バイポーラ の意味・用法を知る

なおも図３ａ−図３ｂ、図４ａ−図４ｂ、図５ａ−図５ｂ及び図６−図８を参照して、様々な実施形態において、ペダルコントローラ９０は、オプションとして、 バイポーラ 生成器６０を選択的に作動させる追加の方法を提供する

• 登録日：2020/04/02
• 出典：バイポーラ電気外科アクチュエータ
• 出願人：ビパッド，エルエルシー

一態様では、アノテーションは、 バイポーラ 電位図における活動と相関しない候補を排除することによって、活動窓内の差別化されたユニポーラ電位図における最小値候補から選択される。

• 公開日：2015/08/03
• 出典：活性化波面のバイポーラ／ユニポーラハイブリッド検出
• 出願人：バイオセンス・ウエブスター・（イスラエル）・リミテッド

本発明によれば、各不透過性の壁は、直接的結合、該 バイポーラ 集電装置のビードとその隣接集電装置のビードとの間の陽極結合、および該バイポーラ集電装置のビード上に堆積された金属または共融金属合金製の層と、該隣接集電装置のビード上に堆積された金属または共融金属合金製の層との間の共融結合から選択される技術によって得られる。

• 公開日：2015/09/17
• 出典：改善されたシールを有するバイポーラＬｉ－イオンバッテリーおよび関連する製造方法
• 出願人：コミッサリアタレネルジーアトミクエオエネルジーオルタネイティヴ

バイポーラ ＰＮＰトランジスタ（１０２）およびｎチャネルＩＧＦＥＴ（１０１）を備えたラテラルｎチャネルＩＧＢＴトランジスタ（１００）であって、半導体基板（１１５）と、前記半導体基板に埋め込まれ、前記バイポーラＰＮＰトランジスタおよび前記ＩＧＦＥＴのドレイン層（１３６ａ）の少なくとも一部分を少なくともカバーしている絶縁層（１２０）と、を備え、前記バイポーラＰＮＰトランジスタ（１０２）は、絶縁層（１２０）の一部分上に配置され、前記半導体基板（１１５）の上面に延在して、前記バイポーラＰＮＰトランジスタのコレクタを形成するｐ型コレクタ層（１２５ｂ）と、前記ｐ型コレクタ層（１２５ｂ）内に配置され、前記半導...

• 登録日：2018/08/24
• 出典：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ増幅回路
• 出願人：ケー．エクランドイノベーション

このような バイポーラ 電池において、バイポーラ集電体は、その対向する面の各々に、２つの逆符号の電極材料、すなわち、その面の一方によって支持されるカソード（正極）及びその対向する面の他方によって支持されるアノード（負極）の１つを支持する。

• 公開日：2015/11/26
• 出典：組み込み型シーリング手段を有する集電体、このような集電体を含むバイポーラ電池及びこのような電池の製造方法
• 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミークエオウゼネルジーアルテルナティブ

本方法は、第１及び第２のユニポーラ信号から バイポーラ 信号を生成することと、バイポーラ信号を解析して、第１及び第２の位置がバイポーラコンプレックスを生成する期間を記述することと、を更に含む。

• 公開日：2013/10/31
• 出典：心臓活動時間の検出
• 出願人：バイオセンス・ウエブスター・（イスラエル）・リミテッド

バイポーラ 括約筋切開刀に関し、ハンドルアセンブリの活性部分は第１の活性部材を含み、これは、把持部分がハンドルアセンブリのハンドルステムの構成要素の周りで動くときに、第２の活性部材と接触しかつその上を横切って摺動し得る。

• 公開日：2016/12/22
• 出典：バイポーラ電気外科装置用のハンドルアセンブリおよび電源コードアセンブリ
• 出願人：クック・メディカル・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

バイポーラ ・トランジスタでは、コレクタ層（３）は、ｎ型ＧａＡｓ層（３ａ）（Ｓｉ濃度：約５×１０15ｃｍ-3、膜厚：約３５０ｎｍ）、ｐ型ＧａＡｓ層（３ｂ）（Ｃ濃度：約４．５×１０15ｃｍ-3、膜厚：約１００ｎｍ、シート濃度：４．５×１０10ｃｍ-2）およびｎ型ＧａＡｓ層（３ｃ）Ｓｉ濃度：約５×１０15ｃｍ-3、膜厚：約５００ｎｍ）の三層の半導体層によって形成されている。ｐ型ＧａＡｓ層（３ｂ）のシート濃度は、１×１０11ｃｍ-2よりも低く設定されている。

• 公開日：2017/03/02
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社村田製作所

複数の導線（３０、３２、３４、３６、３８）をそれぞれが有するモノポーラおよび バイポーラ プラグ（２８、２６）であって、モノポーラ／バイポーラ組合せ電気手術デバイスを業界標準の電気手術発電機アウトレット（１０、１８）とともに使用することを可能にするモノポーラおよびバイポーラプラグ（２８、２６）を提供する電気手術器具接続システム。

• 公開日：2016/05/16
• 出典：ハンドスイッチの付いた電気手術用モノポーラ及びバイポーラ組合せデバイス
• 出願人：ジャイラスエーシーエムアイインク

絶縁ゲート・ バイポーラ ・トランジスタ・デバイス、半導体デバイス、および前記デバイスを形成するための方法を提供する。

• 公開日：2016/01/18
• 出典：絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ・デバイス、半導体デバイス、および前記デバイスを形成するための方法
• 出願人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー