大陽日酸株式会社の開放特許一覧

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  1. 本発明は、精製槽内に貯蔵された、主成分の液化ガスより易揮発性の不純物成分を1成分以上含む原料液化ガスを精製し、精製された液化ガスを供給先に供給する、精製液化ガスの供給方法に関する。一般的に半導体製造プロセス等に用いられる液化ガスとしては、例えば純度99.999(vol%)以上の高純度が要求されるが、従来、液化ガスを高純度化するための精製には液化ガス製造工場において多段...

    精製液化ガスの供給方法

    • 2016/07/01 時点
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  2. 本発明は、絶縁膜のダメージ回復方法及びダメージが回復された絶縁膜の改良に関するものである。半導体装置の層間絶縁膜などの絶縁膜としては、長年、誘電率が3.9から4.0のSiO2(二酸化珪素)膜が用いられてきたが、近年微細化が進み、高速化・高性能化が要求されるに及び、誘電率が3.0以下の膜が必要となり、炭化水素を有機基として導入した誘電率2.8のSiOCH系の低誘電率膜が...

    絶縁膜のダメージ回復方法及びダメージが回復された絶縁膜

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  3. 開放特許 流体供給設備

    この発明は、窒素、アルゴンなどのガスを流体供給元から屋外を経由して屋内の流体消費設備に配管を介して供給するための流体供給設備に関し、屋内にある配管の表面での結露を簡便に防止できるようにしたものである。半導体装置製造工場、液晶表示機器製造工場などでは、大量の窒素、アルゴン、乾燥空気などのガスが使用されている。このようなガスの供給方法としては、工場敷地内に設置された大型の...

    流体供給設備

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  4. 本発明は、窒素の安定同位体15Nの濃縮方法に関し、詳しくは、窒素(N2)の低温蒸留と同位体スクランブリングを組み合わせることによって窒素の安定同位体15Nを高濃度に濃縮方法に関する。窒素の安定同位体には14Nと15Nとの二種類があり、自然界では前者が99.635atom%、後者が0.365atom%を占める。本発明における窒素同位体重成分とは15Nを指す。大気中の窒素...

    窒素同位体濃縮方法

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  5. 電機・電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限に関し、2006年に欧州でRoHS指令(Restriction of the use Of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment)が施行された。本発明は、RoHS指令で電気電子機器への含有量を規制されて...

    臭素を含む高分子化合物の分析方法

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  6. 本発明は、固体原料供給方法及び装置に関し、詳しくは、常温以上の温度で蒸気圧を有する固体粉末原料を常温でガス状の搬送ガスに同伴させて一定濃度で反応チャンバー等の供給先に供給する固体原料供給方法及び装置に関する。半導体製造工場等において、固体原料を反応チャンバー等に定量的かつ定常的に供給することは、重要な要素技術の一つである。また、この要素技術は、微量有害物質分析のための...

    固体原料供給方法及び装置

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  7. 本発明は、酸素又は酸素混合ガス等の高圧ガスを充填容器に供給する供給設備において、高圧側ラインと低圧側ラインとを仕切る開閉弁を介して、高圧側ラインから低圧側ライン末端の充填容器に高圧ガスを供給、充填する高圧ガスを供給する方法に関する。一般的に酸素又は酸素混合ガス充填工場では、液化ガス貯槽内の液化ガスを圧縮機で昇圧したのち、蒸発器で気化させた高圧ガスを、開閉弁等の複数の弁...

    高圧ガス供給方法

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  8. 本発明は、地震の発生に応じてガスの供給を遮断する地震信号処理装置および地震信号処理方法に関する。従来、例えば半導体工場などの工場では、色々な種類のガスが使用されており、地震の発生を検知すると、このようなガスが充填されたボンベの遮断弁を閉じて、ガス流路を遮断するよう制御する技術が提案されている。例えば、特許文献1には、地震計装置が地震を検知すると、電気信号によりガス流路...

    地震信号処理装置および地震信号処理方法

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  9. 開放特許 ガス分析装置

    この発明は、例えば半導体製造装置などの電子デバイス製造装置から排出される排ガスなどのガス中に含まれるフッ素ガスの濃度を測定する装置に関し、被測定ガス中に含まれる妨害成分の影響を排除して、正確にかつ簡便にフッ素ガス濃度が求められるようにしたものである。電子デバイス製造装置では、多種多様な危険性物質や地球温暖化物質が消費される。これらの排出については、「特定化学物質の環境...

    ガス分析装置

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  10. 開放特許 排ガス処理方法

    本発明は、半導体製造装置から排出される排ガスに含まれる有害ガス成分を除去する排ガス処理装置に関するものである。近年、地球温暖化を抑止するため、温暖化係数の高いPFCs(パーフルオロコンパウンズ)の排出規制が強化されており、希釈による相対濃度低減ではなく、絶対量削減すなわち総量規制が必須となっている。半導体製造装置から排出される排ガスには、Ar、Kr、Xe、He、N2な...

    排ガス処理方法

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  11. この発明は、プラズマ成膜装置のクリーニング方法に関し、ケイ素を含有する成膜用ガスを用いて薄膜を形成した後、フッ素を含有するガスをプラズマ化してクリーニングする方法に関するものである。電子デバイス製造プロセスでは、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜といった絶縁膜を形成する工程が多数存在する。これら絶縁膜を形成する方法として、プラズマCVD法(PECVD)が多く用いられている...

    プラズマ成膜装置のクリーニング方法

    • 2016/07/01 時点
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  12. 本発明は、LSIなどの半導体装置の多層配線構造で用いられる層間絶縁膜の処理方法に関し、特にエッチング処理・アッシング処理、その他のプラズマ処理によって膜にもたらされる電気的特性及び膜構造の劣化(ダメージ)をプラズマ処理前の状態に復帰させる絶縁膜のダメージ回復処理方法に関する。本願は、2006年11月29日に、日本に出願された特願2006−321603号および2006年...

    絶縁膜のダメージ回復方法

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  13. 本発明は、LSIなどの半導体装置での多層配線構造で用いられる層間絶縁膜の処理方法に関し、特にエッチング処理・アッシング処理、その他のプラズマ処理によって膜にもたらされる電気的特性及び膜構造の劣化(ダメージ)をプラズマ処理前の状態に復帰させる絶縁膜のダメージ回復処理方法に関する。半導体装置の層間絶縁膜などの絶縁膜としては、長年、誘電率が3.9から4.0のSiO2(二酸化...

    絶縁膜のダメージ回復処理方法

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  14. 本発明は、ホウ素系ガス中の金属不純物の除去方法に関し、詳しくは、半導体分野で使用されているホウ素系ガス中の金属不純物、特に鉄系不純物の除去方法に関する。半導体プロセスにおいては、使用するガス中の不純物がデバイスの性能や歩留まりに悪影響を及ぼすため、デバイスの高集積化の進行に伴い、ガス中の不純物濃度は、ppbあるいはpptオーダー以下の超高純度ガスの需要が増加している。...

    ホウ素系ガス中の金属不純物の除去方法

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  15. 本発明は、精製対象ガスである高純度ガス中に含まれる窒素、一酸化二窒素、一酸化窒素、二酸化窒素、メタン、水素、酸素、一酸化炭素、キセノン等の微量不純物ガスを吸着除去して超高純度のガスを得るためのCu−ZSM5ゼオライト成形吸着剤及びその活性化方法、並びにそのCu−ZSM5ゼオライト成形吸着剤を使用したガス精製方法および温度変動型吸着装置に関する。本願は、2005年9月9...

    Cu−ZSM5ゼオライト成形吸着剤、その活性化方法、温度変動型吸着装置、及びガス精製方法

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  16. この発明は、LSIなどの半導体装置の層間絶縁膜などに用いられる絶縁膜がプラズマ処理によってダメージを受けた際に、このダメージを回復させる方法に関する。最近、半導体装置の層間絶縁膜などの絶縁膜にあっては、誘電率が4以下の低誘電率絶縁膜が用いられるようになってきている。このような低誘電率絶縁膜として、多孔質のSiOCHなどのシロキサン系材料および有機材料からなるものがあり...

    絶縁膜のダメージ回復方法および回復剤

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  17. 本発明は、フッ素ガス測定方法及び装置に関し、詳しくは、プラズマCVD装置や除害装置からの排ガス等に含まれるフッ素ガス濃度を測定するためのフッ素ガス測定方法及び装置に関する。各種ガス中に含まれるフッ素ガスの濃度をリアルタイムに測定することが可能なフッ素ガス濃度計として、特定の物質、例えば有機物とフッ素ガスとの選択的発光反応を利用したフッ素ガス濃度計が市販されている。この...

    フッ素ガス測定方法及び装置

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  18. 本発明は、焼結体の製造方法に関し、詳しくは、高密度で高品質の焼結体を製造する方法に関する。一般に、焼結体の製造方法は、所定の粒度に粉砕した金属粉末やセラミック粉末等の原料粉末とバインダー等の添加剤とを混合する混合工程と、該混合工程終了後の原料粉末を金型に充填して加圧成形する加圧成形工程と、該加圧成形工程終了後の原料粉末の成形体を焼結する焼結工程とを有している。焼結体は...

    焼結体の製造方法

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  19. 本発明は、一酸化炭素の精製方法に関し、詳しくは、半導体製造工程におけるエッチング用として使用される一酸化炭素を精製する方法であって、特に、金属カルボニル化合物を除去する方法に関する。一酸化炭素は、金属の精錬を始めとして様々な産業で使用され、最近では、特に高純度な一酸化炭素が半導体製造工程におけるエッチング用として使用されるようになっている。一酸化炭素は、金属に対して反...

    一酸化炭素の精製方法

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  20. 本発明は、フッ素ガス測定方法及び装置に関し、詳しくは、除害装置の排ガス等に含まれる微量のフッ素ガス濃度を測定するためのフッ素ガス測定方法及び装置に関する。各種ガス中に含まれるフッ素ガスの濃度をリアルタイムに計測することが可能なフッ素ガス濃度計として、特定の物質、例えば有機物とフッ素ガスとの選択的発光反応を利用したフッ素ガス濃度計が市販されている。このフッ素ガス濃度計は...

    フッ素ガス測定方法及び装置

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