InP の意味・用法を知る

ＩｎＰ系の化合物半導体を用いた受光素子で、結晶欠陥などの発生を抑制した状態で波長１．８μｍ以上の光が高い受光感度で検出できるようにする。

• 公開日：2017/11/02
• 出典：受光素子
• 出願人：東日本電信電話株式会社

市販に適する様に大規模に生産するための、カルコゲン化亜鉛でで合金化された、ＩｎＰ等（ＩｎＺｎＳ等）の光ルミネセンスＩＩＩ−Ｖ族量子ドットの形成方法の提供。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：ＩＩＩ－Ｖ族／カルコゲン化亜鉛合金半導体量子ドット
• 出願人：ナノコテクノロジーズリミテッド

本開示は、例えば地上集光型光起電力（ＣＰＶ）電気生成システムまたは宇宙で用いる衛星と共に使用されてもよいＧａＩｎＰ／Ｇａ（Ｉｎ）Ａｓ／Ｇｅセルなどを含むがこれに限定されない高効率多接合（ＭＪ）光起電力（ＰＶ）セルについて更に説明する。ＭＪ ＰＶセルは、光生成電流密度を高めるために、エネルギーウェルまたは低バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）を１つ以上のサブセルに組み込む。

• 公開日：2018/02/15
• 出典：電流生成が向上した半導体デバイス
• 出願人：ザ・ボーイング・カンパニー

液体封止チョクラルスキー法（ＬＥＣ法）によるＩｎＰ単結晶の製造において、単結晶化率を向上して単結晶製造の歩留りを改善できるＩｎＰ多結晶原料およびその製造方法の提供。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：化合物半導体多結晶、化合物半導体単結晶の製造方法、ならびに化合物半導体多結晶の製造方法
• 出願人：ＪＸ金属株式会社

例えば、図１３に示すような、素子構成を考える。この素子は、酸化シリコンからなる下部クラッド層１００１の上に、ノンドープのＩｎＰからなる半導体層１００２を備え、半導体層１００２の上に活性層１００３を備え、活性層１００３は、ノンドープのＩｎＰからなる半導体層１００４で囲われ、この上にノンドープのＩｎＰからなる半導体層１００５を備える。また、半導体層１００５の上には、酸化シリコンからなる上部クラッド層１００６を備える。活性層１００３は、例えば多重量子井戸構造とされ、厚さ１００ｎｍ程度とされている。なお、半導体層１００４も、活性層１００３と同じ厚さとなる。

• 公開日：2017/07/27
• 出典：半導体光デバイス
• 出願人：東日本電信電話株式会社

また、非特許文献１のＧａＩｎＰサブ太陽電池セルとＧａＩｎＡｓサブ太陽電池セルとの間には、ｐ＋ＡｌＧａＡｓ層とｎ＋ＧａＩｎＰ層とのトンネル接合が形成されている。しかしながら、ｐ＋ＡｌＧａＡｓ層とｎ＋ＧａＩｎＰ層の詳細は記載されておらず、トンネル接合を含めた高効率化は行われていない。

• 公開日：2016/02/25
• 出典：化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法
• 出願人：株式会社リコー

...入射方向側の光電変換セルと、１又は複数の第２光電変換セルのうち最も入射方向とは逆方向に形成される光電変換セルとの間に挟まれるトンネル接合層と、を有し、各光電変換セルは、光の入射方向の入射側から奥側に向かう順にバンドギャップが小さくなっており、前記トンネル接合層では、ｐ＋型の（Ａｌ）ＧａＩｎＡｓ層と、ＩｎＰに対して引っ張り歪を有するｎ＋型のＧａＩｎＰ層又はｎ＋型のＧａ（Ｉｎ）ＰＳｂ層とが接合する化合物半導体太陽電池。

• 公開日：2015/03/12
• 出典：化合物半導体太陽電池
• 出願人：株式会社リコー

第２に、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰヘテロ界面付近のバリア形状が平坦になると、ダイオード電流そのものが変調され、低下することである

• 公開日：2017/08/03
• 出典：検波ダイオード
• 出願人：ＮＴＴエレクトロニクス株式会社

図８Ａは、本発明の比較例に係る上方回折格子型ＤＲレーザ１００の光軸方向断面図である。ここで、ＤＦＢレーザ領域１００ａは、ｎ型ＩｎＰ基板１０１、ｎ型ＩｎＧａＡｌＡｓ光ガイド層１０２、ＩｎＧａＡｌＡｓ多重量子井戸１０３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ光ガイド層１０４、ｐ型ＩｎＡｌＡｓ電子ストップ層１０５、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチング停止層１０６、ｐ型ＩｎＰスペーサ層１０７、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層１０８を加工して形成した回折格子、ｐ型ＩｎＰクラッド層１１３、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１４、ｐ型電極１１６から成る。

• 公開日：2016/06/20
• 出典：半導体光集積素子、半導体光集積素子の製造方法及び光モジュール
• 出願人：日本オクラロ株式会社

図３に、従来の一般的な、選択ウェットエッチングを用いて形成された複数のメサ段差を有するハイメサ構造の半導体受光素子を示す。上から、ｐ+−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層（ｐ型電極層）３１、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３２、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰスペーサ層３３、ｉ−ＩｎＰキャリア走行層３４、ｎ+−ＩｎＧａＡｓコンタクト層（ｎ型電極層）３５、ｎ+−ＩｎＰサブコレクタ層３６が順に積層され、さらにｐ+−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３１上にｐ型電極３７が形成され、ｎ+−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３５上にｎ型電極３８が形成されている。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：半導体素子の製造方法
• 出願人：東日本電信電話株式会社