n型半導体 の意味・用法を知る

半導体構造層１２は、ｎ型半導体層（第１半導体層）１２Ａ、活性層１２Ｂ、ｐ型半導体層（第２半導体層）１２Ｃからなる。半導体構造層１２は、例えば以下のように構成されている。ｎ型半導体層１２Ａは、Ｓｉをドープしたｎ−ＧａＮである。活性層１２Ｂは多重量子井戸層（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）であり、例えば障壁層としてのＧａＮ層と井戸層としてのＧａＩｎＮ層から構成されている。ｐ型半導体層１２ＣはＭｇドープしたｐ−ＧａＮ層からなる。なお、第１半導体層としてのｎ型半導体層１２Ａは、少なくとも１の半導体層から構成されていればよい。また、第２半導体層としてのｐ型半導体層１２Ｃについても、少...

• 公開日：2017/06/29
• 出典：垂直共振器型発光素子
• 出願人：スタンレー電気株式会社

ホウ素ドープ多結晶性ｎ型半導体イプシロンＷＯ３を包含するガスセンサ素子は第１の電極および第２の電極が約１ｍｉｌから約１０ｍｉｌのギャップによって離間され、第１の多結晶性ｎ型半導体材料が、Ｐｔ、Ｖ、Ｓｍ、ＣｕＯ、またはその組み合わせをドープまたは担持されたホウ素ドープＷＯ３を含み、第１の多結晶性ｎ型半導体材料が第１の電極および第２の電極両方と物理的接触をする。

• 公開日：2017/07/27
• 出典：ガスセンサ素子
• 出願人：日東電工株式会社

本発明の一態様として、ｎ型クラッド層を含む、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．１≦ｘ≦１）を主成分とするｎ型半導体層１１を形成する工程と、Ｔｉ層とＲｕ層の積層構造を含み、前記Ｔｉ層がｎ型半導体層１１に接触するｎコンタクト電極１６を形成する工程と、熱処理によりｎ型半導体層１１と前記Ｔｉ層とをオーミック接触させる工程と、を含む、発光素子１の製造方法を提供する。

• 公開日：2018/03/29
• 出典：発光素子及びその製造方法
• 出願人：豊田合成株式会社

ＨＥＭＴ１Ａは、ｎ型のＺｎＯ系化合物半導体からなり、積層方向と交差する方向に並ぶ一対の高濃度ｎ型半導体領域１６ａ，１６ｂと、一対のｎ型半導体領域１６ａ，１６ｂの間に設けられ積層方向に順に積層された、ＧａＮチャネル層１４、及びＧａＮチャネル層１４よりも大きいバンドギャップを有するIII族窒化物半導体からなる電子供給層１５と、ｎ型半導体領域１６ａ上に設けられたソース電極３１と、ｎ型半導体領域１６ｂ上に設けられたドレイン電極３２と、電子供給層１５上に設けられたゲート電極３３とを備える。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：高電子移動度トランジスタ、及び高電子移動度トランジスタの製造方法
• 出願人：住友電気工業株式会社

本願には不均質材料が記載され、２つの異なる酸化状態にある同じ金属の２つの金属酸化物化合物を含むｐ型半導体と、ｐ型半導体の価電子帯よりも深い価電子帯を有するｎ型半導体とを含み、それらの半導体の型は互いにイオン的に連通する。不均質材料は光触媒活性を向上させる。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：多原子価半導体光触媒材料
• 出願人：日東電工株式会社

本発明による有機光電素子は、対向する第１の電極及び第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配設されてｐ型半導体及びｎ型半導体を有する吸光層と、を備え、前記吸光層は、厚さ方向に沿って前記第１の電極に近い第１の領域と、前記第２の電極に近い第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に配設される第３の領域とを有し、前記第３の領域のｎ型半導体に対するｐ型半導体の組成比（ｐ３／ｎ３）は、前記第１の領域のｎ型半導体に対するｐ型半導体の組成比（ｐ１／ｎ１）、及び前記第２の領域のｎ型半導体に対するｐ型半導体の組成比（ｐ２／ｎ２）よりも大きいか或いは小さい。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：有機光電素子及びイメージセンサ並びに電子装置
• 出願人：三星電子株式會社

受光部１、複数のストレージ部３、複数の転送部５、及びシフトレジスタ７は、図２にも示されるように、半導体基板２０に形成されている。すなわち、固体撮像装置ＳＩは、半導体基板２０を備えている。半導体基板２０は、半導体基板２０の基体となるｐ型半導体層２１と、ｐ型半導体層２１の一方面側に形成されたｎ−−型半導体層２２、ｎ−型半導体層２３、ｎ型半導体層２４，２６，２８、ｎ−−−−型半導体層２５，２７、及びｐ＋型半導体層２９と、を含んでいる。本実施形態では、半導体基板２０としてシリコン基板が用いられている。ｐ型およびｎ型の各導電型は、上述したものとは逆になるように入れ替えられていてもよい。

• 公開日：2016/04/11
• 出典：固体撮像装置
• 出願人：浜松ホトニクス株式会社

（第１実施形態） 第１実施形態による光検出器の模式的な断面を図１に示す。この第１実施形態の光検出器１は、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板１０に設けられ、光を検出し電気信号に変換する複数（図１上では２個）の光検出素子２０ａ、２０ｂを備えた光検出領域３０と、光検出素子２０ａ、２０ｂによって変換された電気信号を処理するトランジスタ５０、６０を含む周辺回路（ＣＭＯＳ回路とも云う）を備えた周辺領域４０と、を有している。ＳＯＩ基板１０は、シリコン支持基板１１と、埋め込み酸化膜（以下、ＢＯＸともいう）１２と、活性層となるｎ型半導体層１３とが、この順序で積層された積層構造を有している。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：光検出器およびこれを用いたライダー装置
• 出願人：株式会社東芝

ｎ＋＋型カソード領域１５およびｎ−型ドリフト領域４を含むｎ型半導体層２と、ｎ−型ドリフト領域４の表面部に配置されたｐ型アノード領域５と、ｎ＋＋型カソード領域１５に選択的に配置されたｐ＋型ホール注入領域１６と、ｐ＋型ホール注入領域１６に電気的に接続されたアノード電極１１と、ｎ＋＋型カソード領域１５およびｐ＋型ホール注入領域１６に電気的に接続されたカソード電極１４とを含み、ｐ＋型ホール注入領域１６は、２０μｍ以上の径を有する、ｐｎダイオード１を提供する。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：ダイオード
• 出願人：ローム株式会社

太陽光などの光エネルギーを利用し、可視光応答性ｎ型半導体を導電性基板に備えた半導体光電極を用いて水から過酸化水素水を効率よく製造することのできる過酸化水素の製造方法や製造装置を提供する。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：過酸化水素の製造方法および製造装置
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所