MEM の意味・用法を知る

［１］イオン液体の合成 ［合成例１］ＭＥＭＰ・ＦＳＡの合成

• 公開日：2016/06/30
• 出典：金属空気電池用電解液
• 出願人：日清紡ホールディングス株式会社

図２は第１の実施形態に係る画素１００の回路図である。画素１００は、光電変換部（ＰＤ）２０１、２０２、電荷保持部（ＭＥＭ）２０３、２０４及びフローティングディフュージョン（ＦＤ）２０５を有する。ＰＤ２０１、２０２は、入射された光量に応じた電荷を生成するフォトダイオード等の光電変換素子を有する。ＭＥＭ２０３、２０４はＰＤ２０１、２０２で生成された電荷を一時的に保持する素子である。

• 公開日：2016/05/12
• 出典：撮像装置及び撮像システム
• 出願人：キヤノン株式会社

本発明の実施形態は、概して微小電子デバイスに関し、より詳細には、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサおよび他の閉キャビティＭＥＭＳデバイス、ならびにそのようなＭＥＭＳデバイスを作製するための方法に関する。

• 公開日：2014/08/14
• 出典：亀裂抵抗性膜構造を有する微小電気機械システムデバイスおよびその作製方法
• 出願人：エヌエックスピーユーエスエーインコーポレイテッド

基板１００（第１基板）は、第１面１０２にＭＥＭＳを有している。凹部１１０は、基板１００の第１面１０２のうちＭＥＭＳとは異なる領域に形成されている。接着層２００は、少なくとも一部が凹部１１０に埋め込まれている。基板３００（第２基板）は、接着層２００を介して基板１００に接合されている。基板３００は、基板１００に垂直な方向から見た場合にＭＥＭＳとは重ならない。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：電子装置
• 出願人：富士電機株式会社

実質的に凸形状の上面を有するＲＦ電極と、前記ＲＦ電極の凸形状の上面上に配置された実質的に凹部を有するプレート電極とを備えたＭＥＭＳＤＶＣ。

• 公開日：2016/12/08
• 出典：改善されたＣＭＡＸのための湾曲したＲＦ電極
• 出願人：キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド

本発明は一般的に、ＭＥＭＳデジタル可変キャパシタ（ＤＶＣ）（９００）及びその製造のための方法に関する。ＭＥＭＳＤＶＣ内の可動プレート（９３８）はＭＥＭＳＤＶＣの適切な動作を確実とするために同一の応力レベルを有するべきである。同一の応力レベルを取得するために、製造中可動プレートはＣＭＯＳ接地から分離される。プレートが完全に形成された後に可動プレートはＣＭＯＳ接地に電気的だけに結合される。その結合は、可動プレートをＣＭＯＳ接地に電気的に結合させる層と同じプルアップ電極を形成する層（９４８）を用いることにより生じる。同一の層は可動プレートをＣＭＯＳ接地に結合させ、またＭＥＭＳＤＶＣに対するプルアップ...

• 公開日：2016/09/08
• 出典：ＭＥＭＳデジタル可変キャパシタ（ＤＶＣ）の処理中の応力制御
• 出願人：キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド

本発明によれば、ＣＭＯＳ工程を通じてＩＣチップ内に集積されて形成され、ＩＣチップに含まれたトランジスタの差動信号線に連結される第１金属線路と、ＭＥＭＳ工程を通じてＭＥＭＳチップ内に形成され、第１金属線路の上部に離隔した状態で第１金属線路と磁気的に結合される第２金属線路と、を含み、ＭＥＭＳチップは、ＩＣチップの上部に積層されている差動増幅器のための高周波変圧器を提供する。本発明は、差動構造の増幅器のための変圧器を形成するに当って、変圧器の１次側線路は、ＣＭＯＳ工程を通じる回路チップ内に増幅段と共に集積させて形成し、２次側線路は、ＭＥＭＳまたはＩＰＤ工程を通じる回路チップ内に形成することによって、...

• 公開日：2017/08/03
• 出典：差動増幅器のための高周波変圧器
• 出願人：スンシルユニバーシティーリサーチコンソルティウムテクノーパーク

本発明はＭＥＭＳ搬送方法、製造方法、デバイス及び機器を開示する。ＭＥＭＳ搬送に用いられる該方法は、レーザー透明性のキャリアの第１表面にレーザー吸収層を蒸着させることと、レーザー吸収層にＭＥＭＳ構造を形成することと、ＭＥＭＳ構造を吸収体に付着させることと、キャリアを除去するために、キャリア側からレーザー剥離を実行することと、を含む。本発明は、簡単、低コストの方式により高品質のＭＥＭＳ構造の搬送を実現することができる。

• 公開日：2018/01/25
• 出典：ＭＥＭＳの搬送方法、製造方法、デバイス及び機器
• 出願人：ゴルテック．インク

時分割処理方式に代わる信号検出とサーボ制御との同時動作方式を、製造バラツキの大きいＭＥＭＳプロセスでも実現できる加速度センサを提供する。 ＭＥＭＳ静電容量型の加速度センサであり、前記加速度センサは、信号検出用の容量素子と、それらと異なるサーボ制御用の容量素子とを有する。サーボ制御用の容量素子には、信号検出用の容量素子による加速度の検出信号とは逆向きの力を発生させる電圧が印加される。さらに、ＡＳＩＣ側に、前記サーボ制御用の容量素子の容量値のミスマッチを補償する可変容量部を備え、ＡＳＩＣ内で前記容量値ミスマッチに起因するリーク信号を検出し、その検出した結果に基づいて、前記可変容量部の容量値を制御...

• 公開日：2017/06/29
• 出典：加速度センサ
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

本発明は、一般に１つ以上のＭＩＭキャパシタを利用したＭＥＭＳ ＤＶＣに関する。ＭＩＭキャパシタは、ＭＥＭＳデバイスとＲＦパッドとの間に配置してもよく、あるいは、ＭＩＭキャパシタは、ＭＥＭＳデバイス自体の中に集積してもよい。ＭＩＭキャパシタは、ＭＥＭＳ ＤＶＣについて低い抵抗値が達成されることを確保している。

• 公開日：2016/10/06
• 出典：ＭＥＭＳ抵抗スイッチおよびＭＩＭキャパシタを利用したＤＶＣ
• 出願人：キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド