ゲート酸化膜 の意味・用法を知る

このような炭化珪素半導体装置を製造する際には、熱処理炉内で酸化処理を行って炭化珪素半導体上に ゲート酸化膜 を設ける工程、またはゲート酸化膜を設けた後にＰＯＡ処理を行う工程において、熱処理炉を冷却して２００℃以上４００℃未満の炉出し温度で熱処理炉から炭化珪素半導体を出す。

• 公開日：2016/04/21
• 出典：炭化珪素半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

ＳｉＣ基板１上にＳｉＯ2膜を形成した半導体装置において、アルミニウムからなるソース配線電極（Ａｌ膜１２）と ゲート酸化膜 ８との間にチタン膜１５、または窒化チタン膜、またはチタン膜１５と窒化チタン膜とチタン膜、のいずれかを設け、チタン膜１５または窒化チタン膜の結晶粒径が５０ｎｍ未満の柱状多結晶からなる構造とする。

• 公開日：2016/12/15
• 出典：半導体装置および半導体装置の製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

ゲートと、ソースと、ドレインとを備えるトランジスタデバイスであって、前記ゲートは ゲート酸化膜 に少なくとも部分的に接触しており、前記ゲート酸化膜上における電界を低下させるために、接合型電界効果（ＪＦＥＴ）領域内に、少なくとも１つのＰ＋領域が存在する、トランジスタデバイス。

• 公開日：2016/02/25
• 出典：ゲート酸化膜層において電界を低下させた半導体デバイス
• 出願人：クリー，インコーポレイティド

チャネル形成用の半導体領域と ゲート酸化膜 の界面に原子オーダーの平坦性を備えた半導体素子の形成方法を提供する。

• 公開日：2016/04/21
• 出典：半導体素子の形成方法
• 出願人：国立大学法人東北大学

主面１０ａと第１側面部ＳＷ１との接点Ｃ１上の ゲート酸化膜 １５の部分の厚みは、第２不純物領域１３上のゲート酸化膜１５の部分の厚みよりも大きい。

• 公開日：2015/12/07
• 出典：炭化珪素半導体装置の製造方法
• 出願人：住友電気工業株式会社

半導体装置の製造方法は、第１の領域及び第２の領域を有する半導体基板31上に、エピタキシャル成長法によりシリコン層12を形成する工程と、シリコン層を酸化して第１ ゲート酸化膜 16を形成する工程と、第１の領域の第１ゲート酸化膜を残存させつつ、第２の領域の第１ゲート酸化膜を除去する工程と、第１の領域の第１ゲート酸化膜を厚くするとともに、第２の領域のシリコン層を酸化して第２ゲート酸化膜18を形成する工程と、第１ゲート酸化膜上及び第２ゲート酸化膜上のそれぞれに第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成する工程とを有し、第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成後に第１の領域のシリコン層12は第１の膜厚を有...

• 公開日：2016/01/07
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：富士通セミコンダクター株式会社

Ｃ面ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴのチャネル表面の微小ピットの深さを低減し、 ゲート酸化膜 の寿命を延ばせること。

• 公開日：2016/04/21
• 出典：炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置
• 出願人：富士電機株式会社

コンタクト抵抗を上昇させることなく、ゲート−ソース間短絡不良や ゲート酸化膜 の特性劣化を防止すること。

• 公開日：2016/04/04
• 出典：炭化珪素半導体装置の製造方法
• 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

第２ ゲート酸化膜 の第２ベース層を覆う部分を含む部分の厚さは、第１ゲート酸化膜の厚さよりも厚い。

• 公開日：2017/10/12
• 出典：半導体装置
• 出願人：三菱電機株式会社

第１導電型の半導体基板の表層に形成された第２導電型のソース領域と、前記ソース領域と離間して形成された第２導電型のトンネルドレイン領域と、前記トンネルドレイン領域の上から前記ソース領域の端部にかけて、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を一部に含む ゲート酸化膜 を介して、形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲートの上に絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートと、を有するメモリトランジスタ部と、前記半導体基板からなるフィン型の第１導電型の第１の単結晶半導体薄膜と、前記第１の単結晶半導体薄膜の表層に形成された第２導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域と前記トンネルドレイン領域の間の前記...

• 公開日：2015/08/13
• 出典：半導体メモリ装置およびその製造方法
• 出願人：エイブリック株式会社