TL の意味・用法を知る

ＴＬＲが、ＴＬＲ３、ＴＬＲ７、ＴＬＲ８、ＴＬＲ９およびＴＬＲ１３からなる群から選択される、請求項４〜５のいずれか一項に記載のナノ構造体。

• 公開日：2017/08/31
• 出典：予防的または治療的適用のためのリポソーム球状核酸による免疫調節物質の多価送達
• 出願人：イグジキュア，インコーポレーテッド

電磁クラッチをオンして搬送ローラー対により用紙を搬送中に、電磁クラッチへの電圧供給の遮断（時点ｔ３）前の時点ｔａに至ると、電磁クラッチへの供給電圧Ｖｃをシート搬送時のＶｃ１から、用紙が厚紙の場合にはその負荷トルクＴＬａに応じた電圧Ｖｃ２ａまで低下させ、用紙が薄紙の場合にはその負荷トルクＴＬｂに応じた電圧Ｖｃ２ｂまで低下させ、時点ｔ３に至ると電圧Ｖｃ２ａ、Ｖｃ２ｂの供給を遮断する。

• 公開日：2017/07/27
• 出典：シート搬送装置、画像処理装置およびシート搬送制御方法
• 出願人：コニカミノルタ株式会社

ヒトＴＬＲ２及びヒトＴＬＲ４の両方に作用し、ヒトＴＬＲ２及びヒトＴＬＲ４を介する免疫炎症作用を阻害することにより免疫炎症性疾患を予防又は治療する二重特異的抗体を提供することにある。

• 公開日：2017/03/30
• 出典：新規ヒトＴＬＲ２及びヒトＴＬＲ４に結合する二重特異的抗体
• 出願人：アステラス製薬株式会社

出荷時のテストで搭載するＣＴＬＥの周波数−利得特性が測定可能な半導体装置の実現。

• 公開日：2017/01/26
• 出典：連続時間線形等化器の周波数利得特性測定方法および半導体装置
• 出願人：富士通株式会社

例えば、テンプル調整ユニット３０は、眼鏡フレームＦの左右のテンプルＦＴＬ，ＦＴＲの少なくとも一方に当接し、左右のテンプルＦＴＬ，ＦＴＲの少なくとも一方のテンプルの位置を移動させることによって、左右のテンプルＦＴＬ，ＦＴＲの間の幅を変更させる。例えば、幅を変更するとは、幅を広げる構成、幅を狭くする構成等が挙げられる。

• 公開日：2016/09/05
• 出典：眼鏡枠形状測定装置、眼鏡枠形状測定方法、及び眼鏡レンズ加工装置
• 出願人：株式会社ニデック

生きている患者におけるアルツハイマー病病理（ＡＤ）のアッセイが開示さる。本アッセイでは、標本中の、ＦＬＮＡ捕獲型タンパク質複合体中のα７ｎＡＣｈＲ又はＴＬＲ４の量、あるいはＡβ捕獲型タンパク質複合体中のα７ｎＡＣｈＲの量、あるいはタンパク質タンパク質複合体として存在するα７ｎＡＣｈＲ−ＦＬＮＡ複合体、ＴＬＲ４−ＦＬＮＡ複合体、及び／又はα７ｎＡＣｈＲ−Ａβ４２複合体の量を測定し、ＡＤ病理を有さない個人由来の標準標本における量と比較する。標準標本における量より多い場合は、ＡＤ病理を示す。同じく開示されるのは、薬物を用いて、治療の予後を予測するアッセイであり、本アッセイでは、上記タンパク質又はタン...

• 公開日：2015/10/08
• 出典：生きている患者でのアルツハイマー病アッセイ
• 出願人：ペイン・セラピューティクス・インコーポレイテッド

半導体装置は、シリコンからなる半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主面上に形成され、シリコンに対して圧縮応力を発生させる第１絶縁膜ＣＬと、第１絶縁膜ＣＬ上に形成されたシリコンからなる導波路ＯＴＬと、導波路ＯＴＬを覆うように第１絶縁膜ＣＬ上に形成された第１層間絶縁膜ＩＤ１とを備える。さらに、シリコンに対して引張応力を発生させる第２絶縁膜ＴＳが、第１層間絶縁膜ＩＤ１上で、かつ、導波路ＯＴＬから第１絶縁膜ＣＬの厚さ以上離れた領域に形成されており、第２絶縁膜ＴＳによって、第１絶縁膜ＣＬの圧縮応力を相殺する。

• 公開日：2017/01/12
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

脆性基板４の第１の位置Ｎ１から第２の位置Ｎ２まで第１の速度で刃先５１を摺動させることによって、第１のトレンチラインＴＬ１が形成される。第２の位置Ｎ２から第３の位置Ｎ３へ第１の速度よりも遅い第２の速度で刃先５１をさらに摺動させることによって、第２のトレンチラインＴＬ２が形成される。刃先５１が第３の位置Ｎ３に達することで、第２のトレンチラインＴＬ２に沿ってクラックを伸展させることによって、第１のクラックラインＣＬ１が形成される。第１のクラックラインＣＬ１が第２の位置Ｎ２に達することで、第２の位置Ｎ２から第１のトレンチラインＴＬ１に沿ってクラックを伸展させることによって、第２のクラックラインＣＬ２が...

• 公開日：2017/04/06
• 出典：脆性基板の分断方法
• 出願人：三星ダイヤモンド工業株式会社

トレンチラインＴＬ形成後の様子を例示する脆性材料基板Ｗの上面図である。 トレンチラインＴＬの形成に用いるスクライブツール１５０の構成を概略的に示す図である。 トレンチラインＴＬの垂直断面を含むｚｘ部分断面図である。 アシストラインＡＬ形成時の様子を例示する脆性材料基板Ｗの上面図である。 アシストラインＡＬの形成に用いるスクライブ装置１００の構成を概略的に示す図である。 アシストラインＡＬの形成に伴う傾斜クラックＩＣの伸展の様子を例示する脆性材料基板Ｗの上面図である。 アシストラインＡＬの形成に伴う傾斜クラックＩＣの伸展の様子を例示する脆性材料基板Ｗの上面図である。 トレンチラインＴＬと傾斜クラ...

• 公開日：2017/03/09
• 出典：脆性材料基板における傾斜クラックの形成方法および脆性材料基板の分断方法
• 出願人：三星ダイヤモンド工業株式会社

ＡＴＬ細胞特異的な抗腫瘍効果を有する、新規な成人Ｔ細胞白血病治療薬を提供する。

• 公開日：2016/04/25
• 出典：成人Ｔ細胞白血病治療薬
• 出願人：国立大学法人鹿児島大学