シリコン酸化膜 の意味・用法を知る

経時変化が抑制されると共に、エッチング量の制御が容易な シリコン酸化膜 を製造可能なシリコン酸化膜の製造方法等を提供する。

• 公開日：2017/11/02
• 出典：シリコン酸化膜の製造方法
• 出願人：ＳＰＰテクノロジーズ株式会社

半導体装置は、基板上に順に配置された第１の シリコン酸化膜 、第１のシリコン窒化膜、第２のシリコン酸化膜、第１のゲート電極を含むメモリートランジスターと、基板上に順に配置された第３のシリコン酸化膜及び第２のゲート電極を含むＭＯＳトランジスターとを備え、メモリートランジスターが、第１のシリコン酸化膜の延在部と、第１のシリコン窒化膜に接する第２のシリコン窒化膜と、第４のシリコン酸化膜とが基板上に順に配置されたサイドウォールを有し、ＭＯＳトランジスターが、基板上に配置された第５のシリコン酸化膜を含むサイドウォールを有する。

• 公開日：2018/02/15
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：セイコーエプソン株式会社

良質な シリコン酸化膜 を、簡便かつ容易に、工業的有利に成膜できる成膜方法を提供する。

• 公開日：2017/06/22
• 出典：シリコン酸化膜の製造方法
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

しかし、強誘電体メモリ装置の微細化が進み、設計ルールが小さくなると、半導体基板と シリコン酸化膜 の熱膨張係数の違いにより結晶欠陥が生じ、メモリセルの電流リークが発生する。

• 公開日：2017/12/28
• 出典：強誘電体メモリ装置
• 出願人：富士通セミコンダクター株式会社

有機トランジスタなども同様に、ゲート絶縁膜として シリコン酸化膜 を低温で成膜することが望まれている

• 公開日：2017/06/22
• 出典：無機酸化膜の成膜方法
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

例えば、非特許文献１や特許文献１には、 シリコン酸化膜 のエッチングには、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８といったフルオロカーボンや、ＣＨ３Ｆ、Ｃ５ＨＦ７といったハイドロフルオロカーボンを処理ガスとして用いる方法が記載されている。

• 公開日：2017/08/10
• 出典：プラズマエッチング方法
• 出願人：日本ゼオン株式会社

電極基板の貫通電極部周辺に配置した シリコン酸化膜 の端部の直上に、シリコン酸化膜と直接密着するように水分透過防止膜が形成されている構造とする。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：物理量センサ
• 出願人：日立オートモティブシステムズ株式会社

選択的に シリコン酸化膜 又はシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチングガス組成物を提供する。

• 公開日：2016/08/18
• 出典：ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法
• 出願人：関東電化工業株式会社

安価、かつ、安全な原料を用いて、低温で簡便、かつ、容易に工業的有利に、 シリコン酸化膜 を成膜できる成膜方法を提供する。

• 公開日：2017/01/26
• 出典：シリコン酸化膜の成膜方法
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

シリコン酸化膜 とシリコン窒化膜との界面に生じる段差を除去することを目的とする。

• 公開日：2017/06/08
• 出典：プラズマエッチング方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社