n型半導体 の意味・用法を知る
n型半導体 とは、光起電力装置 やLED素子(パッケージ以外) などの分野において活用されるキーワードであり、ルネサスエレクトロニクス株式会社 や株式会社東芝 などが関連する技術を21,014件開発しています。
このページでは、 n型半導体 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
n型半導体の意味・用法
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半導体構造層12は、n型半導体層(第1半導体層)12A、活性層12B、p型半導体層(第2半導体層)12Cからなる。半導体構造層12は、例えば以下のように構成されている。n型半導体層12Aは、Siをドープしたn−GaNである。活性層12Bは多重量子井戸層(MQW:Multiple Quantum Well)であり、例えば障壁層としてのGaN層と井戸層としてのGaInN層から構成されている。p型半導体層12CはMgドープしたp−GaN層からなる。なお、第1半導体層としてのn型半導体層12Aは、少なくとも1の半導体層から構成されていればよい。また、第2半導体層としてのp型半導体層12Cについても、少...
- 公開日:2017/06/29
- 出典:垂直共振器型発光素子
- 出願人:スタンレー電気株式会社
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ホウ素ドープ多結晶性n型半導体イプシロンWO3を包含するガスセンサ素子は第1の電極および第2の電極が約1milから約10milのギャップによって離間され、第1の多結晶性n型半導体材料が、Pt、V、Sm、CuO、またはその組み合わせをドープまたは担持されたホウ素ドープWO3を含み、第1の多結晶性n型半導体材料が第1の電極および第2の電極両方と物理的接触をする。
- 公開日:2017/07/27
- 出典:ガスセンサ素子
- 出願人:日東電工株式会社
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本発明の一態様として、n型クラッド層を含む、AlxGa1−xN(0.1≦x≦1)を主成分とするn型半導体層11を形成する工程と、Ti層とRu層の積層構造を含み、前記Ti層がn型半導体層11に接触するnコンタクト電極16を形成する工程と、熱処理によりn型半導体層11と前記Ti層とをオーミック接触させる工程と、を含む、発光素子1の製造方法を提供する。
- 公開日:2018/03/29
- 出典:発光素子及びその製造方法
- 出願人:豊田合成株式会社
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HEMT1Aは、n型のZnO系化合物半導体からなり、積層方向と交差する方向に並ぶ一対の高濃度n型半導体領域16a,16bと、一対のn型半導体領域16a,16bの間に設けられ積層方向に順に積層された、GaNチャネル層14、及びGaNチャネル層14よりも大きいバンドギャップを有するIII族窒化物半導体からなる電子供給層15と、n型半導体領域16a上に設けられたソース電極31と、n型半導体領域16b上に設けられたドレイン電極32と、電子供給層15上に設けられたゲート電極33とを備える。
- 公開日:2017/04/06
- 出典:高電子移動度トランジスタ、及び高電子移動度トランジスタの製造方法
- 出願人:住友電気工業株式会社
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本願には不均質材料が記載され、2つの異なる酸化状態にある同じ金属の2つの金属酸化物化合物を含むp型半導体と、p型半導体の価電子帯よりも深い価電子帯を有するn型半導体とを含み、それらの半導体の型は互いにイオン的に連通する。不均質材料は光触媒活性を向上させる。
- 公開日:2017/09/28
- 出典:多原子価半導体光触媒材料
- 出願人:日東電工株式会社
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本発明による有機光電素子は、対向する第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配設されてp型半導体及びn型半導体を有する吸光層と、を備え、前記吸光層は、厚さ方向に沿って前記第1の電極に近い第1の領域と、前記第2の電極に近い第2の領域と、前記第1の領域と前記第2の領域との間に配設される第3の領域とを有し、前記第3の領域のn型半導体に対するp型半導体の組成比(p3/n3)は、前記第1の領域のn型半導体に対するp型半導体の組成比(p1/n1)、及び前記第2の領域のn型半導体に対するp型半導体の組成比(p2/n2)よりも大きいか或いは小さい。
- 公開日:2017/01/19
- 出典:有機光電素子及びイメージセンサ並びに電子装置
- 出願人:三星電子株式會社
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受光部1、複数のストレージ部3、複数の転送部5、及びシフトレジスタ7は、図2にも示されるように、半導体基板20に形成されている。すなわち、固体撮像装置SIは、半導体基板20を備えている。半導体基板20は、半導体基板20の基体となるp型半導体層21と、p型半導体層21の一方面側に形成されたn−−型半導体層22、n−型半導体層23、n型半導体層24,26,28、n−−−−型半導体層25,27、及びp+型半導体層29と、を含んでいる。本実施形態では、半導体基板20としてシリコン基板が用いられている。p型およびn型の各導電型は、上述したものとは逆になるように入れ替えられていてもよい。
- 公開日:2016/04/11
- 出典:固体撮像装置
- 出願人:浜松ホトニクス株式会社
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(第1実施形態) 第1実施形態による光検出器の模式的な断面を図1に示す。この第1実施形態の光検出器1は、SOI(Silicon On Insulator)基板10に設けられ、光を検出し電気信号に変換する複数(図1上では2個)の光検出素子20a、20bを備えた光検出領域30と、光検出素子20a、20bによって変換された電気信号を処理するトランジスタ50、60を含む周辺回路(CMOS回路とも云う)を備えた周辺領域40と、を有している。SOI基板10は、シリコン支持基板11と、埋め込み酸化膜(以下、BOXともいう)12と、活性層となるn型半導体層13とが、この順序で積層された積層構造を有している。
- 公開日:2017/02/09
- 出典:光検出器およびこれを用いたライダー装置
- 出願人:株式会社東芝
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n++型カソード領域15およびn−型ドリフト領域4を含むn型半導体層2と、n−型ドリフト領域4の表面部に配置されたp型アノード領域5と、n++型カソード領域15に選択的に配置されたp+型ホール注入領域16と、p+型ホール注入領域16に電気的に接続されたアノード電極11と、n++型カソード領域15およびp+型ホール注入領域16に電気的に接続されたカソード電極14とを含み、p+型ホール注入領域16は、20μm以上の径を有する、pnダイオード1を提供する。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:ダイオード
- 出願人:ローム株式会社
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太陽光などの光エネルギーを利用し、可視光応答性n型半導体を導電性基板に備えた半導体光電極を用いて水から過酸化水素水を効率よく製造することのできる過酸化水素の製造方法や製造装置を提供する。
- 公開日:2017/09/28
- 出典:過酸化水素の製造方法および製造装置
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
n型半導体の問題点 に関わる言及
n型半導体の特徴 に関わる言及
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例えば、ストライプは少なくともp型クラッド層を含むp型半導体層に形成され、埋め込み半導体層はn型半導体層である。あるいは、ストライプは少なくともp型クラッド層を含むp型半導体層に形成され、埋め込み半導体層はn型半導体層とその上のp型半導体層とからなる。
- 公開日: 2001/08/03
- 出典: 半導体レーザの製造方法
- 出願人: ソニー株式会社
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また、ホール輸送層、発光層および電子輸送層には有機材料が用いられる。ホール輸送層にはp型半導体の性質を有する材料が用いられ、電子輸送層にはn型半導体の性質を有する材料が用いられる。発光層も、電子輸送性またはホール輸送性のようなキャリア輸送性を有するとともに、蛍光または燐光を発する有機材料により構成される。
- 公開日: 2006/03/16
- 出典: 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
- 出願人: 三洋電機株式会社
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また、n型半導体層としてのn型窒化物半導体層20は、n型GaN層21、n型クラッド層22およびn型ガイド層23を含むように構成した。p型半導体層としてのp型窒化物半導体層40は、キャリアブロック層41、p型ガイド層42、p型クラッド層43およびp型コンタクト層44を含むように構成した。
- 公開日: 2011/02/10
- 出典: 半導体レーザ素子
- 出願人: シャープ株式会社
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またホール輸送層、発光層および電子輸送層には有機材料が用いられる。ホール輸送層にはp型半導体の性質を有する材料が用いられ、電子輸送層にはn型半導体の性質を有する材料が用いられる。発光層も電子輸送性またはホール輸送性のようなキャリア輸送性を有するとともに、蛍光またはりん光を発する有機材料により構成される。
- 公開日: 2004/11/11
- 出典: 発光素子用化合物およびそれを用いた有機発光素子
- 出願人: 三洋電機株式会社
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p型半導体層1371pを形成したら、さらにi型半導体層1371i及びn型半導体層1371nを順に形成する。これによりp型半導体層1371p、i型半導体層1371i及びn型半導体層1371nを有する光電変換層1371が形成される。
- 公開日: 2010/02/18
- 出典: カラーセンサ及び当該カラーセンサを具備する電子機器
- 出願人: 株式会社半導体エネルギー研究所