華邦電子股分有限公司 に関する公開一覧

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  1. 【課題】抵抗メモリ及び抵抗メモリにデータを書き込む方法を提供する。【解決手段】データ書込み方法は、書込みデータを受け取って反転書込みデータを生成するステップと、複数個の選択されたメモリセルにおける現在データを読み出すステップと、現在データを書込みデータ及び反転書込みデータと比較するステップと、比較結果に従って、最終データを生成するよう書込みデータ及び反転書込みデータの...

    抵抗メモリ及びそのデータ書込み方法

  2. 【課題】冗長領域内でローハンマーによってリフレッシュを必要とするワード線アドレスの計算を行う必要がなく、それにより、リフレッシュアドレス計算器の面積を削減することができるメモリ装置及びそのリフレッシュ方法を提供する。【解決手段】メモリ装置は、メモリセルアレイ及び制御器を含む。メモリセルアレイは、複数の通常領域と、複数の通常領域に隣接する冗長領域とを有する。冗長領域は、...

    メモリ装置とそのリフレッシュ方法

  3. 【課題】データ読み出しサイクル中に間歇的発生するエラービットを即時に訂正する半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】半導体メモリ装置は、データメモリアレイ、パリティメモリアレイ、データ読み書き訂正部、パリティ読み書き部及びシンドローム生成デコード部を含む。データ読み書き訂正部がデータメモリアレイを読み出し、第1アプリケーションリードデータを出力する。パリティ読み書き部...

    半導体メモリ装置