JFET の意味・用法を知る

前記半導体デバイスセルが、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、絶縁ベースＭＯＳ制御サイリスタ（ＩＢＭＣＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、または金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を含む、請求項１記載のシステム。

• 公開日：2016/01/18
• 出典：半導体デバイスのセル型レイアウト
• 出願人：ジエネラル・エレクトリツク・カンパニー

前記半導体デバイスセルが、フィールドトランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、絶縁ベースＭＯＳ制御サイリスタ（ＩＢＭＣＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、または金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を含む、請求項１記載のシステム。

• 公開日：2016/01/18
• 出典：半導体デバイスのセル型レイアウト
• 出願人：ジエネラル・エレクトリツク・カンパニー

本発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用いて形成されたノーマリオフ型のＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ（以下、「ＳｉＣ ＪＦＥＴ」という）、及び、このＪＦＥＴで構成されたｎチャネルＪＦＥＴ及びｐチャネルＪＦＥＴを備えたＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ（以下、「ＳｉＣ相補型ＪＦＥＴ」という）に関する。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
• 出願人：国立大学法人京都大学

少なくともｐ型ディープ層３のうちの側面、つまりｐ型ディープ層３とＪＦＥＴ部２ａとの間に高濃度ｎ型層２０を形成する。これにより、通常作動時においては、高濃度ｎ型層２０が空乏層の伸びをストップする層として機能し、ＪＦＥＴ部２ａ内への空乏層の伸びを抑制することが可能になり、電流経路が狭くなることを抑制できるため、低オン抵抗を図ることが可能となる。また、負荷短絡などによってドレイン電圧Ｖｄが通常作動時の電圧よりも高くなると、ｐ型ディープ層３側から高濃度ｎ型層２０へ伸びる空乏層が高濃度ｎ型層２０の厚みよりも伸び、ＪＦＥＴ部２ａが即座にピンチオフされる。これにより、低飽和電流を維持することができ、負荷短絡...

• 公開日：2018/03/29
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：株式会社デンソー

...ＥＴを例示した。しかし本実施形態の半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴに限定されない。本実施形態は、たとえばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＳＢＤ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｄｉｏｄｅ）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ＪＦＥＴ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、サイリスタ、ＧＴＯ（Ｇａｔｅ Ｔｕｒｎ−Ｏｆｆ ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）、ＰｉＮダイオード、ＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等に適用してもよ...

• 公開日：2017/04/20
• 出典：炭化珪素インゴットの製造方法、炭化珪素基板の製造方法、および半導体装置の製造方法
• 出願人：住友電気工業株式会社

起動電流は、入力交流信号ＡＣ１００〜２４０Ｖを整流したものであり、これを起動回路に供給するため、起動回路上流のノーマリオン型起動素子には、４５０Ｖ以上の耐圧が必要である。このノーマリオン型起動素子は、スイッチング電源用制御ＩＣとモノリシック化されるため、横型高耐圧接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）として実現される。このＪＦＥＴの電流駆動能力によって、スイッチング電源装置の設計仕様が決定される。

• 公開日：2016/05/26
• 出典：半導体装置
• 出願人：富士電機株式会社

接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）であって、チャネル領域と、ゲート領域とを備え、前記ゲート領域が、第１のゲート・サブ領域および第２のゲート・サブ領域を含み、前記第１のゲート・サブ領域が、前記チャネル領域との間で接合を形成し前記第２のゲート・サブ領域が、前記第１のゲート・サブ領域との間で接合を形成し、前記チャネル領域および前記第２のゲート・サブ領域が、第１の導電型の材料を含み、前記第１のゲート・サブ領域が、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型の材料を含み、前記チャネル領域が結晶材料からなり、前記ゲート領域が水素化シリコン材料からなる、ＪＦＥＴ。

• 登録日：2018/09/07
• 出典：接合型電界効果トランジスタおよび接合型電界効果トランジスタを組み込む相補型回路
• 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン

起動電流は、入力交流信号ＡＣ１００〜２４０Ｖを整流したものであり、これを起動回路に供給するため、起動回路上流のノーマリオン型素子には、４５０Ｖ以上の耐圧が必要である。このノーマリオン型素子は、スイッチング電源用制御ＩＣとモノリシック化されるため、横型高耐圧接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）として実現される。この素子の電流駆動能力によって、スイッチング電源装置の設計仕様が決定される。

• 公開日：2016/05/16
• 出典：半導体装置
• 出願人：富士電機株式会社

固体撮像装置であるＣＭＯＳイメージセンサの画素において、信号増幅用のトランジスタとして、接合型電界効果トランジスタ（以下、ＪＦＥＴと言う。）が用いられている。ＪＦＥＴを用いることにより、増幅動作中に信号電荷が界面準位に捕われることなく、ノイズを小さくすることができることが知られている。

• 公開日：2016/01/18
• 出典：固体撮像装置
• 出願人：キヤノン株式会社

起動電流は、入力交流信号ＡＣ１００〜２４０Ｖを整流したものであり、これを起動回路に供給するため、起動回路上流のノーマリオン型素子には、４５０Ｖ以上の耐圧が必要である。このノーマリオン型素子は、スイッチング電源用制御ＩＣとモノリシック化されるため、横型高耐圧電界効果型接合トランジスタ（電界効果型接合トランジスタ：ＪＦＥＴ）として実現される。この素子の電流駆動能力によって、スイッチング電源装置の設計仕様が決定される。

• 公開日：2015/08/24
• 出典：半導体装置、スイッチング電源用制御ＩＣおよびスイッチング電源装置
• 出願人：富士電機株式会社