SS の意味・用法を知る

前記ゼオライトは、ＳＳＺ−３９である、請求項１、３または５のいずれか一項に記載の方法。

• 公開日：2018/04/12
• 出典：ゼオライトの合成を改善するための構造指向剤
• 出願人：セイケムインコーポレイテッド

凝集剤を添加することなく微細な固形物を分離可能であり、かつ、フィルターへのＳＳの堆積や目詰まりによる濾過性能の低下を少量の洗浄水によって抑制可能な処理システムおよびこれを用いた処理方法を提供する。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：処理システム及び処理方法
• 出願人：株式会社東芝

...、ＷＸＣ機能部７２１の構成について、公知の構成を示し説明する。ＷＸＣ機能部７２１の公知の構成として、例えば特許文献１に記載された構成がある。図２１は、ＷＸＣ機能部７２１の構成を示す図である。この図に示されるＮは、方路の数をＭ本とすると、Ｎ＝Ｍで規定される数である。但し、図２１において、各１×Ｎ ＷＳＳ（Wavelength Selective Switch）１８１−１〜Ｍの出力側に設けられるＤｒｏｐポート、各Ｎ×１ ＷＳＳ１８２−１〜Ｍの入力側に設けられるＡｄｄポート、及び、入力方路８０１−１〜Ｍ又は出力方路８０２−１〜Ｍと、ＷＸＣ機能部７２１との間に設けられるＮＮＩ機能部７１−１〜Ｍ又は...

• 公開日：2017/09/07
• 出典：波長クロスコネクト装置及びモジュール
• 出願人：東日本電信電話株式会社

...、ＷＸＣ機能部７２１の構成について、公知の構成を示し説明する。ＷＸＣ機能部７２１の公知の構成として、例えば特許文献１に記載された構成がある。図２０は、ＷＸＣ機能部７２１の構成を示す図である。この図に示されるＮは、方路の数をＭ本とすると、Ｎ＝Ｍで規定される数である。但し、図２０において、各１×Ｎ ＷＳＳ（Wavelength Selective Switch）１８１−１〜Ｍの出力側に設けられるＤｒｏｐポート、各Ｎ×１ ＷＳＳ１８２−１〜Ｍの入力側に設けられるＡｄｄポート、及び、入力方路８０１−１〜Ｍ又は出力方路８０２−１〜Ｍと、ＷＸＣ機能部７２１との間に設けられるＮＮＩ機能部７１−１〜Ｍ又は...

• 公開日：2017/09/07
• 出典：波長クロスコネクト装置
• 出願人：東日本電信電話株式会社

...えてもよい。中継機は、Ｒｅｌａｙ Ｎｏｄｅ（ＲＮ）、Ｒｅｌａｙ Ｓｔａｔｉｏｎ（ＲＳ）などの用語に代えてもよい。また、「端末（Ｔｅｒｍｉｎａｌ）」は、ＵＥ（Ｕｓｅｒ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）、ＭＳ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｓｔａｔｉｏｎ）、ＭＳＳ（Ｍｏｂｉｌｅ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｓｔａｔｉｏｎ）、ＳＳ（Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｓｔａｔｉｏｎ）などの用語に代えてもよい。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：無線通信システムにおいて装置対装置端末の信号送受信方法及び装置
• 出願人：エルジーイノテックカンパニー，リミテッド

選択信号生成回路４０には、ラッチ回路２１〜２７の出力信号Ｄ１〜Ｄ７とクロック信号ＣＬＫとが供給される。選択信号生成回路４０は、出力信号Ｄ１〜Ｄ７の信号レベルの組み合わせに応じて、Ｍビット（ここでは、８ビット）の選択信号ＳＳ０〜ＳＳ７を生成する。例えば、選択信号生成回路４０は、上記第１期間後のクロック信号ＣＬＫの立ち下がりエッジ発生時における出力信号Ｄ１〜Ｄ７の信号レベルの組み合わせに応じて、選択信号ＳＳ０〜ＳＳ７を生成する。そして、選択信号生成回路４０は、生成した選択信号ＳＳ０〜ＳＳ７を制御回路４１に出力する。

• 公開日：2016/08/04
• 出典：半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の試験方法
• 出願人：株式会社ソシオネクスト

ストレージ装置は、物理記憶デバイスとして、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）や、フラッシュメモリ（以下、ＦＭ）を有する物理記憶デバイス、例えば、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）を含む。

• 公開日：2018/02/22
• 出典：ストレージ装置、記録媒体、および記憶制御方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

ヒータ用ＳＳＲを適切に冷却することができるガスクロマトグラフ装置を提供する。

• 公開日：2017/01/12
• 出典：ガスクロマトグラフ装置
• 出願人：株式会社島津製作所

レギュレータ回路において、回路を構成するＦＥＴのピンチオフ電圧が所望の値よりもずれると、レギュレータ回路を含む回路における各部電圧が大きく変動し、動作に不具合が生じる場合がある。例えば、上記図５の構成例の正負電圧論理回路４０では、レギュレータ回路３０のＦＥＴのピンチオフ電圧の変動に対して出力電圧ＶＲＥＧが変動すると、この出力電圧ＶＲＥＧを用いて駆動する負電圧出力チャージポンプ回路５０の出力の負電圧ＶＳＳが大きく変動する。これにより、正負電圧論理回路４０が正常に動作する負電圧ＶＳＳの電圧範囲を外れてしまい、半導体スイッチ回路１０を適切に制御できない場合が生じ得る。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：負電圧発生回路、正負電圧論理回路、及び高周波スイッチ回路
• 出願人：新日本無線株式会社

ＬＴＥでは、セルサーチが効率的に行われるように、ＯＦＤＭＡに適した階層型同期信号が規定されている。具体的には、階層型同期信号は、第１同期信号(ＰＳＳ: Primary Synchronization Signal)、及び第２同期信号(ＳＳＳ: Secondary Synchronization Signal)から構成されている（例えば、非特許文献２参照）。

• 公開日：2016/12/15
• 出典：セルサーチ方法及びユーザ装置
• 出願人：株式会社ＮＴＴドコモ