データ保持 の意味・用法を知る

演算処理装置は、第１キャッシュメモリと、第１キャッシュメモリに接続された第２キャッシュメモリとを有し、第２キャッシュメモリは、データを保持する複数の記憶領域を含む データ保持 部と、データ保持部に保持されたデータの状態を示す第１状態情報を含む第１管理情報を保持する第１情報保持部と、第１キャッシュメモリからの読み出し要求で要求される要求データがデータ保持部に保持されているかを第１管理情報に基づいて判定する状態判定部と、要求データがデータ保持部に保持されていないと状態判定部により判定され、かつ、要求データを格納する記憶領域に空きがない場合、読み出し要求に基づく追い出し要求を発行せずに、複数の記憶領...

• 公開日：2018/01/11
• 出典：演算処理装置、情報処理装置および演算処理装置の制御方法
• 出願人：富士通株式会社

中継部１２は、対をなす データ保持 部が保持しているデータを対をなす演算ブロックに出力、または、対をなすデータ保持部が保持しているデータを対をなす演算ブロックおよび当該演算ブロックよりも上位側の演算ブロックに出力する。

• 公開日：2017/08/31
• 出典：演算処理装置
• 出願人：株式会社デンソー

該認証マークは、 データ保持 イメージにより表されるデータに従って生成される。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：認証マークの送信
• 出願人：ヒューレット−パッカードデベロップメントカンパニーエル．ピー．

例えば、第１及び第２の データ保持 部が設けられたＳＲＡＭと、第３及び第４のデータ保持部が設けられた不揮発性メモリと、を有し、第１のデータ保持部はトランジスタを介して第４のデータ保持部に電気的に接続され、第２のデータ保持部はトランジスタを介して第３のデータ保持部に電気的に接続され、ＳＲＡＭがデータを保持する期間は前記トランジスタをオンして、ＳＲＡＭと不揮発性メモリの双方でデータを保持し、電力の供給を停止する前に前記トランジスタをオフしてデータを不揮発化する。

• 公開日：2017/07/06
• 出典：半導体装置の駆動方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

基地局であって、予め定められた特定端末から送信されるひとつ又は複数のデータを、前記基地局が含まれるセルを持つ他の基地局へ送信されるまで保持する通信 データ保持 部と、前記基地局と前記他の基地局間の通信品質に対する送信データ量、前記通信データ保持部による保持データ量、データの保持時間を記憶する管理テーブルと、特定端末が送信するデータに含まれる特定端末識別子により、データを送信してきた端末が特定端末か否かを判定する通信判定部と、データ保持／送信判定部と、を備え、前記データ保持／送信判定部は、前記通信判定部により、データを送信してきた端末が特定端末と判定された場合、タイマをスタートさせ、前記タイマによる...

• 公開日：2016/01/12
• 出典：基地局
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

少なくとも第１および第２のメモリプレーンを含むメモリアレイと、第１のメモリプレーンまたは第２のメモリプレーンからデータを読出し可能な読出し手段と、第１のメモリプレーンから読み出されたデータを保持可能な第１の データ保持 手段と、第２のメモリプレーンから読み出されたデータを保持可能な第２のデータ保持手段と、データの誤り検出・訂正を行う誤り検出訂正手段と、データを出力する出力手段と、第１のデータ保持手段、第２のデータ保持手段、前記誤り検出訂正手段および前記出力手段の間でデータの転送を制御する転送制御手段とを有し、前記転送制御手段は、第１のメモリプレーンが選択されているとき、第１のデータ保持手段に保持さ...

• 公開日：2018/03/22
• 出典：不揮発性半導体記憶装置
• 出願人：ウインボンドエレクトロニクスコーポレイション

例えば、第１及び第２の データ保持 部が設けられたＳＲＡＭと、第３及び第４のデータ保持部が設けられた不揮発性メモリと、を有し、第１のデータ保持部はトランジスタを介して第４のデータ保持部に電気的に接続され、第２のデータ保持部はトランジスタを介して第３のデータ保持部に電気的に接続され、前記ＳＲＡＭを動作させる際には前記トランジスタをオフし、前記ＳＲＡＭが動作しないときには、前記トランジスタをオンすることで前記ＳＲＡＭのデータ保持部のデータを不揮発性メモリに退避させる。

• 公開日：2013/12/19
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

メモリセルアレイから読み出されたデータを保持する第１の データ保持 部と、第１のデータ保持部から転送されたデータを保持可能な第２のデータ保持部とを有するページバッファを含み、第２のデータ保持部に保持されたデータを外部クロックに応答して出力可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリの読出し方法であって、電源投入直後またはリセット直後、メモリセルアレイの特定ページに記憶されたデータを第２のデータ保持部に保持し、かつユーザーによりプログラム使用できない領域に記憶されたデバイスに関するパラメータデータを第１のデータ保持部に保持し、入力されるコマンドに応じて、パラメータデータまたは特定ページのデータの読出しを制御する...

• 公開日：2018/02/22
• 出典：フラッシュメモリ
• 出願人：ウインボンドエレクトロニクスコーポレイション

具体的には、複数のトランジスタと、容量素子と、 データ保持 部と、を有するメモリ素子がマトリクス状に設けられた半導体装置を用いて、前記データ保持部は、前記複数のトランジスタの一のソース及びドレインの一方と、前記複数のトランジスタの他のゲートと、前記容量素子の一の電極によって構成されており、前記データ保持部にソース及びドレインの前記一方が接続された前記トランジスタではチャネルが形成される半導体層のバンドギャップが２．８ｅＶ以上もしくは３．２ｅＶ以上であり、前記データ保持部にエラー判定用のデータを記憶する。

• 公開日：2013/12/05
• 出典：半導体装置の駆動方法、プログラム
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

外部端子と、メモリアレイと、前記外部端子から入力された入力データを保持し、保持した入力データを前記メモリアレイにプログラム可能である データ保持 手段と、前記外部端子から前記データ保持手段に保持された入力データと、前記データ保持手段から読み出された前記入力データとを比較する比較手段と、を有する半導体記憶装置。

• 公開日：2017/09/07
• 出典：半導体記憶装置
• 出願人：ウインボンドエレクトロニクスコーポレイション