pin接合 の意味・用法を知る

この光起電力装置の検査方法は、少なくとも１つのｐｉｎ接合を有する光起電力装置に交流電圧を印加するステップと、前記交流電圧が印加された光起電力装置の応答出力を検出するステップとを備えている。

• 公開日：2004/08/05
• 出典：光起電力装置の検査方法
• 出願人：三洋電機株式会社

シリコン系非単結晶半導体からなるｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を有するｐｉｎ接合の構成素子を複数積層した積層型光起電力素子であって、光入射側の第一のｐｉｎ接合のｉ型層として非晶質シリコンを用い、第二のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用い、第三のｐｉｎ接合のｉ型層として微結晶シリコンを用いている。

• 公開日：1999/09/07
• 出典：積層型光起電力素子
• 出願人：キヤノン株式会社

光入射側からｉ型非晶質半導体１１１を有する第１のｐｉｎ接合と、ｉ型微結晶半導体１０８を有する第２のｐｉｎ接合と、ｉ型微結晶半導体１０５を有する第３のｐｉｎ接合とをこの順に有する光起電力素子において、前記第１のｐｉｎ接合の光入射側に少なくとも透明性保護部材と透明電極層を有し、前記複数のｐｉｎ接合で発生する光電流のうち、前記第３のｐｉｎ接合で発生する光電流が最少であることを特徴とする。

• 公開日：2004/06/10
• 出典：光起電力素子
• 出願人：キヤノン株式会社

複数のｐｉｎ接合を積層してなるタンデム型の光電変換素子において、ｐ層が、隣接するｎ層およびｉ層の双方の界面で、良好なオーミック接触を有しかつ光吸収量が小さい界面特性をもつ光電変換素子及びその製造方法を提供する。

• 公開日：2000/12/08
• 出典：光電変換素子及びその製造方法
• 出願人：シャープ株式会社

ｐ型半導体層とｉ型半導体層とｎ型半導体層とを積層して形成したｐｉｎ型半導体接合を複数重ねた、いわゆるスタック型の光起電力素子において、光入射側から数えて第一のｐｉｎ接合のｉ層として非晶質シリコンを用い、第二および第三のｐｉｎ接合のｉ層として非晶質シリコンゲルマニウムを用い、第三のｐｉｎ接合のｉ層である非晶質シリコンゲルマニウムの膜厚を１５０ｎｍ以下とする、または／及び、第二のｐｉｎ接合のｉ層である非晶質シリコンゲルマニウムの膜厚を１００ｎｍ以下にすることを特徴とする。

• 公開日：1996/03/22
• 出典：光起電力素子
• 出願人：キヤノン株式会社

透明基板１ｔを通して光をｐｉｎ接合まで到達させるためには、透明基板１ｔ、第１電極層１ｅ及びｎ型半導体層１ｎのエネルギーバンドギャップが、光電変換に利用したい光のエネルギー（Ｅl：Ｅl＝ｈν、ここで、ｈはプランク定数であり、νは光の振動数である）よりも大きく、各膜厚が薄いことが好ましい。

• 公開日：2001/02/23
• 出典：ｐｉｎ型光電変換素子及び製造方法
• 出願人：スター精密株式会社

光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる化合物として、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい化合物を提供する。

• 公開日：2011/09/15
• 出典：非晶質半導体膜用オリゴメチルアルシン化合物とこれを用いる成膜ガス
• 出願人：セントラル硝子株式会社

これについても、たとえばｐ型半導体、ｉ型半導体、ｎ型半導体を積層し、異なる吸収波長帯を持つｐｉｎ接合の組を何層分か積層したタンデム型太陽電池が種々研究されてはいるものの、入射光の有効利用性及び光吸収特性といった性能と材質との関係で、まだ改良の余地がある。特に、アモルファスシリコン系と微結晶シリコン系、微結晶シリコン系と微結晶シリコン系との組合せに係るタンデム型太陽電池については、入射光の有効利用性及び光吸収特性に加えて、上記の暗導電率の増大（リーク電流の増大）や光導電率の低下が課題である。上記の特許文献を含めて従来技術のいずれも、これらの課題に対して取り組んでおらず、また回答を与えるものでもない。

• 公開日：2009/07/09
• 出典：光電変換素子製造装置及び方法、並びに光電変換素子
• 出願人：国立大学法人東北大学

シリコン系非単結晶半導体からなるｐ型層、ｉ型層、ｎ型層を有するｐｉｎ接合の構成素子を複数積層した積層型光起電力素子において、 光入射側から第一のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層として非晶質シリコンを用い、第二のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層として微結晶シリコンを用い、第三のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層として微結晶シリコンを用いており、 前記第一のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層である非晶質シリコンのバンドギャップが１．６０ｅＶ以上、１．９０ｅＶ以下であり、 前記第二および第三のｐｉｎ接合の構成素子のｉ型層である微結晶シリコンの９５０ｎｍの光吸収係数が２００ｃｍ-1以上であることを特徴とする積層型光...

• 公開日：2007/07/26
• 出典：積層型光起電力素子
• 出願人：キヤノン株式会社

基板上にｉ型半導体層が非晶質シリコンからなる第１のｐｉｎ接合と、ｉ型半導体層が結晶質シリコンを含む第２のｐｉｎ接合とを直列に配置した構成を含む光起電力素子であって、前記第１のｐｉｎ接合のｐ／ｉ界面に第１の中間層と、ｎ／ｉ界面に第２の中間層とを有し、前記第２のｐｉｎ接合のｐ／ｉ界面に第３の中間層と、ｎ／ｉ界面に第４の中間層とを有し、前記第２の中間層と第３の中間層とが非晶質シリコンからなり、かつ前記第１の中間層と第４の中間層とが結晶質シリコンを含む、または前記第２の中間層と第３の中間層とが結晶質シリコンを含み、かつ前記第１の中間層と第４の中間層とが非晶質シリコンからなる構成とする。

• 公開日：2004/11/25
• 出典：光起電力素子及び光起電力素子の形成方法
• 出願人：キヤノン株式会社