バイアス電流 の意味・用法を知る
バイアス電流 とは、半導体レーザ や増幅器一般 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 や住友電気工業株式会社 などが関連する技術を16,280件開発しています。
このページでは、 バイアス電流 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
バイアス電流の意味・用法
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請求項1記載の超音波プローブであって、前記送波回路サブユニットは、前記増幅回路部に バイアス電流 を印加するバイアス電流印加部を更に備え、前記素子回路サブユニットから前記超音波振動子に前記駆動信号として連続波を出力するときとパルス波を出力するときとで前記バイアス電流印加部により前記増幅回路部に印加するバイアス電流を切替えることを特徴とする超音波プローブ。
- 公開日:2017/07/13
- 出典:超音波プローブ及びそれを用いた超音波診断装置
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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光電変換により入射光に応じた信号を生成する画素と、画素からの信号に基づく電圧が入力される第1の入力端子と、基準電圧が入力される第2の入力端子とを有する差動増幅器と、差動増幅器に バイアス電流 を供給する電流供給部と、差動増幅器の第1の入力端子の電圧としきい値電圧との比較を行い、比較結果に基づく制御信号を電流供給部に出力する比較部と、を有し、電流供給部は、比較部から入力される制御信号に応じて、差動増幅器に供給するバイアス電流の大きさを異ならせる。
- 公開日:2017/02/16
- 出典:撮像装置及び撮像システム
- 出願人:キヤノン株式会社
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板面が光子検出面とされる長板状の超伝導ストリップ線1及び超伝導ストリップ線1に バイアス電流 を供給するバイアス電流供給手段2を有する光子検出部と、光子検出時に超伝導ストリップ線1から飛散する磁束を検出可能な単一磁束量子コンパレータ回路4と、を有する。
- 公開日:2017/01/12
- 出典:光子検出装置及び光子検出方法
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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切り替え可能な バイアス電流 は、低減スルー期間後に、フルスルーバイアス電流に切り替わる。
- 公開日:2015/11/24
- 出典:低減スイッチオンレート低ドロップアウトレギュレータ(LOD)バイアスおよび補償の方法および装置
- 出願人:ノキアモービルフォーンズリミテッド
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請求項2に記載の磁気浮上装置であって、前記横ずれ方向に振動する前記浮上対象物の変位をx、前記浮上対象物の移動速度をx’とするとき、前記制御手段は、前記一対の電磁石に印加する バイアス電流 を、x・x’≧0の状態と、x・x’<0の状態とで切り替え、x・x’≧0のときの前記バイアス電流が、x・x’<0のときの前記バイアス電流より大きくなるように設定する、ことを特徴とする磁気浮上装置。
- 登録日:2018/12/07
- 出典:磁気浮上装置とその制御方法
- 出願人:国立大学法人埼玉大学
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被監視電圧及びリセット解除電圧を利用せずにコンパレータに対する バイアス電流 の供給を遮断する場合に比べ、消費電流を抑制することができるパワーオンリセット回路、半導体装置、及びパワーオンリセット回路の制御方法を提供する。
- 公開日:2016/07/11
- 出典:パワーオンリセット回路、半導体装置、及びパワーオンリセット回路の制御方法
- 出願人:ラピスセミコンダクタ株式会社
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超伝導集積回路に供給した バイアス電流 を超伝導集積回路から引き抜く構成において、超伝導集積回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給線と、グランド面からバイアス戻り電流を引き抜くバイアス電流引き抜き線とを同一配線幅として積層方向において重なる位置で対向配置する構成、及び、バイアス電流供給パッドとバイアス電流引き抜きパッドを積層させ、バイアス電流供給パッドのバイアス電流を供給する面と、バイアス電流引き抜きパッドのバイアス戻り電流を引き抜く面を、積層方向において重なる位置で対向配置させる構成を備え、バイアス電流とバイアス戻り電流とを打ち消して不要な磁場の発生を抑制する。
- 公開日:2016/04/21
- 出典:超伝導集積回路装置
- 出願人:国立大学法人横浜国立大学
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そして、制御ユニットは、更に、変位(第1変位)の大きさの増加に伴い、 バイアス電流 の大きさを増加させるとともに、変位(第1変位)の大きさの減少に伴い、バイアス電流の大きさを減少させる可変バイアス電流制御を行う。
- 公開日:2015/03/02
- 出典:磁気軸受装置および磁気軸受装置のバイアス電流制御方法
- 出願人:株式会社ジェイテクト
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半導体光装置1は、光信号を出力する半導体光素子30と、半導体光素子に バイアス電流 を供給するバイアス電流供給手段5と、半導体光素子の端子間に印加されるバイアス電圧を測定する電圧測定手段6と、バイアス電流を測定する電流測定手段7と、半導体光素子の温度を直接的又は間接的に測定する温度測定手段42と、参照値バイアス電圧、参照値バイアス電流、参照値温度、及び参照値αを記憶する記憶手段40と、光信号の平均出力が一定である場合に成立する、バイアス電圧、バイアス電流、半導体光素子の温度、参照値バイアス電圧、参照値バイアス電流、参照値温度、及び参照値αの関係を規定する第1の情報に基づいて、バイアス電流供給手段を...
- 公開日:2015/12/24
- 出典:半導体光装置、及び制御方法
- 出願人:日本オクラロ株式会社
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製造ばらつきに伴う バイアス電流 の変動を抑制するとともに、回路規模の増大を抑制可能な電力増幅モジュールを提供する。
- 公開日:2015/12/10
- 出典:電力増幅モジュール
- 出願人:株式会社村田製作所
バイアス電流の問題点 に関わる言及
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従来のVCXOデザインは、起動時間が バイアス電流 の増加と共に減少するという事実を利用することによってこの長い起動時間を低減するかもしれない。しかしながら、大きいバイアス電流は、結果として大きいDC電流消費となる。その結果、増加したバイアス電流により所望の起動時間となるかもしれない一方で、結果として生じるDC電流消費によりVCXOの電池の寿命は望ましくなく低減する。
- 公開日: 2008/03/13
- 出典: VCXOの起動時間を短縮するための方法と装置
- 出願人: ソニーモバイルコミュニケーションズ,エービー
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しかしながら、上記従来の光走査装置では、 バイアス電流 を光源に定常的に供給しているため、消費電力が大きくなるという課題が生じていた。特に、このような光走査装置を、網膜走査型画像表示装置などの持ち運び型の画像表示装置に適用する場合には、持ち運び可能な電力も制限されることから、できるだけ消費電力を抑えることが望ましい。
- 公開日: 2009/04/23
- 出典: 光走査装置、光走査型画像表示装置及び網膜走査型画像表示装置
- 出願人: ブラザー工業株式会社
バイアス電流の特徴 に関わる言及
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
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増幅器一般
- 増幅器の種類(AA01−04の中から必ず1つ以上付与)
- 目的・効果
- 解決手段、解決思想
- 回路素子
- 回路要素
- 接続及び構成
- 構造
- 用途
- 図面情報(半導体構造、断面図、実体図はQA01−04に付与)
- ゲート増幅器の種類
- 双方向増幅器の種類
- 組合せ増幅器の目的・効果
- マイクロ波回路要素
- 入力段構成
- 増幅部構成
- 出力段構成
- 光受信信号増幅器
- 低周波及び高周波増幅器
- 変調型増幅器の目的
- 変調型増幅器の要素、構成
- 温度補償、電源電圧補償の目的
- 帰還の目的
- 温度補償、電源電圧補償の手段
- 歪低減のための手段
- 補償に用いる素子・構成要素、帰還回路の素子・構成要素
- 帰還の種類
- 帰還回路の構成
- 異常検出手段
- 保護手段
- 雑音発生防止手段
- 効率向上の手段
- 雑音発生源及び種類
- 電力増幅器の特殊な構成