開放特許一覧

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  1. 本発明は、半導体ウェーハの裏面を研磨する際に当該半導体ウェーハが支持される面を保護するために貼着される板状物保護テープに関する。表面に複数の回路が形成された半導体ウェーハは、裏面の研磨により薄く加工され分割されることにより個々の半導体チップとなり各種電子機器に利用される。そして、携帯電話機等の薄型化、小型化、軽量化のニーズに応えるべく、半導体チップの厚さも、200μm...

    板状物保護テープ及び半導体ウェーハの研磨方法

    • 2016/07/01 時点
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  2. 開放特許 研磨装置

    本発明は、被加工物を保持するためのチャック手段と.かかるチャック手段上に保持された被加工物を研磨するための研磨手段とを具備し、チャック手段は表面に被加工物が載置されるチャック板を有する研磨装置、特に、それに限定されるものではないが、被加工物の、加工歪を有する被処理面を研磨して加工歪を除去するための研磨装置に関する。例えば、半導体チップの製造においては、半導体ウエーハの...

    研磨装置

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  3. 本発明は、ガス中の水分濃度測定方法に関し、特に、半導体材料ガス中に含まれている極微量の水分濃度(含有量)を測定するための方法に関する。近年の半導体デバイスの高集積度化に伴い、半導体材料ガス中の僅かな水分も大きな問題となっている。半導体材料ガス中の極微量な水分を測定する方法として、従来は、水晶発振式水分計や五酸化リン式水分計等が広く用いられていた。しかし、これらの水分計...

    ガス中の水分濃度測定方法

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  4. 開放特許 板状物搬送装置

    本発明は、板状物を吸引保持して搬送する板状物搬送装置に関する。板状物を吸引保持して搬送する装置としては、例えば図5に示す板状物搬送装置50がある。この板状物搬送装置50は、板状物を吸引保持する吸着パッド51と、吸着パッド51が先端部に固定される移動アーム52と、吸着パッド51に連結され吸引源に連通する吸引路53とから概ね構成され、吸着パッド51において板状物を吸引保持...

    板状物搬送装置

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  5. 本発明は、セラミックスチップコンデンサーシートを個々のチップコンデンサーに分割する分割方法に関する。セラミックスチップコンデンサーシートは、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極層とを交互に積層し、最上位層にセラミック層を積層して構成されている。このようなセラミックスチップコンデンサーシートの製造法としては、次のよ...

    セラミックスチップコンデンサーシートの分割方法

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  6. 開放特許 切削装置

    本発明は、カセットに収容された半導体ウエーハを搬出して切削するための切削装置に関する。例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状の板状物である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された多数の領域にIC、LSI等の回路を形成し、該回路が形成された各領域をストリートと呼ばれる切断ラインに沿ってダイシング装置によって分割することにより個々の半導体チップを製造している...

    切削装置

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  7. 本発明は、酢酸第二銅とトリメシン酸とから合成される新規な錯体、およびその錯体からなる吸着剤に関するものである。トリメシン酸を含むベンゼントリカルボン酸の金属錯体について、いくつかの研究がなされている。以下、本発明に近い2,3の文献を関連文献としてあげる。〈文献1〉 ポーランド化学雑誌である「POLISH JOURNAL OF CHEMISTRY (FORMERLY...

    多孔質錯体および吸着剤

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  8. 開放特許 切削装置

    本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物を切削加工する切削装置に関する。従来、半導体ウェーハ等の被加工物を切削加工する装置としては図6に示すような切削装置が知られている。この切削装置は、上下移動するカセット載置領域A上にカセット1が載置され、このカセット1内に収容された被加工物である半導体ウェーハ2(テープ3を介してフレーム4に固定されている)を搬出入手段5によって待機領...

    切削装置

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  9. 開放特許 ガス分離方法

    本発明は、ガス分離方法に関し、詳しくは、酸素と窒素とを含む原料ガス、特に空気を原料ガスとして窒素を吸着分離することにより、酸素に富むガスを製品ガスとして得る方法に好適に適用できるガス分離方法に関する。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 圧力変動吸着式ガス分離方法(PSA法)による酸素に富むガスの製造は、例えば、空気等の酸素含有ガスから、酸素以外の成分を優先的...

    ガス分離方法

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  10. 本発明は、圧力変動吸着分離用吸着筒の設計方法及び圧力変動吸着分離装置に関するものであって、詳しくは、圧力変動吸着分離法により空気中の酸素を分離採取するために使用する吸着剤のサイズに対応した最適条件で圧力変動吸着分離法を実施することができる吸着筒の形状の設計方法、及び、この吸着筒を使用した圧力変動吸着分離装置に関する。圧力変動吸着分離法(PSA)により、多成分混合ガスを...

    圧力変動吸着分離用吸着筒の設計方法及び圧力変動吸着分離装置

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  11. 本発明は、アンモニア等の腐食性ガスを用いる気相成長装置(CVD装置)等に好適な窒化ガリウム系半導体薄膜製造用気相成長装置のヒーターに関する。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 図3は、CVD装置の要部を示す概略図であって、反応管(反応炉)内に設置したフローチャンネル1内に原料ガスを導入し、サセプタ2に載置した基板3に所定の半導体薄膜を形成するものである。サセ...

    窒化ガリウム系半導体薄膜製造用気相成長装置のヒーター

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  12. 本発明は、管の継手部の溶接での溶接線の芯ずれを外観から判定するための溶接線の芯ずれ判定用スケールに関する。半導体工場のガスの配管供給系などではステンレス鋼からなる配管や接続部が多く用いられている。半導体デバイスの高集積化・高性能化に対応するためには、これら配管、装置間を溶接により接続する際に、高精度な管理が求められており、特に、裏ビード幅が均一となる確実な溶接が必要と...

    溶接線の芯ずれ判定用スケール

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  13. 開放特許 吸着剤

    本発明は、吸着剤に関し、詳しくは、精製対象ガスである高純度ガス中に含まれるアンモニア、三フッ化窒素、二酸化炭素、水素、酸素等の微量不純物を選択的吸着剤により吸着除去して超高純度のガスを得るための吸着剤に関する。ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンあるいは窒素等の不活性ガス、その他各種のガスが、エレクトロニクス産業において広く使用されている。このようなエレクトロニク...

    吸着剤

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  14. この発明は、警報対象の異常時の警報信号に基づいて対処処理の出力信号を制御する制御装置及び制御方法並びにそのプログラムに関するものである。従来、化学製品製造工場などで設置される警報システムでは、PLC(Programmable Logic Controller)と呼ばれるシーケンサーを用いて各種警報センサからの出力に基づく対処処理を制御している。しかしながら、上述の警報...

    制御装置及び制御方法並びにそのプログラム

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  15. 開放特許 切削方法

    本発明は、特にセラミックス基板に形成された複数の圧電素子等を個々のチップに分割する切削方法に関する。セラミックス基板は焼結によって歪みが生じてしまうため、焼結前に付けておいた切削ラインの基準となるパターン(目印)の位置がずれてしまい、シリコン基板のように1本の切削ラインをアライメントしてインデックス送りで切削を遂行する方法は馴染まない。前記パターンは通常セラミックス基...

    切削方法

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  16. 本発明は、ガス成分濃度測定方法及び装置に関し、詳しくは、ガスを構成する成分の濃度を迅速に、かつ、連続的に測定することが可能な方法及び装置に関する。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 ガス製造分野や半導体製造分野をはじめとする各種プロセスにおいて、気体又は液体の濃度管理を低コストかつリアルタイムで行う必要性が高まっている。例えば、気体分離装置においては、入口の...

    ガス成分濃度測定方法及び装置

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  17. 本発明は、ウエーハのダイシング方法に関する。従来、複数の半導体チップが形成されたウェーハはダイシングソーでストリート(切断線)に沿って賽の目に切削し、各チップに分割するようにしている。ダイシングソーは、例えば図6に示すように上下動するカセット載置領域Aの上にウェーハW(テープNを介してフレームFに固定)を複数枚収容したカセットCが載置され、搬出入手段Bによってカセット...

    ウエーハのダイシング方法

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  18. 本発明は、銅イオンとトリメシン酸類とから合成されるガス吸着剤の製造法に関するものである。〈ゼオライト、分子ふるい活性炭〉 PSA用の吸着剤として、従来、ゼオライトや分子ふるい活性炭が汎用されている。〈ベンゼントリカルボン酸の錯体〉 トリメシン酸を含むベンゼントリカルボン酸の金属錯体について、いくつかの研究がなされている。以下、本発明で用いる錯体に近い錯体につき記載のあ...

    ガス吸着剤の製造法

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  19. 本発明は、例えばIC等の回路が複数形成されている半導体ウエーハのような材料の裏面を研削砥石等を使用して研磨する際に、その回路面を保護するための保護部材、並びにその保護部材を用いた半導体ウエーハの研磨方法に関するものである。一般に、IC等の回路が表面側に複数形成されている半導体ウエーハは、チップ状に分割される前に、その裏面をグラインダー装置等により研磨される。この研磨に...

    半導体ウエーハの研磨方法

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  20. 本発明は、ランスあるいはバーナーの冷却ジャケット構造に関し、詳しくは、炉内に酸化剤を吹込むランスや、燃料を酸化剤で燃焼させるバーナーを高温雰囲気から保護するための冷却ジャケットの構造に関する。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 工業炉において使用される酸化剤吹込み用のランスや、火炎形成用のバーナーにおいては、炉内の高温雰囲気からランスやバーナーを保護するため...

    ランスあるいはバーナーの冷却ジャケット構造

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