開放特許一覧

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  1. 本発明は重水素化メタクリル酸メチルの製造方法に関するものである。重水素化メタクリル酸メチルは低伝送損失のプラスチック光ファイバーや光導波路材料の原料として期待されている化合物である。プラスチック光ファイバーは大容量通信網が各家庭、オフィスに敷設される際に欠くことのできない材料であり、石英系光ファイバーの有する低損失、広帯域と、銅線の有する取り扱いの容易さを兼ね備えた機...

    • 2016/07/01 時点
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  2. 本発明は、プロセスチャンバー内のクリーニング方法に関し、詳しくは、CVD装置等のプロセスチャンバー内に付着したシリコン系不純物を除去するプロセスチャンバー内のクリーニング方法に関する。半導体デバイスの加工装置、表面改質装置、薄膜生成装置等では、プロセスチャンバー内に付着したシリコン系不純物を除去するため、NF3やフルオロカーボンガスをプロセスチャンバー内に導入して高周...

    プロセスチャンバー内のクリーニング方法

    • 2016/07/01 時点
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  3. 本発明は、ガス中の微量不純物の分析方法及び分析装置に関する。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 ガス中の微量不純物を分析する方法及び装置は、例えば半導体の製造分野で用いられている。半導体の製造分野では、デバイスの製造プロセスに多くの気相工程が用いられる。かかる気相工程中で用いられる高純度バルクガス中に、微量のガス不純物が存在すると、デバイス性能に悪影響を及ぼ...

    ガス中の微量不純物の分析方法及び分析装置

    • 2016/07/01 時点
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  4. 本発明は高い重水素含有率を持つ重水素化メタクリル酸メチルの製造方法に関するものである。重水素化メタクリル酸メチルは低伝送損失のプラスチック光ファイバーや光導波路材料の原料として期待されている化合物である。プラスチック光ファイバーは大容量通信網が各家庭、オフィスに敷設される際に欠くことのできない材料であり、石英系光ファイバーの有する低損失、広帯域と、銅線の有する取り扱い...

    • 2016/07/01 時点
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  5. 本発明は、濃縮分析装置及び方法に関し、特に、モノシラン中に極微量に含まれている不純物としてのアルシンを高感度に分析することができる装置及び方法に関する。各種ガス中に微量に含まれる不純物を高感度に分析する方法として、所定量の試料ガスをキャリヤーガスに同伴させてプレカラムに導入して主成分と被分析成分とに分離し、分離した被分析成分だけをキャリヤーガスに同伴させて濃縮管に導入...

    濃縮分析装置及び方法

    • 2016/07/01 時点
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  6. 開放特許 受光センサ

    この発明は、例えば、TV(テレビジョン受像機)、VTR(ビデオテープレコーダ)等の各種電子機器に用いられ、リモコン制御信号光を受信するためなどに使用される受光センサに関する。従来、リモコン用の受光センサとしては、特開平9−84162号公報(特許文献1)に記載されたものがある。この受光センサは、リードフレーム上に、受光チップ、制御用ICチップ、チップ抵抗およびチップコン...

    受光センサ

    • 2016/07/01 時点
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  7. 本発明は、液体燃料用バーナーに関し、詳しくは、酸素を含む支燃性ガスと液体燃料とを混合して燃焼させる液体燃料用バーナーにおいて、液体燃料を効果的に微粒化させて燃焼させることができる構造を備えた液体燃料用バーナーに関する。従来から、鉄屑等の被加熱物を加熱するための気体燃料用バーナーとして、一次酸素を供給する酸素ガス供給管の外周に燃料ガス供給路を設け、さらにその外周に二次酸...

    液体燃料用バーナー

    • 2016/07/01 時点
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  8. 開放特許 ガス分離方法

    本発明は、ガス分離方法に関し、詳しくは、圧力変動吸着式ガス分離法により、ガス混合物中の易吸着ガスを吸着剤に選択的に吸着させて難吸着ガスを分離する方法に関するものであって、特に、空気から酸素を分離製造する方法に適したガス分離方法に関するものである。【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】 圧力変動吸着式ガス分離方法(以後PSA法という)において、空気中の酸素と窒素と...

    ガス分離方法

    • 2016/07/01 時点
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  9. 本発明は、半導体ウェーハ等を位置合わせするための物体位置合わせテーブルに関する。半導体ウェーハ等の水に浮く物体を、水の表面張力を利用して所定の位置に位置合わせするようにした技術が公知である(例えば、特公昭60−22500号公報)。この公報の場合は、半導体ウェーハの表面を研磨加工する際に、回転テーブル上に設けられた吸着固定用の円形載台の中心に半導体ウェーハの中心を合わせ...

    物体位置合わせテーブル

    • 2016/07/01 時点
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  10. 本発明は、半導体ウェーハ等の板状物の支持に用いる板状物支持部材及びその使用方法に関する。IC、LSI等の回路が表面に複数形成された半導体ウェーハW1は、図11に示すように、表面に回路保護用の保護テープTが貼着された状態で保護テープTを下にしてチャックテーブル70に保持され、回転する研削砥石71の作用を受けて裏面が研削され、所定の厚さに形成される。特に最近は携帯電話機、...

    板状物支持部材及びその使用方法

    • 2016/07/01 時点
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  11. 本発明は、被加工物を保持する複数個のチャックテーブルを備えた研削装置に関する。当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハを所定の厚さに形成するために、半導体ウエーハの表面を研削している。このような半導体ウエーハの表面を研削する表面研削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持する複数個のチャックテーブルと、該複数個のチャック...

    研削装置における研削ユニットの原点位置セットアップ方法

    • 2016/07/01 時点
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  12. 本発明は、例えば、半導体ウェーハをダイシングするダイシング装置等の加工装置に取り付けて使用されるものであり、該加工装置には作業領域(加工領域)と作業者との間を仕切る蓋体が設けられており、該蓋体が開状態の時は作業者の安全のために作業領域の稼働を停止させ、閉状態の時にのみ作業領域を稼働状態にする加工装置のキースイッチに関するものである。一般に、この種の蓋体が設けられている...

    加工装置のキースイッチ

    • 2016/07/01 時点
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  13. 本発明は、半導体ウェーハのスピン洗浄・乾燥方法に関する。一般に半導体ウェーハの加工の一環として、研削装置によって半導体ウェーハを研削した後、この研削装置に組み込まれたスピン洗浄・乾燥手段により洗浄及び乾燥する工程が行われている。研削装置は、従来例えば図2に示すようにカセット1内に収容された半導体ウェーハWが、搬出入手段2によって搬出されると共に待機領域3まで搬送され、...

    スピン洗浄・乾燥方法

    • 2016/07/01 時点
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  14. 本発明は、半導体ウェーハを支持基板に固定した状態で研削する研削装置及び研削方法に関する。集積回路が表面に複数形成された半導体ウェーハは、ダイシングによって個々のチップに分割される前に、放熱性を向上させるために、または、各種電子機器の小型化、薄型化のために、その裏面を所定量研削することにより所定の厚さに形成される。この研削は、研削砥石による研削量を精密に制御することがで...

    研削装置及び半導体ウェーハの研削方法

    • 2016/07/01 時点
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  15. 本発明は吸着剤、空気清浄装置および濃度センサに関し、特に吸着性能に優れた吸着剤、この吸着剤を用いた空気清浄装置および濃度センサに関する。近年では、工場やクリーンルームなどで工業的に発生する悪臭、汚染物質または有害化学物質などによる従来からの環境汚染の問題に加えて、最近のアメニティ志向の高まりに伴い、一般生活空間、たとえば室内や自動車内などにおける悪臭、有害化学物質、花...

    吸着剤、空気清浄装置および濃度センサ

    • 2016/07/01 時点
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  16. 開放特許 ダイシング装置

    本発明は、被加工物の形状、位置等を的確に把握することができるダイシング装置に関するものであり、詳しくは、被加工物とその周囲の色相との相違に基づいて、被加工物の形状を認識できるようにしたダイシング装置に係るものである。例えば、ダイシング装置において被加工物である半導体ウェーハを切削するときは、切削位置のアライメントを行うことが必要であるが、このアライメントを行う前に、切...

    ダイシング装置

    • 2016/07/01 時点
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  17. 本発明は、セラミックスチップコンデンサーシートを個々のチップコンデンサーに分割する分割方法に関する。セラミックスチップコンデンサーシートは、セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極層とを交互に積層し、最上位層にセラミック層を積層して構成されている。このセラミックスチップコンデンサーシートの構造について、図5および図6...

    セラミックスチップコンデンサーシートの分割方法

    • 2016/07/01 時点
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  18. 本発明は、各種基板(例えば、半導体ウエハ,電子デバイスの基板,液晶基板,フォトマスク,ガラス基板等)に付着する微細な汚染物質(基板の汚染源となる微粒子等であり、以下「パーティクル」という)を洗浄,除去する場合等に好適に使用できる洗浄材の製造方法及び製造装置並びにこれを使用した洗浄システムに関するものである。例えば、半導体ウエハ等の基板の洗浄は、一般に、100〜300μ...

    洗浄材製造方法及びその製造装置並びにこれを使用する洗浄システム

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  19. 本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を格子状に分割するダイシング装置や半導体ウエーハ等の被加工物を研削する研削装置等の加工装置に装備される被加工物の保持装置に関する。例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状の板状物である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された多数の領域にIC、LSI等の回路を形成し、該回路が形成された各領域をストリートと呼ばれる切断ライン...

    被加工物の保持装置

    • 2016/07/01 時点
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  20. 開放特許 吸着固定装置

    本発明は、吸気作用によって被固定物を載置台の上面に吸着固定するための吸着固定装置に関する。例えば集積回路を印設したシリコンウエハに研磨加工や切断加工等の機械加工を施したり、精密な測定をする場合等において、シリコンウエハを固定する方式として、吸気作用によってシリコンウエハを吸着固定するチャックテーブルとして吸着固定装置が一般に用いられている。この種の吸着固定装置は、上方...

    吸着固定装置

    • 2016/07/01 時点
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