シリコン酸化膜 の意味・用法を知る

電極基板の貫通電極部周辺に配置した シリコン酸化膜 の端部の直上に、シリコン酸化膜と直接密着するように水分透過防止膜が形成されている構造とする。

• 公開日：2018/03/01
• 出典：物理量センサ
• 出願人：日立オートモティブシステムズ株式会社

選択的に シリコン酸化膜 又はシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチングガス組成物を提供する。

• 公開日：2016/08/18
• 出典：ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法
• 出願人：関東電化工業株式会社

安価、かつ、安全な原料を用いて、低温で簡便、かつ、容易に工業的有利に、 シリコン酸化膜 を成膜できる成膜方法を提供する。

• 公開日：2017/01/26
• 出典：シリコン酸化膜の成膜方法
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

シリコン酸化膜 とシリコン窒化膜との界面に生じる段差を除去することを目的とする。

• 公開日：2017/06/08
• 出典：プラズマエッチング方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

三塩化ホウ素ＢＣｌ３又は四塩化ケイ素ＳｉＣｌ４のいずれかと、臭化水素ＨＢｒとからなるガスから生成されたプラズマにより、第１のマスクに形成された所望のパターンに酸化ジルコニウム膜を含む膜をエッチングする工程を有するプラズマエッチング方法であって、前記酸化ジルコニウム膜の下地膜が シリコン酸化膜 、もしくはアモルファスカーボンであり、前記下地膜に対する酸化ジルコニウム膜のエッチング選択比が１以上である、プラズマエッチング方法が提供される。

• 公開日：2016/12/01
• 出典：プラズマエッチング方法、パターン形成方法及びクリーニング方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

シリコン酸化膜 を高選択的にエッチング可能な、プラズマエッチングガスを提供する。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：プラズマエッチング方法
• 出願人：日本ゼオン株式会社

積層絶縁膜ＳＯＮでは、たとえば、 シリコン酸化膜 、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が順次積層されている。

• 公開日：2017/03/02
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

...る模式図。 従来技術に係る抵抗変化素子のオンオフ動作の繰り返しによる絶縁破壊領域の成長を模式的に示すとともに、当該繰り返しによるオン抵抗及びオフ抵抗の変化も示す図。 本発明による抵抗変化素子の動作を示すとともに、当該抵抗変化素子では図４で示した絶縁破壊が起こらないことを説明する模式図。 １．３ｎｍの シリコン酸化膜 を挿入した本発明の実施例の抵抗変化素子のオンオフ動作の繰り返しによる電圧−電流特性変化の測定結果を示す図。 １．３ｎｍのシリコン酸化膜を挿入した本発明の実施例の抵抗変化素子の動作におけるオン抵抗及びオフ抵抗の変化を示す図。 ２ｎｍのシリコン酸化膜を挿入した本発明の実施例の抵抗変化素子の...

• 公開日：2016/05/12
• 出典：抵抗変化素子
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

マスクの開口のアスペクト比が高くても、被処理体上に形成される シリコン酸化膜 の膜厚のバラツキを低減させる。

• 公開日：2016/08/08
• 出典：被処理体を処理する方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

そこで、従来、水酸基（ＯＨ基）に吸着しやすい有機アミノシランガスと酸化ガスとを反応させて、トレンチ等の凹部に シリコン酸化膜 を埋め込む方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。

• 公開日：2017/08/03
• 出典：成膜方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社