n型半導体 の意味・用法を知る

光学素子１Ａは、基板２と、基板２に二次元状に配列され、電子流路を形成するためのｎ型半導体層３１を有する複数のアンテナ構造体３と、複数のアンテナ構造体３のそれぞれにおいて空乏層を拡大させて電子流路の形状を変化させるための分割電極４と、を備える。

• 公開日：2017/12/21
• 出典：光学素子
• 出願人：浜松ホトニクス株式会社

表面および裏面を有する基板と、前記基板の表面に順に積層されたｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を有する半導体積層構造部と、前記ｐ型半導体層における前記発光層とは反対側の表面に形成され、当該表面における所定の電流注入領域の全域またはほぼ全域を覆う透明電極層と、前記透明電極層における前記ｐ型半導体層とは反対側の表面に形成されたｐ側電極と、前記半導体積層構造部における前記ｐ型半導体層側の表面の前記電流注入領域に形成された複数の凹部とを含む、発光素子。

• 公開日：2015/08/27
• 出典：発光素子
• 出願人：ローム株式会社

半導体装置１００は、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体で形成されｎ型の導電型を有する半導体層１０と、ｎ型半導体層１０の直上に積層され、ｐ型不純物が１×１０２０ｃｍ−３以上の濃度で添加されたＧａＮ系半導体で形成されｐ型の導電型を有する半導体層２０と、半導体層１０と接触するように配置された電極３０と、半導体層２０と接触するように配置された電極４０と、を有し、ｐｎ接合ダイオードとして機能する。半導体層１０をｎ型半導体層１０と呼び、半導体層２０をｐ型半導体層２０と呼び、電極３０をｎ側電極３０と呼び、電極４０をｐ側電極４０と呼ぶことがある。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：半導体装置とその製造方法および半導体積層物
• 出願人：学校法人法政大学

半導体装置１００は、基板１１０と、ｎ型半導体層１２０と、ｐ型半導体層１３０と、ｎ型半導体層１４０とを備える。半導体装置１００は、各半導体層に形成された構造として、トレンチ１５２およびリセス１５６を有する。半導体装置１００は、さらに、ゲート絶縁膜１６０と、パッシベーション膜１６８と、制御電極であるゲート電極１７２と、ｐボディ電極１７４と、ソース電極１７６と、ドレイン電極１７８とを備える。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：半導体装置
• 出願人：豊田合成株式会社

半導体装置１００は、基板１１０と、ｎ型半導体層１１２と、ｐ型半導体領域１１３と、ｐ型半導体層１１４と、ｎ型半導体層１１６と、を備える。なお、本明細書において「層」は、一体として形成される板状の領域に限られない。Ｚ軸方向についてほぼ同一の範囲に構成され互いに同じ成分を有する構成であれば、Ｘ軸方向またはＹ軸方向については互いに離間している複数の部分からなる構成であっても、それら複数の部分をまとめて「層」と呼ぶ。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：豊田合成株式会社

半導体装置は、第１の面と第２の面とを有し、面方向に広がる基板と、基板の第１の面側の上方に位置する第１の電極と、基板の第２の面側に接する第２の電極と、ｎ型不純物を含み、基板と第１の電極との間に位置する第１のｎ型半導体層と、 ｐ型不純物を含み、基板の厚み方向において第１のｎ型半導体層と第１の電極との間に位置する第１のｐ型半導体領域と、ｎ型不純物を含み、基板の厚み方向において第１のｐ型半導体領域と第１の電極との間に位置し、かつ、第１のｐ型半導体領域に接する第２のｐ型半導体領域と、を備える。第１のｎ型半導体層と第２のｐ型半導体領域と、の間に位置する第１のｐ型半導体領域におけるアクセプタのシート濃度は...

• 公開日：2017/08/03
• 出典：半導体装置及び電力変換装置
• 出願人：豊田合成株式会社

本発明の一実施形態としての半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。 図１における領域Ａｒ１を拡大して示す断面図である。 半導体装置の製造方法を示す工程図である。 酸化絶縁膜の形成工程の詳細手順を示す工程図である。 工程Ｐ１１０が実行される際の、第１のｎ型半導体層と第１絶縁膜との界面の様子を模式的に示す断面図である。 第２実施形態における半導体装置の一部の領域を拡大して示す断面図である。 第２実施形態における酸化絶縁膜の形成工程の詳細手順を示す工程図である。 ゲート電極にゲート電圧が印加されていない状態における酸化絶縁膜の近傍のバンドダイアグラムを示す説明図である。 ゲート電極にゲート電圧が...

• 公開日：2018/04/05
• 出典：半導体装置
• 出願人：豊田合成株式会社

光電変換素子のｎ型半導体層に酸化ガリウムを用いた場合に、低電圧印加時でも良好な可視光感度を得ることができる光電変換素子およびその製造方法を提供する。

• 公開日：2017/05/18
• 出典：光電変換素子の製造方法
• 出願人：日本放送協会

下地である基板、及びこの基板の表面側に成長させたｎ型半導体層を備える窒化物半導体発光素子であって、前記ｎ型半導体層は、Ｓｂ（アンチモン）がモル分率を０．１％以上に添加され、電子濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

• 公開日：2016/12/08
• 出典：窒化物半導体発光素子及びその製造方法
• 出願人：学校法人名城大学

ｎ型半導体３１とｐ型半導体３３とを白金族金属３２等を介して接続した構成を有する光触媒。当該光触媒を用いた酸化還元装置を作製し、光を照射して、物質Ｈ２Ｏを分解する方法。ｎ型半導体３１が酸化チタンでありｐ型半導体３３が酸化コバルト又は酸化ニッケルであることが好ましい光触媒。白金族金属３２がルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスシウム、イリジウム又は白金から選ばれる一種以上の白金属の金属であることが望ましい光触媒。

• 公開日：2017/07/20
• 出典：光触媒、光触媒の製造方法及び酸化還元装置
• 出願人：松下文夫