バル の意味・用法を知る
バル とは、化合物または医薬の治療活性 や車両用車体構造 などの分野において活用されるキーワードであり、ソニー株式会社 や日産自動車株式会社 などが関連する技術を9,456件開発しています。
このページでは、 バル を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
バルの意味・用法
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...て、複数の別個のファイバレーザ出力を提供し、それぞれの出力は、１つまたは複数のビーム特性によって異なる、複数のファイバレーザモジュールと、複数の出力ファイバであって、各々が、前記別個のファイバレーザ出力の１つを配送するように構成された複数の出力ファイバと、前記出力ファイバの各々が融合される面を有する バル ク光学系であって、前記バルク光学系が、前記別個のファイバレーザ出力を前記出力ファイバから受け取り、前記別個のファイバレーザ出力を互いから離間して出力するように構成されたバルク光学系と、を備えるマルチビーム出力ファイバレーザシステム。
- 登録日：2020/06/30
- 出典：マルチビームファイバレーザシステム
- 出願人：アイピージー・フォトニクス・コーポレイション
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本開示の実施形態は、一般に、 バル ク低誘電率層の上および上方に薄い保護低誘電率層を含む多層スタックを堆積する方法に関し、保護層は、その後のプラズマ処理ステップでのバルク低誘電率層へのプラズマ損傷を防止する。
- 登録日：2020/05/28
- 出典：プラズマ損傷保護のための多層誘電体スタック
- 出願人：アプライドマテリアルズ，インコーポレイティド
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不純物の濃度は、第１のＡｌＧａＮ層の格子定数を バル クＡｌＧａＮ結晶の格子定数と異なるものとする大きさであり、第１のＡｌＧａＮ層は、バルクＡｌＧａＮ結晶よりもバルクＧａＮ結晶に近い格子定数を有する。
- 公開日：2017/12/28
- 出典：窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法
- 出願人：住友電気工業株式会社
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前記表層部に存在する気孔のうち、気孔径が１０μｍ以上の気孔は、個数基準の分布における９０％累積気孔径が５０μｍ以下であり、前記 バル ク部に存在する気孔のうち、気孔径が１０μｍ以上の気孔は、９０％累積気孔径が２００μｍ以下である、多孔質体。
- 公開日：2017/01/05
- 出典：多孔質体及びその製造方法
- 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
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...）から得られたＳｉＯ2粒子の乾燥及びガラス化を行って合成石英ガラスを形成する工程と、を含み、プロセス工程（ｂ）の少なくとも１つの清浄化装置が、Ｂｒｕｎａｕｅｒ、Ｅｍｍｅｔｔ及びＴｅｌｌｅｒに準拠した測定により比表面積（ＢＥＴ表面）を決定したときに２〜４５０ｍ2／ｇの比表面積を有する多孔性シリカ粒子の バル クを含むことを特徴とする合成石英ガラスの製造方法。
- 登録日：2020/03/24
- 出典：清浄化装置を用いた合成石英ガラスの製造プロセス
- 出願人：ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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トンネルのスプリングラインの付近にライニングを形成する際に、型枠２の下端部に取り付けた支持部材７に支持させつつエア バル ク６を設置し、エアを供給してエアバルク６を膨張させることにより、型枠２の下端と吹付け材１の間の隙間の開口部をエアバルク６で閉塞させ、且つ開口部側の防水シート３をエアバルク６で吹付け材１に押し付けて密着させ、この状態で、吹付け材１と防水シート３の間に裏込め充填材４を充填する。
- 公開日：2017/12/21
- 出典：背面平滑型トンネルライニング工法
- 出願人：清水建設株式会社
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バチルスコアグランスＭＴＣＣ５８５６の生菌コロニー数を増加させる方法であって、トリゴネラフォエヌム−グラエクム（フェヌグリーク）種子繊維、リキウム バル バルム種子繊維、リヌムウシタティッシマム（アマ）種子繊維、ココスヌシフェラ（ココナッツ）繊維、ジンギベルオフィシナーレ（ショウガ）根茎繊維、エンブリカオフィシナリス（アムラ）果実繊維、プランタゴオバタ（オオバコ）繊維、およびウァッキニウムオキシコッコス（クランベリー）種子繊維からなる群から選択された天然植物繊維の存在下で、バチルスコアグランスＭＴＣＣ５８５６を増殖させるステップを含む、方法。
- 登録日：2019/12/13
- 出典：乳酸菌の生菌数を増加させる方法およびその有用な組成物
- 出願人：マジード，ムハンメド
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以下は、ＤＬＥエンジン内の バル ク火炎温度を調節するためのシステム及び方法に関連する種々の例示的な実施形態の詳細な説明を提供する
- 登録日：2019/11/08
- 出典：乾式低排出エンジン用のバルク火炎温度調節器
- 出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
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ポール部材２２の径方向の内側端面２２３が、土台部２１と バル ク芯材４との境界部Ｂに位置合わせされた状態で、ポール部材２２が土台部２１に固定されている。
- 公開日：2017/02/23
- 出典：アキシャルギャップ型回転電機
- 出願人：株式会社神戸製鋼所
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なぜなら、Ｃ面ＧａＮテンプレート上にＨＶＰＥ法で安定的に成長させ得る、低転位密度の バル クＧａＮ結晶の厚さはｍｍオーダーだからである。
- 公開日：2017/01/26
- 出典：ＧａＮ基板
- 出願人：三菱レイヨン株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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広域データ交換
- 目的・効果（観点００はフリーワード付与）
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- 交換制御（観点００はフリーワード付与）
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