バル の意味・用法を知る
バル とは、化合物または医薬の治療活性 や車両用車体構造 などの分野において活用されるキーワードであり、ソニー株式会社 や日産自動車株式会社 などが関連する技術を110,385件開発しています。
このページでは、 バル を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
バルの意味・用法
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産出物支援貯蔵船は、海底から鉱石を受け取り、処理し、 バル ク貯蔵庫に貯蔵する設備である。
- 公開日:2016/01/21
- 出典:産出物支援貯蔵船および海底から採集される物質の処理方法
- 出願人:ノーチラス・ミネラルズ・パシフイツク・プロプライエタリー・リミテツド
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3層以上から成る多層抄きされた白板紙であって、 バル クが3.0〜3.8cm3/gであるLBCTMPを、中層のみに、中層の全パルプ原料に対して10〜50重量%配合して、表層と中層と裏層を抄合わせたことを特徴とする。
- 公開日:2017/03/02
- 出典:白板紙およびその製造方法
- 出願人:日本製紙株式会社
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本発明は、 バル ク顔料に、DPP構造のそのうちの一方側のベンゼン環上の2つのメタ位のうちの1つ又は2つ、或いは、2つのメタ位及びパラ位がすべて長鏈のアルキル基、アルコキシ基又はアルキルチオ基で置換された誘導体を加入することで、バルク顔料のプラスチックにおける抗反りプロパティを大幅に向上させることができる。
- 公開日:2018/01/18
- 出典:プラスチックにおいて抗反りプロパティを有する顔料組成物
- 出願人:先尼科化工(上海)有限公司
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その後、該合成されたままの状態のSiCを昇華させて蒸気を生成させ、該蒸気を該 バル ク炭素内へと移動させ、該バルク炭素上に凝結させ、該バルク炭素と反応させて、多結晶SiC材料を形成させるように、該合成されたままの状態のSiC及び前記バルク炭素を加熱する。
- 公開日:2016/09/29
- 出典:超高純度炭化ケイ素の合成方法
- 出願人:トゥー‐シックス・インコーポレイテッド
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次に、多軸ステージ100を集束イオンビームシステムから移動させることを必要とせずに、ラメラを バル クステージ110からグリッドステージ150に移転し得る。
- 公開日:2014/08/25
- 出典:試料調製ステージ
- 出願人:エフイーアイカンパニー
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また、流体を配送する方法も開示しており、 バル クキャニスターから真空を用いて流体を引き込み、移送容器を加圧することで処理キャニスターへの流体の配給を実現し、使用場所まで配送できるようにする。
- 公開日:2015/04/09
- 出典:流体を配送するシステムおよび方法
- 出願人:エンテグリース,インコーポレイテッド
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得られたリチウム化 バル ク二次元材料は、溶媒熱反応後に剥離されて、2次元層状材料を形成し得る。
- 公開日:2016/05/23
- 出典:二次元ナノ材料を形成するプロセス
- 出願人:トヨタモーターエンジニアリングアンドマニュファクチャリングノースアメリカ,インコーポレイティド
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行動分析部60は、通信品質および バル ク状況の分析結果に基づいて、通信ユーザの行動と当該ユーザの通信に関する体感品質とを関連付ける。
- 公開日:2015/11/05
- 出典:通信行動分析装置およびユーザ体感品質推定方法
- 出願人:KDDI株式会社
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バル クカーボンナノチューブ及び金属複合材は、複数のカーボンナノチューブを含むバルクカーボンナノチューブ材料層、及び前記バルクカーボンナノチューブ材料層にわたって適用される金属膜を含む。
- 公開日:2016/01/14
- 出典:バルクカーボンナノチューブ及び金属複合材並びに製造方法
- 出願人:ザ・ボーイング・カンパニー
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ユーザ単位で バル ク並行の状況を分析することで同時並行する通信行動を分析し、通信行動の態様と通信品質との関係を分析して対応関係を求めることにより、ユーザが満足する通信品質条件の推定を可能にする。
- 公開日:2016/01/18
- 出典:通信行動分析装置
- 出願人:KDDI株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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広域データ交換
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