シリコン酸化膜 の意味・用法を知る
シリコン酸化膜 とは、半導体メモリ や絶縁膜の形成 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 やルネサスエレクトロニクス株式会社 などが関連する技術を61,864件開発しています。
このページでは、 シリコン酸化膜 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
シリコン酸化膜の意味・用法
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良質な シリコン酸化膜 を、簡便かつ容易に、工業的有利に成膜できる成膜方法を提供する。
- 公開日:2017/06/22
- 出典:シリコン酸化膜の製造方法
- 出願人:株式会社FLOSFIA
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しかし、強誘電体メモリ装置の微細化が進み、設計ルールが小さくなると、半導体基板と シリコン酸化膜 の熱膨張係数の違いにより結晶欠陥が生じ、メモリセルの電流リークが発生する。
- 公開日:2017/12/28
- 出典:強誘電体メモリ装置
- 出願人:富士通セミコンダクター株式会社
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有機トランジスタなども同様に、ゲート絶縁膜として シリコン酸化膜 を低温で成膜することが望まれている
- 公開日:2017/06/22
- 出典:無機酸化膜の成膜方法
- 出願人:株式会社FLOSFIA
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例えば、非特許文献1や特許文献1には、 シリコン酸化膜 のエッチングには、C4F6、C4F8、C5F8といったフルオロカーボンや、CH3F、C5HF7といったハイドロフルオロカーボンを処理ガスとして用いる方法が記載されている。
- 公開日:2017/08/10
- 出典:プラズマエッチング方法
- 出願人:日本ゼオン株式会社
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電極基板の貫通電極部周辺に配置した シリコン酸化膜 の端部の直上に、シリコン酸化膜と直接密着するように水分透過防止膜が形成されている構造とする。
- 公開日:2018/03/01
- 出典:物理量センサ
- 出願人:日立オートモティブシステムズ株式会社
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選択的に シリコン酸化膜 又はシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチングガス組成物を提供する。
- 公開日:2016/08/18
- 出典:ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法
- 出願人:関東電化工業株式会社
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安価、かつ、安全な原料を用いて、低温で簡便、かつ、容易に工業的有利に、 シリコン酸化膜 を成膜できる成膜方法を提供する。
- 公開日:2017/01/26
- 出典:シリコン酸化膜の成膜方法
- 出願人:株式会社FLOSFIA
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シリコン酸化膜 とシリコン窒化膜との界面に生じる段差を除去することを目的とする。
- 公開日:2017/06/08
- 出典:プラズマエッチング方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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三塩化ホウ素BCl3又は四塩化ケイ素SiCl4のいずれかと、臭化水素HBrとからなるガスから生成されたプラズマにより、第1のマスクに形成された所望のパターンに酸化ジルコニウム膜を含む膜をエッチングする工程を有するプラズマエッチング方法であって、前記酸化ジルコニウム膜の下地膜が シリコン酸化膜 、もしくはアモルファスカーボンであり、前記下地膜に対する酸化ジルコニウム膜のエッチング選択比が1以上である、プラズマエッチング方法が提供される。
- 公開日:2016/12/01
- 出典:プラズマエッチング方法、パターン形成方法及びクリーニング方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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シリコン酸化膜 を高選択的にエッチング可能な、プラズマエッチングガスを提供する。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:プラズマエッチング方法
- 出願人:日本ゼオン株式会社
シリコン酸化膜の問題点 に関わる言及
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薄い シリコン酸化膜 を形成しようとした場合、乾燥酸化法と比較すると、加湿酸化法では酸化速度が早いため、例えば、酸化温度を低温とし、しかも酸化時間を短くしなければならない。しかしながら、酸化時間の短縮化は、シリコン酸化膜の膜厚の均一化を妨げるという問題がある。従って、加湿酸化法を採用して薄いシリコン酸化膜を形成する場合、別の方法で酸化速度の抑制を図らなければならない。
- 公開日: 1999/06/18
- 出典: 酸化膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法
- 出願人: ソニー株式会社
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このように薄い シリコン酸化膜 を形成しようとした場合、乾燥酸化法と比較すると、加湿酸化法では酸化速度が早いため、酸化温度を低温にし、しかも酸化時間を短くしなければならない。しかしながら、酸化温度の低温化は、シリコン酸化膜の密度を低下させるという問題がある。また、酸化時間の短縮化は、シリコン酸化膜の膜厚の均一化を妨げるという問題がある。従って、加湿酸化法を採用して薄いシリコン酸化膜を形成する場合、酸化速度の抑制を図らなければならない。
- 公開日: 1997/07/31
- 出典: シリコン酸化膜の形成方法
- 出願人: ソニー株式会社
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ところで、薄い シリコン酸化膜 を形成しようとした場合、乾燥酸化法と比較すると、加湿酸化法では酸化速度が早いため、例えば、酸化温度を低温とし、しかも酸化時間を短くしなければならない。しかしながら、酸化温度の低温化は、シリコン酸化膜の密度を低下させるという問題がある。また、酸化時間の短縮化は、シリコン酸化膜の膜厚の均一化を妨げるという問題がある。従って、加湿酸化法を採用して薄いシリコン酸化膜を形成する場合、別の方法で酸化速度の抑制を図らなければならない。
- 公開日: 1998/04/14
- 出典: 半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法
- 出願人: ソニー株式会社
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また、薄い シリコン酸化膜 を形成しようとした場合、乾燥酸化法と比較すると、加湿酸化法では酸化速度が早いため、例えば、酸化温度を低温とし、しかも酸化時間を短くしなければならない。しかしながら、酸化時間の短縮化は、シリコン酸化膜の膜厚の均一化を妨げるという問題がある。従って、加湿酸化法を採用して薄いシリコン酸化膜を形成する場合、別の方法で酸化速度の抑制を図らなければならない。
- 公開日: 1999/06/18
- 出典: 酸化膜の形成方法
- 出願人: ソニー株式会社
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