バル の意味・用法を知る
バル とは、化合物または医薬の治療活性 や車両用車体構造 などの分野において活用されるキーワードであり、ソニー株式会社 や日産自動車株式会社 などが関連する技術を110,385件開発しています。
このページでは、 バル を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
バルの意味・用法
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産出物支援貯蔵船は、海底から鉱石を受け取り、処理し、 バル ク貯蔵庫に貯蔵する設備である。
- 公開日：2016/01/21
- 出典：産出物支援貯蔵船および海底から採集される物質の処理方法
- 出願人：ノーチラス・ミネラルズ・パシフイツク・プロプライエタリー・リミテツド
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３層以上から成る多層抄きされた白板紙であって、 バル クが３．０〜３．８ｃｍ３／ｇであるＬＢＣＴＭＰを、中層のみに、中層の全パルプ原料に対して１０〜５０重量％配合して、表層と中層と裏層を抄合わせたことを特徴とする。
- 公開日：2017/03/02
- 出典：白板紙およびその製造方法
- 出願人：日本製紙株式会社
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本発明は、 バル ク顔料に、ＤＰＰ構造のそのうちの一方側のベンゼン環上の２つのメタ位のうちの１つ又は２つ、或いは、２つのメタ位及びパラ位がすべて長鏈のアルキル基、アルコキシ基又はアルキルチオ基で置換された誘導体を加入することで、バルク顔料のプラスチックにおける抗反りプロパティを大幅に向上させることができる。
- 公開日：2018/01/18
- 出典：プラスチックにおいて抗反りプロパティを有する顔料組成物
- 出願人：先尼科化工（上海）有限公司
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その後、該合成されたままの状態のＳｉＣを昇華させて蒸気を生成させ、該蒸気を該 バル ク炭素内へと移動させ、該バルク炭素上に凝結させ、該バルク炭素と反応させて、多結晶ＳｉＣ材料を形成させるように、該合成されたままの状態のＳｉＣ及び前記バルク炭素を加熱する。
- 公開日：2016/09/29
- 出典：超高純度炭化ケイ素の合成方法
- 出願人：トゥー‐シックス・インコーポレイテッド
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次に、多軸ステージ１００を集束イオンビームシステムから移動させることを必要とせずに、ラメラを バル クステージ１１０からグリッドステージ１５０に移転し得る。
- 公開日：2014/08/25
- 出典：試料調製ステージ
- 出願人：エフイーアイカンパニー
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また、流体を配送する方法も開示しており、 バル クキャニスターから真空を用いて流体を引き込み、移送容器を加圧することで処理キャニスターへの流体の配給を実現し、使用場所まで配送できるようにする。
- 公開日：2015/04/09
- 出典：流体を配送するシステムおよび方法
- 出願人：エンテグリース，インコーポレイテッド
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得られたリチウム化 バル ク二次元材料は、溶媒熱反応後に剥離されて、２次元層状材料を形成し得る。
- 公開日：2016/05/23
- 出典：二次元ナノ材料を形成するプロセス
- 出願人：トヨタモーターエンジニアリングアンドマニュファクチャリングノースアメリカ，インコーポレイティド
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行動分析部６０は、通信品質および バル ク状況の分析結果に基づいて、通信ユーザの行動と当該ユーザの通信に関する体感品質とを関連付ける。
- 公開日：2015/11/05
- 出典：通信行動分析装置およびユーザ体感品質推定方法
- 出願人：ＫＤＤＩ株式会社
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バル クカーボンナノチューブ及び金属複合材は、複数のカーボンナノチューブを含むバルクカーボンナノチューブ材料層、及び前記バルクカーボンナノチューブ材料層にわたって適用される金属膜を含む。
- 公開日：2016/01/14
- 出典：バルクカーボンナノチューブ及び金属複合材並びに製造方法
- 出願人：ザ・ボーイング・カンパニー
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ユーザ単位で バル ク並行の状況を分析することで同時並行する通信行動を分析し、通信行動の態様と通信品質との関係を分析して対応関係を求めることにより、ユーザが満足する通信品質条件の推定を可能にする。
- 公開日：2016/01/18
- 出典：通信行動分析装置
- 出願人：ＫＤＤＩ株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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広域データ交換
- 目的・効果（観点００はフリーワード付与）
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- データ種別（観点００はフリーワード付与）
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- 構成要素（伝送路、端末を除く。フリーワード付与）
- 伝送路（観点００はフリーワード付与）
- 端末（観点００はフリーワード付与）
- 構成要素の細部（ＫＸが優先。フリーワード付与）
- 交換機の通話路系構成の細部（フリーワード付与）
- 伝送制御（観点００はフリーワード付与）
- 交換制御（観点００はフリーワード付与）
- トラヒック制御、リソース管理（フリーワード付与）
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