パッシベーション膜 の意味・用法を知る

複合 パッシベーション膜 （６）は、負の固定電荷を有する第１のパッシベーション膜（１４）と、第１のパッシベーション膜（１４）を保護する保護膜（１５）とを含む。

• 公開日：2018/04/19
• 出典：光電変換素子
• 出願人：シャープ株式会社

結晶系シリコン太陽電池において、 パッシベーション膜 に対して太陽電池特性に影響を与えるような悪影響を及ぼさずに、パッシベーション膜に対して高い接着強度を有するバスバー電極を形成するための、導電性ペーストを提供する。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：導電性ペースト及び太陽電池
• 出願人：ナミックス株式会社

パッシベーション膜 １６は、ゲート電極１５およびソース電極１７へのコンタクトホール部分を除いて、素子上面全体を覆っている。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：豊田合成株式会社

画素回路領域および周辺回路領域を構成する半導体層と、前記半導体層の上方に配され、画素回路領域から周辺回路領域に渡って延在する パッシベーション膜 と、周辺回路領域においてパッシベーション膜よりも半導体層の近くに配された部材と、半導体層とパッシベーション膜との間に配された複数の配線と、を備える構造体を用意する工程と、構造体に熱処理を施す工程と、を有し、 パッシベーション膜および部材の少なくとも一方には水素が含まれており、周辺回路領域においてパッシベーション膜は、半導体層の主面に垂直な方向で、複数の配線のうちでパッシベーション膜に最も近い配線に重なる部分を有しており、周辺回路領域においてパッシベ...

• 公開日：2016/12/22
• 出典：撮像装置の製造方法および撮像装置
• 出願人：キヤノン株式会社

第１主面と該第１主面とは反対側に位置する第２主面とを有し、前記第１主面にｎ型半導体領域が配置され、前記第２主面にｐ型半導体領域が配置された半導体基板を備えた太陽電池素子であって、前記半導体基板の前記第１主面側において、前記ｎ型半導体領域の上に配置された正の固定電荷を有する反射防止膜と、該反射防止膜の上に配置された負の固定電荷を有する第１ パッシベーション膜 と、を備えている太陽電池素子とする。

• 公開日：2016/01/14
• 出典：太陽電池素子および太陽電池モジュール
• 出願人：京セラ株式会社

カプセル膜は第１の パッシベーション膜 の上にある。

• 公開日：2013/07/04
• 出典：半導体装置
• 出願人：パワーインテグレーションズ、インコーポレイテッド

パッシベーション膜 の膜厚は１０ｎｍ以上である。

• 公開日：2017/04/13
• 出典：窒化物半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ローム株式会社

太陽電池１００は、半導体基板１１０と、半導体基板１１０の前面上に位置する第１ パッシベーション膜 ５２と、半導体基板１１０の後面上に位置する第２パッシベーション膜５４と、半導体基板１１０の前面側の第１パッシベーション膜５２上に位置し、半導体基板１１０と同一の導電型を有する前面電界領域２０と、半導体基板１１０の後面側の前記第２パッシベーション膜５４上に位置し、半導体基板１１０と反対の導電型を有するエミッタ領域３０と、前面電界領域２０に電気的に連結される第１電極４２と、エミッタ領域３０に電気的に連結される第２電極４４を含む。

• 公開日：2017/06/22
• 出典：太陽電池の製造方法
• 出願人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド

パッシベーション膜 が配線層膜より薄く、ボンディング時のストレス耐性の高い半導体装置を提供する。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

保護膜７０は、 パッシベーション膜 であり、例えばＳｉＯ２膜である。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：窒化ガリウム半導体装置及び窒化ガリウム半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社