東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 に関する公開一覧

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  1. 【課題】配線中に残留した不純物金属の濃度が少ない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の形成された絶縁膜の表面に所定の金属元素を含む前駆体膜を形成し、前駆体膜上に配線形成膜を堆積させ、酸化雰囲気下で熱処理を施すことにより、前駆体膜と絶縁膜を反応させ、その境界面に所定の金属元素と絶縁膜の構成元素を含む化合物を...

    半導体装置の製造方法