開放特許一覧

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  1. この発明は、警報対象の異常時の警報信号に基づいて対処処理の出力信号を制御する制御装置及び制御方法並びにそのプログラムに関するものである。従来、化学製品製造工場などで設置される警報システムでは、PLC(Programmable Logic Controller)と呼ばれるシーケンサーを用いて各種警報センサからの出力に基づく対処処理を制御している。しかしながら、上述の警報...

    制御装置及び制御方法並びにそのプログラム

    • 2016/07/01 時点
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  2. 開放特許 切削方法

    本発明は、特にセラミックス基板に形成された複数の圧電素子等を個々のチップに分割する切削方法に関する。セラミックス基板は焼結によって歪みが生じてしまうため、焼結前に付けておいた切削ラインの基準となるパターン(目印)の位置がずれてしまい、シリコン基板のように1本の切削ラインをアライメントしてインデックス送りで切削を遂行する方法は馴染まない。前記パターンは通常セラミックス基...

    切削方法

    • 2016/07/01 時点
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  3. 本発明は、ガス成分濃度測定方法及び装置に関し、詳しくは、ガスを構成する成分の濃度を迅速に、かつ、連続的に測定することが可能な方法及び装置に関する。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 ガス製造分野や半導体製造分野をはじめとする各種プロセスにおいて、気体又は液体の濃度管理を低コストかつリアルタイムで行う必要性が高まっている。例えば、気体分離装置においては、入口の...

    ガス成分濃度測定方法及び装置

    • 2016/07/01 時点
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  4. 本発明は、ウエーハのダイシング方法に関する。従来、複数の半導体チップが形成されたウェーハはダイシングソーでストリート(切断線)に沿って賽の目に切削し、各チップに分割するようにしている。ダイシングソーは、例えば図6に示すように上下動するカセット載置領域Aの上にウェーハW(テープNを介してフレームFに固定)を複数枚収容したカセットCが載置され、搬出入手段Bによってカセット...

    ウエーハのダイシング方法

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  5. 本発明は、銅イオンとトリメシン酸類とから合成されるガス吸着剤の製造法に関するものである。〈ゼオライト、分子ふるい活性炭〉 PSA用の吸着剤として、従来、ゼオライトや分子ふるい活性炭が汎用されている。〈ベンゼントリカルボン酸の錯体〉 トリメシン酸を含むベンゼントリカルボン酸の金属錯体について、いくつかの研究がなされている。以下、本発明で用いる錯体に近い錯体につき記載のあ...

    ガス吸着剤の製造法

    • 2016/07/01 時点
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  6. 本発明は、例えばIC等の回路が複数形成されている半導体ウエーハのような材料の裏面を研削砥石等を使用して研磨する際に、その回路面を保護するための保護部材、並びにその保護部材を用いた半導体ウエーハの研磨方法に関するものである。一般に、IC等の回路が表面側に複数形成されている半導体ウエーハは、チップ状に分割される前に、その裏面をグラインダー装置等により研磨される。この研磨に...

    半導体ウエーハの研磨方法

    • 2016/07/01 時点
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  7. 本発明は、ランスあるいはバーナーの冷却ジャケット構造に関し、詳しくは、炉内に酸化剤を吹込むランスや、燃料を酸化剤で燃焼させるバーナーを高温雰囲気から保護するための冷却ジャケットの構造に関する。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 工業炉において使用される酸化剤吹込み用のランスや、火炎形成用のバーナーにおいては、炉内の高温雰囲気からランスやバーナーを保護するため...

    ランスあるいはバーナーの冷却ジャケット構造

    • 2016/07/01 時点
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  8. 開放特許 切削方法

    本発明は、半導体ウェーハ、フェライト等の被加工物を精密に切削することができる精密切削装置に関し、詳しくは、切削用の2つのブレードを対峙させて配設することにより、切削効率の向上を図った精密切削装置に関するものである。2つのブレードを備えた精密切削装置としては、例えば、特公平3−11601号公報に開示されたダイシング装置が従来例として周知である。このダイシング装置において...

    切削方法

    • 2016/07/01 時点
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  9. 本発明は、ガス中の微量不純物の分析方法及び装置に関し、詳しくは、各種高純度ガス中にppb〜サブppbレベルで存在する微量不純物を高感度,高精度で測定するための分析方法及び装置に関する。ガスクロマトグラフ(GC)の下流に大気圧イオン化質量分析計(APIMS)を配置したガスクロマトグラフ大気圧イオン化質量分析計を用いたガス分析では、通常、ガスクロマトグラフから流出するガス...

    ガス中の微量不純物の分析方法及び装置

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  10. 本発明は、高圧水を用いることなく高圧水と同等の洗浄能力を有する洗浄装置及びその洗浄装置が組み込まれた切削装置に関する。ダイシング装置等の切削装置によって半導体ウェーハ等の被加工物を切削すると、コンタミが表面に付着して被加工物を汚染する問題がある。この問題を解決する手段として、従来例えば図5のように切削ブレード1が配設された切削手段2に隣接して高圧水を噴射するノズル3を...

    洗浄装置及び切削装置

    • 2016/07/01 時点
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  11. 本発明は、低温破砕装置における被破砕物の冷却方法及び装置に関し、詳しくは、大型廃棄物の処理や有価物の回収を容易に行うための低温破砕装置において、前記廃棄物等の被破砕物を脆化温度以下に冷却するための方法に関する。大型廃棄物を粉砕処理したり、廃棄物中の有価物を回収したりする際に、これらの廃棄物を脆化温度以下に冷却してから破砕する、いわゆる低温破砕が有効であることが知られて...

    低温破砕装置における被破砕物の冷却方法

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