VT の意味・用法を知る

(i)第1のC2-C20αオレフィンモノマー；(ii)前記第1のモノマーとは異なる第2のC2-C20αオレフィンモノマー；及び任意的に、(iii)1種以上のジエンを含む複数のモノマーを、ビニル末端ポリマー形成( VT P)触媒系及び高分子量ポリマー形成(HMP)触媒系の存在下で共重合させ、それによって1種以上のコポリマーを含むコポリマー組成物を形成する工程を含む重合方法であって、(a)前記HMP触媒系が、HMP触媒化合物及び第1の活性化剤を含み；(b)前記VTP触媒系が、VTP触媒化合物及び第2の活性化剤を含み；かつ(c)前記VTP触媒化合物が、下記構造式：（式中：(1)Jは、C、Si、又は両方を...

• 公開日：2018/02/15
• 出典：ポリマー組成物の製造方法
• 出願人：エクソンモービルケミカルパテンツインコーポレイテッド

回路装置は、温度センサー部１０からの温度検出電圧ＶＴＤのＡ／Ｄ変換を行い、温度検出データＤＴＤを出力するＡ／Ｄ変換部２０と、温度検出データＤＴＤに基づいて温度補償処理を行うデジタル信号処理部５０を含み、Ａ／Ｄ変換部２０は、起動期間では、第１のＡ／Ｄ変換方式によるＡ／Ｄ変換処理を行って温度検出データＤＴＤの初期値を求め、通常動作期間では、初期値に基づいて、第２のＡ／Ｄ変換方式によるＡ／Ｄ変換処理を行って温度検出データＤＴＤを求める。

• 公開日：2017/06/08
• 出典：回路装置、発振器、電子機器及び移動体
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

スイッチ状態判定装置１は、スイッチＳＷ１及びＳＷ２を外付けするための外部端子Ｔ１及びＴ２と、外部端子Ｔ１及びＴ２に流すための定電流を生成する定電流生成部１０と、外部端子Ｔ１及びＴ２の端子電圧ＶＴ１及びＶＴ２と閾値電圧Ｖｔｈ１及びＶｔｈ２を比較して比較信号Ｓ１及びＳ２を生成する電圧比較部２０と、比較信号Ｓ１及びＳ２に応じてオン／オフ判定信号Ｓ３を出力するオン／オフ判定部３０と、閾値電圧設定値Ｓ４に応じて閾値電圧Ｖｔｈ１及びＶｔｈ２を調整する閾値電圧制御部４０と、端子電圧ＶＴ１及びＶＴ２のレベル判定信号Ｓ５（または端子電圧値）を出力するレベル判定部５０と、を有する。

• 公開日：2017/12/14
• 出典：スイッチ状態判定装置
• 出願人：ローム株式会社

回路装置は、Ｄ／Ａ変換器２６と、温度センサー部１０からの温度検出電圧ＶＴＤと、Ｄ／Ａ変換器２６からのＤ／Ａ変換電圧ＶＤＡＣとの比較を行う比較部２７と、比較部２７の比較結果に基づく判定処理に基づいて、温度検出電圧ＶＴＤのＡ／Ｄ変換結果である温度検出データＤＴＤを求める処理部２３を含み、処理部２３は、第１の出力タイミングの温度検出データに対する、次の第２の出力タイミングの温度検出データの変化がｋ×ＬＳＢ以下となるように温度検出データを決定する。

• 公開日：2017/06/08
• 出典：回路装置、発振器、電子機器及び移動体
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

なお、Ａ／Ｄ変換結果データ、特に温度検出電圧ＶＴＤをＡ／Ｄ変換した温度検出データＤＴＤを利用する回路装置は、ＤＴＣＸＯに限定されるものではない。例えば、ジャイロセンサーの出力は温度特性を有し、当該温度特性に起因して出力データに誤差が生じることが知られている。そのため、温度検出データＤＴＤに基づいて、ジャイロセンサーの出力の温度特性を補償する処理（例えばゼロ点補正処理）が行われることがあり、本実施形態における回路装置はそのようなジャイロセンサーに利用されてもよい。

• 公開日：2017/06/08
• 出典：回路装置、発振器、電子機器及び移動体
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

シリンダヘッド１の前端部のうち吸気側受部８ａの外側に、ヘッド内蔵オイル通路２１，２２が開口している。吸気弁用カムシャフト２を油圧式ＶＶＴで制御する場合は、吸気弁用カムシャフト２に重なる部位に制御用オイル通路を設けたフロントカムキャップが使用される。吸気弁用カムシャフト２は電動式ＶＶＴで制御して、排気弁用カムシャフト３は油圧式ＶＶＴで制御する場合は、オイルがブリッジ状オイル通路３１，３２，３９，４０，３６，３７によって吸気側から排気側に送られるフロントカムキャップ４を使用する。バルブタイミングの調節方式が異なる複数種類の内燃機関で、１種類のシリンダヘッド１を共用できる。

• 公開日：2018/02/01
• 出典：内燃機関
• 出願人：ダイハツ工業株式会社

下記特性：(i)5未満の、125℃で測定されるLCB指数；及び(ii)125℃で測定した場合に、54.5°未満の、複素せん断弾性率G*=100,000Paでの位相角δの両方を有し、かつ、下記：(i)60%より多くのビニル末端を有するビニル末端ポリマー( VT P)（このVTPは、30〜80wt%の範囲の量のエチレン由来単位、0〜15wt%の範囲の量のジエン由来単位、及び残余のC3-C20αオレフィン由来単位を含み、該wt%は、前記VTPの総質量に基づく）；(ii)50,000より大きいMwを有する高分子量ポリマー(HMP)（このHMPは、20〜80wt%の範囲の量のエチレン由来単位、0〜15wt%...

• 登録日：2020/04/10
• 出典：レオロジー特性が改善されたポリマー組成物
• 出願人：エクソンモービルケミカルパテンツインコーポレイテッド

ワクシニアウイルス感染ヒト結腸直腸(colorectal)腫瘍細胞（ＬｏＶｏ）の５−ＦＣに対するｉｎ ｖｉｔｒｏ感受性を示す図である。０．０００１ＭＯＩで表示ウイルスに感染させたＬｏＶｏ細胞（擬似（●）、ＶＶＴＫ−／ＦＣＵ１（黒四角）、またはＶＶＴＫ−Ｉ４Ｌ−／ＦＣＵ１（△））を種々の濃度の５−ＦＣに曝露させた。細胞生存を感染５日後に測定した。結果は、薬物の存在下または非存在下での細胞生存率のパーセンテージで表わされた。数値は、ウイルスの複製による細胞死以外の３回の個別測定の平均±ＳＤで表わされる。 ワクシニアウイルス感染ヒト結腸直腸腫瘍細胞（ＬｏＶｏ）の５−ＦＣに対するｉｎ ｖｉｔｒｏ感...

• 公開日：2017/06/15
• 出典：ポックスウイルス腫瘍細胞崩壊性ベクター
• 出願人：トランジェーヌ、ソシエテ、アノニム

本発明は、排気ガスターボチャージャ（１）であって、流入ダクト（４）によって取り囲まれたタービンホイール（３）を有するタービン（２）を有し、流入ダクト（４）を境界付けるディスク（６）及びベーン軸受リング（７）を有するＶＴＧカートリッジ（５）を有し、ＶＴＧカートリッジが、流入ダクト（４）に配置されかつ回転可能なベーンシャフト（９）によってベーン軸受リング（７）に取り付けられる複数のベーン（８）を有し、ベーンシャフトがベーンレバー（１０）に接続され、ベーンレバーのレバーヘッド（１１）が、外側でベーン軸受リング（７）を取り囲む調整リング（１３）の関連の溝（１２）内に係合する、排気ガスターボチャージャ（...

• 公開日：2016/04/11
• 出典：排気ガスターボチャージャ
• 出願人：ボーグワーナーインコーポレーテッド

ここで、ＶＴＥは前記Ｅ型ＮＭＯＳの閾値電圧、ＶＴＤは前記Ｄ型ＮＭＯＳの閾値電圧、ＫＮＥは、前記Ｅ型ＮＭＯＳのＫ値、ＫＮＤは前記Ｄ型ＮＭＯＳのＫ値である。ＶＴＥの温度Ｔに対する変化量をΔＶＴＥ／ΔＴ、｜ＶＴＤ｜の温度Ｔに対する変化量をΔ｜ＶＴＤ｜／ΔＴとすると、Ｖｒｅｆの温度Ｔに対する変化量ΔＶｒｅｆ／ΔＴは、ΔＶＴＥ／ΔＴとΔ｜ＶＴＤ｜／ΔＴに依存することになる。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：基準電圧発生回路
• 出願人：エイブリック株式会社