シリコン窒化膜 の意味・用法を知る

選択的にシリコン酸化膜又は シリコン窒化膜 をエッチングするドライエッチングガス組成物を提供する。

• 公開日：2016/08/18
• 出典：ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法
• 出願人：関東電化工業株式会社

水分の浸入を防ぐために半導体装置の表面には一様な厚さの シリコン窒化膜 が配置される。

• 公開日：2016/09/23
• 出典：半導体装置
• 出願人：エイブリック株式会社

シリコン酸化膜と シリコン窒化膜 との界面に生じる段差を除去することを目的とする。

• 公開日：2017/06/08
• 出典：プラズマエッチング方法
• 出願人：東京エレクトロン株式会社

前記保護膜は、シリコン酸化膜と、その上に形成された シリコン窒化膜 とからなり、前記ヒューズ素子上には前記シリコン窒化膜を除去した開口部が設けられていることを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置。

• 公開日：2016/09/23
• 出典：半導体集積回路装置およびその製造方法
• 出願人：エイブリック株式会社

このような シリコン窒化膜 の選択的なエッチング処理を実行する手法として、高温（１４０℃〜１８０℃）のリン酸水溶液をエッチング液として使用するプロセスが知られている。

• 公開日：2018/04/05
• 出典：エッチング液および基板処理方法
• 出願人：株式会社東芝

処理部は、リン酸とシリカ析出抑制剤とを含むエッチング液が供給され、エッチング液に、表面に シリコン窒化膜 を有する基板を接触させて、基板からシリコン窒化膜を除去する。

• 公開日：2017/06/29
• 出典：基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液
• 出願人：東芝メモリ株式会社

シリコン窒化膜 エッチング後の導体膜や半導体膜上に半導体膜や電極等の導体膜を形成する場合において、接触抵抗を低く抑えることができるシリコン窒化膜用のエッチング剤やエッチング方法を提供する。

• 公開日：2016/01/28
• 出典：シリコン窒化膜用エッチング剤、エッチング方法
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

樹脂基材と、樹脂基材の表面の少なくとも一部に設けられた シリコン窒化膜 を含むガスバリア層とを備え、シリコン窒化膜は、膜密度が２．００ｇ／ｃｍ３以上であり、膜厚が５ｎｍ以上である、ガスバリア性樹脂基材を選択する。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：ガスバリア性樹脂基材の製造方法
• 出願人：大陽日酸株式会社

次に、 シリコン窒化膜 の成膜後のウェーハ表面をレーザー表面検査装置を用いて検査して、該表面の欠陥分布を取得する（Ｓ３）。

• 公開日：2016/12/15
• 出典：欠陥検査方法
• 出願人：信越半導体株式会社

膜２は例えば、シリコン膜、シリコン酸化膜、 シリコン窒化膜 、金属膜などである。

• 公開日：2020/03/26
• 出典：基板処理装置、半導体装置の製造方法、および被加工基板
• 出願人：東芝メモリ株式会社