Nチャネル の意味・用法を知る

ＩＣコントローラ１００は、ＣＰＵサブシステム１０２と、周辺（ペリフェラル）インターコネクト１１４と、システムリソース１１６と、種々の入力／出力（Ｉ／Ｏ）ブロック１１８Ａ〜１１８Ｃと、ＵＳＢサブシステム２００とを有している。ＵＳＢサブシステム２００は、１つ以上のゲートドライバ回路２０２を有している。各ゲートドライバ回路２０２は、ＩＣコントローラ１００に対し外部にあるパワーパス部内に結合しうるＮチャネルパワーＦＥＴ又はＰチャネルパワーＦＥＴの何れを制御するかを選択するように設定可能及びプログラム可能となっている。

• 公開日：2018/01/11
• 出典：ＵＳＢ電力供給且つＴｙｐｅ－Ｃ　ＳｏＣ用の設定可能な及び電力最適化された集積化ゲートドライバ
• 出願人：サイプレスセミコンダクターコーポレイション

ｍ個の発振回路ＯＣ１〜ＯＣｍには、ｍ個のＮチャネルの列選択ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；金属酸化膜半導体型の電界効果トランジスターであり、以下、単にトランジスターという）ＴＲ１〜ＴＲｍ（「第１の選択スイッチ」の例示）のソースが電気的に接続されている。このｍ個の列選択トランジスターＴＲ１〜ＴＲｍのゲートには、列線Ｃ１〜Ｃｍが電気的に接続されている。そして、ｍ個の列選択トランジスターＴＲ１〜ＴＲｍのドレインは、接続線ＬＤＯＵＴに共通接続されており、この接続線ＬＤＯＵＴはカウンター３０に接続されている。

• 公開日：2017/04/27
• 出典：計測装置
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

レベルシフタ１では、正電圧出力モードから状態１および２を経て負電圧出力モードに切り換わる。正電圧出力モードから状態１に切り換わると、第４の電源電圧ＶＢＢ＝−２．５Ｖとなる。この状態１において、入力論理信号ＩＮが３．３Ｖであると、ＮチャネルトランジスタＭ４のドレインには３．３Ｖ−Ｖｔｈの電圧が与えられ、ゲートには−２．５Ｖの電圧が与えられるため、ゲート−ドレイン間の電圧は、５．８Ｖ−Ｖｔｈとなる。ＮチャネルトランジスタＭ４の耐圧は６Ｖなので、ＮチャネルトランジスタＭ４が破壊されることがない。

• 公開日：2017/06/08
• 出典：半導体集積回路
• 出願人：凸版印刷株式会社

前記トランスミッションゲートは、Ｐチャネル電界効果トランジスターとＮチャネル電界効果トランジスターとからなり、前記ゲート電圧発生手段が出力する定電圧を当該Ｐチャネル電界効果トランジスターのサブストレート、または当該Ｎチャネル電界効果トランジスターのサブストレートに供給するようにしたことを特徴とする請求項２または３に記載のＣＲ発振回路。

• 公開日：2016/12/01
• 出典：ＣＲ発振回路
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

電源端子６０とグランド端子６１の間には、抵抗６０９及び６１０が直列に接続されている。Ｎチャネルトランジスタ６１２のゲートは抵抗６０９と抵抗６１０の接続点に接続され、ドレインは出力端子６２に接続され、ソースはグランド端子６１に接続されている。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：過熱検出回路、過熱保護回路、及び半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

半導体基板の上に複数層の金属配線が設けられた半導体集積回路装置であって、前記半導体基板に設けられた第１Ｐウエル領域と、前記半導体基板に設けられた第２Ｐウエル領域と、前記第１Ｐウエル領域と前記第２Ｐウエル領域との間の領域に設けられた第１Ｎウエル領域と、前記第１Ｐウエル領域に設けられた第１および第３Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタと、前記第２Ｐウエル領域に設けられた第２および第４Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタと、前記第１Ｎウエル領域に設けられる第１および第２Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタとを有する第１メモリセルと、前記第１Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲートおよび前記第１Ｎチャネル型ＭＯＳトランジ...

• 公開日：2018/03/01
• 出典：半導体集積回路装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

前記複数のＭＯＳトランジスターの各々は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスター又はＮチャネル型ＭＯＳトランジスターであり、前記複数の抵抗のうち、第１の抵抗は、高電位側の端子が前記Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスターと接続され、かつ、低電位側の端子が前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスターと接続されており、前記複数の抵抗のうち、前記第１の抵抗よりも高電位側の各抵抗は、一端が互いに異なる前記Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスターと接続されており、前記複数の抵抗のうち、前記第１の抵抗よりも低電位側の各抵抗は、一端が互いに異なる前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスターと接続されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＤ／...

• 公開日：2016/07/25
• 出典：Ｄ／Ａ変換回路、発振器、電子機器及び移動体
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

前記複数のＭＯＳトランジスターは、複数のＰチャネル型ＭＯＳトランジスターと複数のＮチャネル型ＭＯＳトランジスターで構成され、前記半導体基板の平面視において、前記複数のＰチャネル型ＭＯＳトランジスターの各々は、前記抵抗体の長手方向と平行な一方の端部と対向するように配置され、前記複数のＮチャネル型ＭＯＳトランジスターの各々は、前記抵抗体の長手方向と平行な他方の端部と対向するように配置されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のＤ／Ａ変換回路。

• 公開日：2016/07/25
• 出典：Ｄ／Ａ変換回路、発振器、電子機器及び移動体
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

前記定電流回路を構成するＮチャネルデプレッショントランジスタと、前記電圧制御電流回路を構成するＮチャネルデプレッショントランジスタは、ゲート電圧が等しいことを特徴とする請求項１記載の温度検出回路。

• 公開日：2016/05/23
• 出典：温度検出回路及び半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

...き；前記チャネルアクセスルールを前記複数のＭＢＡＮシステムに通信し、ここで、前記複数のＭＢＡＮシステムのうちのあるＭＢＡＮシステムは、該ＭＢＡＮシステムに割り当てられたＭＢＡＮ優先順位に対応する、前記チャネルセットからのチャネルを使用する；ように構成される少なくとも１つのコントローラを備える、ＭＢＡＮチャネル管理システム。

• 公開日：2016/08/22
• 出典：患者の緊急度情報（ＡＣＵＩＴＹ　ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮ）を使用するＭＢＡＮチャネル管理スキーム
• 出願人：シグニファイホールディングビーヴィ