pn接合 の意味・用法を知る

半導体素子３１は、図１、図３および図４に示すように、突出部１０１ａに形成された主面導電部２１のダイパッド２１２に、接合層３２を介して搭載されている。本実施形態においては、半導体素子３１は発光ダイオードであり、たとえばｐｎ接合により複数の半導体層が互いに積層された素子である。この場合において、半導体装置Ａ１０に電流が流れると、半導体素子３１は発光する。前記半導体層を構成する物質により、半導体素子３１は赤色光、青色光または緑色光などを発する。本実施形態による半導体素子３１は、図３および図４に示す半導体素子３１の上面にｐ側電極（アノード）およびｎ側電極（カソード）がそれぞれ形成されている。前記ｐ側電...

• 公開日：2017/04/27
• 出典：半導体装置
• 出願人：ローム株式会社

本発明は、基板上に形成された、入力光を２分岐する光カプラと、基板上に形成され、光の導波方向に沿ってｐｎ接合部を有し、光カプラから分岐光を導波する第１及び第２のアーム導波路と、基板上に形成され、前記第１のアーム導波からの光と第１のアーム導波路からの光を合波する光カプラとを備える光変調器であって、第１及び前記第２のアーム導波路の光の入力側は第１の位相変調領域であり、第１及び前記第２のアーム導波路の光の出力側は第２の位相変調領域であり、第１の位相変調領域における第１のアーム導波路と、第２の位相変調領域における第１のアーム導波路とは、ｐドープ領域とｎドープ領域とが反対の位置にあり、第１の位相変調領域に...

• 公開日：2017/06/22
• 出典：光変調器
• 出願人：東日本電信電話株式会社

スリップ及び転位の発生がなく、ドーパントの拡散を抑制し、更には、ｐｎ接合間のリーク電流を抑制することが可能な、ｐｎ接合シリコンウェーハの製造方法を提供する。

• 公開日：2017/09/21
• 出典：ｐｎ接合シリコンウェーハの製造方法
• 出願人：株式会社ＳＵＭＣＯ

マスクずれなどに起因するｐｎ接合位置のずれによって発生する位相変調時のチャープを抑制し、波形品質の良い、光変調器を提供する。１対の差動信号電圧を印加するための２本のＲＦ電極と、固定電位を与える少なくとも１本の固定電位用電極と、前記ＲＦ電極若しくは固定電位用電極と接する第１導電型半導体層と第２導電型半導体層と、１本の光導波路から分岐されて前記第１および第２導電型半導体層の境界となるｐｎ接合部に沿うように配置された２本の光導波路が形成された光変調部とを備えた光変調器であって、前記２本の光導波路における前記ｐｎ接合部の位置が設計値からのずれることによる位相変化の積分量が２本の光導波路の間で等しくなる...

• 公開日：2017/12/07
• 出典：光変調器
• 出願人：東日本電信電話株式会社

シリコン光変調器のｐｎ接合位置を迅速かつ正確に測定するための構造及び方法を提供することを目的としている。

• 公開日：2017/03/02
• 出典：光変調器のｐｎ接合位置測定方法
• 出願人：東日本電信電話株式会社

前記イオン性素子は、前記駆動電圧が印加されているときに前記イオン層内においてｐｎ接合の形成を部分的に開始させるためのスタータ機構を更に有する請求項１または請求項５に記載のイオン性素子モジュール。

• 公開日：2015/01/29
• 出典：イオン性素子モジュールおよび電子機器、ならびにイオン性素子の駆動方法
• 出願人：一般財団法人電力中央研究所

光により電解質水溶液を水素ガスと酸素ガスとに分解する水分解装置であって、一方の面が受光面となるｐｎ接合を有する無機半導体膜及び水素生成触媒から構成され、水素ガスを生成する水素ガス生成部と、前記無機半導体膜の他方の面に形成され、酸素ガスを生成する酸素ガス生成部と、前記水素ガス生成部及び前記酸素ガス生成部と接触する前記電解質水溶液、並びに前記水素ガス生成部及び前記酸素ガス生成部で生成される水素ガス及び酸素ガスを収容する電解室と、前記水素ガス生成部を照射する光の少なくとも一部を遮光する遮光機構と、を有し、前記遮光機構は、前記水素ガス生成部を一定時間間隔で遮光することを特徴とする水分解装置。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：水分解装置及び水分解方法
• 出願人：富士フイルム株式会社

イオン性素子１Ａは、多孔質材１２１と、この多孔質材１２１内に分散された電解質１２２とを含むイオン層１２と、このイオン層１２に対して電圧を印加するための複数の電極１１１，１１２と、この電圧が印加されているときに、イオン層１２内においてｐｎ接合の形成を部分的に開始させるためのスタータ機構（微粒子１４Ａ）とを備えている。

• 公開日：2015/01/29
• 出典：イオン性素子および電子機器
• 出願人：一般財団法人電力中央研究所

本発明は、イオン層に形成されるｐｎ接合を利用して機能性を発揮するイオン性素子の製造方法に関する。

• 公開日：2015/01/29
• 出典：イオン性素子の製造方法
• 出願人：一般財団法人電力中央研究所

第１電極１１と、第１電極上に設けられた強誘電体層１２と、強誘電体層１２上に設けられた第２電極１３と、を具備し、第２電極が透明電極であり、強誘電体層１２と第１電極１１又は第２電極１３との間でｐｎ接合１４が形成されていることを特徴とする。

• 公開日：2015/04/13
• 出典：光電変換素子及びその製造方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社