MIS の意味・用法を知る

特に、用語「実質的類似」は、配列番号：２または３によりコードされる組換えヒト MIS タンパク質と比較した組換えヒトMISタンパク質の機能的バリアントを含む組換えヒトMISタンパク質を定義するのに用いる場合、特定の対象の配列、たとえば、組換えヒトMISタンパク質のバリアントまたは誘導体配列が、その正味の効果は本明細書に開示される組換えヒトMISタンパク質において見出される生物学的活性の少なくともいくらかを保持することである

• 登録日：2020/04/30
• 出典：疾患の治療のための改変されたミュラー管抑制物質（ＭＩＳ）タンパク質およびその使用
• 出願人：ザ、ゼネラル、ホスピタル、コーポレーション

なお、以下の説明では、不揮発性メモリセルが形成される領域をメモリセル領域１Ａ、低電圧ＭＩＳトランジスタが形成される領域を低電圧ＭＩＳ領域１Ｂ、高電圧ＭＩＳトランジスタが形成される領域を高電圧ＭＩＳ領域１Ｃと言う。図１〜図１７では、図の左側から右側に向かって、順にメモリセル領域１Ａ、低電圧ＭＩＳ領域１Ｂ、および高電圧ＭＩＳ領域１Ｃを示している。

• 公開日：2017/11/16
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

...。 （Ａ）〜（Ｊ）は、実施の形態２に係わる半導体装置の波形を示す波形図である。 実施の形態２に係わる半導体装置の電流波形を模式的に示す波形図である。 実施の形態２に係わる半導体装置の電流変動を示す波形図である。 実施の形態２に係わるＰＲＰＧ制御回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態２に係わるＭＩＳＲ制御回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態３に係わる半導体装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態３に係わる半導体装置の動作を示すフローチャート図である。 （Ａ）〜（Ｊ）は、実施の形態３に係わる半導体装置の波形を示す波形図である。 実施の形態３に係わる半導体装置の電流波形を模式...

• 登録日：2018/12/21
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

燃焼行程で発生するトルクに応じて変動する失火パラメータＭＩＳＣを検出する。この失火パラメータが所定のしきい値Ｔｈ以下の場合に、内燃機関の失火と判定する。内燃機関の全運転点において、失火パラメータがしきい値Ｔｈを超えるように、車両特性を設定する。例えば、フライホイールのダンパーの剛性を所定値Ｑ１よりも低い範囲Ｒ１内で設定する。

• 公開日：2016/06/23
• 出典：内燃機関の失火診断装置
• 出願人：日産自動車株式会社

統合ＭＩＳＨＦＥＴおよびＨＦＥＴまたは他のショットキー構造を有する半導体デバイスを提供する。

• 公開日：2014/09/08
• 出典：ＭＩＳＨＦＥＴおよびショットキーデバイスの統合
• 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

...囲をより広くすることが可能となる。質量フィルタを通過した後、ビームをクロスオーバーするように集束させる場合、ほぼ同一の平面全体において多様なクロスオーバーが生じる可能性があり、そこでは、各クロスオーバーはビーム中で異なる質量電荷比に対応するものとなる。例えば、シリコン−金の合金の液体金属イオン源（ＬＭＩＳ）では、典型的には、１価及び２価に帯電したシリコン及び金の単原子イオン、並びに、１価又は多価に帯電したシリコン及び／又は金の多原子イオンによる複数のクロスオーバーが生じることがある。

• 公開日：2012/11/15
• 出典：荷電粒子ビームのフィルタ、集束イオンビームカラム及びイオンのフィルタリング方法
• 出願人：エフイーアイカンパニー

抗腫瘍ペプチド（CPP44-RI-p16 MIS ）において、CPP44をTATに代えたペプチドは腫瘍病変への送達能がほとんどないことを示す写真である。

• 公開日：2016/04/14
• 出典：大腸癌細胞選択的膜透過性ペプチドおよびその利用
• 出願人：愛知県

選択用ｎＭＩＳの選択ゲート電極ＣＧの側面に絶縁膜を介して、サイドウォール形状のメモリ用ｎＭＩＳのメモリゲート電極ＭＧが自己整合により設けられたメモリセルの給電領域において、メモリゲート電極ＭＧに電圧を供給するプラグＰＭが、メモリゲート電極ＭＧ上に形成された層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホールＣＭの内部に埋め込まれて、メモリゲート電極ＭＧと電気的に接続している。選択ゲート電極ＣＧの上面にはキャップ絶縁膜ＣＡＰが形成されている。

• 公開日：2016/06/09
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

便宜上、この化合物は MIS -Clと省略する。

• 公開日：2014/10/09
• 出典：グアニジル基およびアミノ基の保護のためのインドールスルホニル保護基
• 出願人：ロンザリミテッド

...領域１Ｃのｐ型トランジスタＱＰを示している。ｎ型トランジスタＱＮおよびｐ型トランジスタＱＰは、ロジック回路領域のロジック回路などを構成している。ｎ型トランジスタＱＮとしてはｎ型のＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor、ＭＩＳ型の電界効果トランジスタ）を例示する。ｐ型トランジスタＱＰとしては、ｐ型のＭＩＳＦＥＴを例示する。ここでは、ｎ型のＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳと呼び、ｐ型のＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳと呼ぶ場合がある。

• 公開日：2021/01/07
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社