MEM の意味・用法を知る

ケーシングにＭＥＭＳ音響チップ及び音響抵抗体が収容され、ケーシングに第１音孔と第２音孔が形成される。ＭＥＭＳ音響チップは、ケーシングに固定され、音を電気信号に変換するための振動板電極が形成される。音響抵抗体は、凹陥状を呈する凹陥部の開口縁がケーシングに固定され前記凹陥部の奥部に前記ケーシング内に連通する連通音孔を有する。第１音孔は、ケーシングの外からＭＥＭＳ音響チップ内に連通する。第２音孔は、ケーシングの外から音響抵抗体の凹陥部内に連通する。第２音孔から前記音響抵抗体の連通音孔までの距離は前記第１音孔からＭＥＭＳ音響チップの振動板電極までの距離以上に設定されている。

• 公開日：2016/10/20
• 出典：単一指向性ＭＥＭＳマイクロホン
• 出願人：株式会社プリモ

本開示の実施形態は、微少電気機械システム（ＭＥＭＳ）検知装置に関し、該装置は、光ビームを発生するように構成されたレーザ装置と、光ビームを受け取り出力するように構成された第１の導波路と、第１の導波路と端面同士がアライメントされた第２の導波路とを有する。第２の導波路はアライメントされた端面を通した光学的結合を介して、第１の導波路からの光ビームの少なくとも一部を受け取るように構成されていてもよい。第１または第２の導波路は、装置の慣性変化に応じて可動に構成され、第１または第２の導波路の動きにより、慣性変化の尺度を示す第２の光ビームの一部の光強度が対応して変化する、他の実施形態は説明するか請求項に記載した。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：光学式慣性センサ
• 出願人：インテルコーポレイシヨン

...ーフロードレイン（以下、「ＯＦＤ」と表記する）制御トランジスタ１０９のソースに接続されている。第１転送トランジスタ１０４のドレインは、第２転送トランジスタ１０５のソースに接続されている。第１転送トランジスタ１０４のドレインと第２転送トランジスタ１０５のソースとの間の接続ノードは、電荷蓄積部（以下、「ＭＥＭ」と表記する）１０２を構成している。図１には、ＭＥＭ１０２を容量素子で表している。第２転送トランジスタ１０５のドレインは、リセットトランジスタ１０６のソース及び増幅トランジスタ１０７のゲートに接続されている。第２転送トランジスタ１０５のドレイン、リセットトランジスタ１０６のソース及び増幅トラン...

• 公開日：2016/06/20
• 出典：固体撮像装置及びその駆動方法
• 出願人：キヤノン株式会社

図２は、キャッシュメモリおよびキャッシュメモリの制御方法の別の実施形態を示す図である。なお、キャッシュメモリＣＭＥＭの構成は、図２に示す例に限定されない。図１で説明した要素と同一または同様の要素については、同一または同様の符号を付し、これ等については、詳細な説明を省略する。図２以降では、カウンタ（ＣＴａ、ＣＴｂ、ＵＤＣａ、ＵＤＣｂ等）のカウント値には、カウンタと同じ符号を使用する。

• 公開日：2017/05/18
• 出典：キャッシュメモリおよびキャッシュメモリの制御方法
• 出願人：富士通株式会社

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）ベースのファブリペロー（ＦＰ）フィルターキャビティ調整を伴う波長可変利得媒質を、波長可変レーザーとして提供する。当該システムは、波長選択用のレーザーキャビティとフィルターキャビティとを含む。レーザーキャビティは、半導体光増幅器（ＳＯＡ）等の利得媒質と、２つのコリメーティングレンズと、端部反射器とからなる。ＭＥＭＳ−ＦＰフィルターキャビティは、静電力で制御可能な、固定反射器と可動反射器とを含む。ＭＥＭＳ反射器を動かすことによって、ＦＰフィルターキャビティ長を変えることで、波長を調整することができる。ＭＥＭＳ−ＦＰフィルターキャビティ変位は、ステップ電圧によって離散...

• 公開日：2016/12/22
• 出典：波長可変ＭＥＭＳファブリペローフィルター
• 出願人：インフェニックスインコーポレイテッド

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）ミラー製品（素子）は、複数の異なる特性をそれぞれ検査して良否判定を行う必要がある。従来、２軸ＭＥＭＳミラー製品を検査するためには、複数の異なる特性をそれぞれ検査するために、複数の検査装置が用いられていた。

• 公開日：2015/11/05
• 出典：検査システム
• 出願人：株式会社リコー

［１］イオン液体の合成 ［合成例１］ＭＥＭＰ・ＦＳＡの合成

• 公開日：2016/06/30
• 出典：金属空気電池用電解液
• 出願人：日清紡ホールディングス株式会社

図２は第１の実施形態に係る画素１００の回路図である。画素１００は、光電変換部（ＰＤ）２０１、２０２、電荷保持部（ＭＥＭ）２０３、２０４及びフローティングディフュージョン（ＦＤ）２０５を有する。ＰＤ２０１、２０２は、入射された光量に応じた電荷を生成するフォトダイオード等の光電変換素子を有する。ＭＥＭ２０３、２０４はＰＤ２０１、２０２で生成された電荷を一時的に保持する素子である。

• 公開日：2016/05/12
• 出典：撮像装置及び撮像システム
• 出願人：キヤノン株式会社

本発明の実施形態は、概して微小電子デバイスに関し、より詳細には、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサおよび他の閉キャビティＭＥＭＳデバイス、ならびにそのようなＭＥＭＳデバイスを作製するための方法に関する。

• 公開日：2014/08/14
• 出典：亀裂抵抗性膜構造を有する微小電気機械システムデバイスおよびその作製方法
• 出願人：エヌエックスピーユーエスエーインコーポレイテッド

基板１００（第１基板）は、第１面１０２にＭＥＭＳを有している。凹部１１０は、基板１００の第１面１０２のうちＭＥＭＳとは異なる領域に形成されている。接着層２００は、少なくとも一部が凹部１１０に埋め込まれている。基板３００（第２基板）は、接着層２００を介して基板１００に接合されている。基板３００は、基板１００に垂直な方向から見た場合にＭＥＭＳとは重ならない。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：電子装置
• 出願人：富士電機株式会社