレシーバ104は、電力信号S2を受信する。充電回路106は、ワイヤレスパワーレシーバ104が受信した電力を利用して二次電池102を充電する。センサ108は、ワイヤレスパワーレシーバ104が、二次...

    モバイル機器およびその制御方法

  17. 【課題】優れた直流バイアス特性を実現できるディスクリートキャパシタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】基板3の表面部に形成された不純物拡散層13と、基板3上に形成され、不純物拡散層13を選択的に露出させる第1開口15を有するシリコン酸化膜14と、シリコン酸化膜14から露出した不純物拡散層13上に形成された誘電体膜17と、基板3上に形成され、誘電体膜17を挟んで不...

    ディスクリートキャパシタおよびその製造方法

  18. 【課題】入力電圧VINの低い状況における出力トランジスタMHのオン抵抗を低減する。【解決手段】駆動回路200は、制御信号SCTRLに応じて出力トランジスタMHを駆動する。第1トランジスタM1のゲートはバイアスされ、そのソースは内部ライン201と接続される。出力トランジスタMHの制御電極には、そのオン期間において内部ライン201の電圧VREGBが印加される。電圧補正回路...

    出力トランジスタの駆動回路、半導体装置、自動車

  19. 【課題】安価で、両面冷却構造に劣らない冷却性能を発揮でき、かつ応力の低減可能なパワーモジュールを提供する。【解決手段】パワーモジュール(PM)1は、絶縁基板20と、絶縁基板20上に配置され、その表面側と裏面側とに電極を有する半導体デバイス10と、一端が半導体デバイス10の表面側に接続され、他端が絶縁基板20に繋がる異方性な熱伝導率を備えるグラファイトプレート18GPと...

    パワーモジュールおよびその製造方法、グラファイトプレート、および電源装置

  20. 【課題】ゲート絶縁膜に対する電界の集中を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、第1主面3を有する半導体層2と、トンネルウィンドウ25を形成する薄膜部22、薄膜部22の周囲に形成され、薄膜部22よりも厚い厚膜部23、ならびに、薄膜部22および厚膜部23を接続し、薄膜部22から厚膜部23に向かって上り傾斜した傾斜部24を有し、半導体層2の第1主面3を...

    半導体装置

  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7