InAs の意味・用法を知る
InAs とは、半導体レーザ や半導体レーザ などの分野において活用されるキーワードであり、古河電気工業株式会社 や富士通株式会社 などが関連する技術を2,896件開発しています。
このページでは、 InAs を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
InAsの意味・用法
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赤外線受光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された半導体積層部と、を備え、半導体積層部は、n型化合物半導体層と、InAsXSb1−X(0.11≦X≦0.27)を含む活性層と、InとGaとSbとを少なくとも含むワイドバンドギャップ層と、p型化合物半導体層と、がこの順に積層されてなる。活性層InAsXSb1−XのAs組成Xを制限することにより、吸収ピーク波長の長波長シフト及びキャリア濃度増加に伴う素子抵抗及び感度低下の抑制を両立させ、また、キャリア濃度の増加を回避し得る濃度の、例えばZn等のp型ドーパントを活性層にドーピングすることで、感度及び素子抵抗の低下を抑制することができ、SNRの劣化...
- 公開日:2017/08/17
- 出典:赤外線受光素子
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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この発明の赤外線センサは、基板1と、基板1上に形成されたn型コンタクト層2と、AlInAsSb主成分とする化合物半導体層からなりn型コンタクト層上に形成されたn型バリア層3と、InAsxSb(1-x)(0≦x≦1)主成分とする化合物半導体層からなりn型バリア層3上に形成された活性層4と、AlGaSb主成分とする化合物半導体層からなり活性層4上に形成されたp型バリア層5と、を備える。
- 公開日:2018/04/12
- 出典:赤外線センサ
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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基板1と、基板1の表面上に形成されたバッファ層2と、バッファ層2上に形成され、InAsxSb1−x(0<x<1)からなる第1の層3と、第1の層3上に形成された中間層4と、中間層4上に形成され、InAsySb1−y(0<y<1)からなる第2の層5と、を備える。バッファ層2、第1の層3及び中間層4のうちの少なくとも一つの層の導電型はn型である。第2の層5上に形成されたp型バリア層6と、p型バリア層上に形成されたp型コンタクト層7と、をさらに備える。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:量子型赤外線センサ
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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基板1と、基板1の表面上に形成され、InAsxSb1−x(0<x≦0.44)からなる第1の層2と、第1の層2上に形成され、InSbからなる中間層3と、中間層3上に形成され、InAsySb1−y(0<y≦0.44)からなる第2の層4と、を備える。また、例えば、第2の層4上に形成されたp型バリア層5と、p型バリア層5上に形成されたp型コンタクト層6とをさらに備えてもよい。
- 公開日:2017/09/28
- 出典:量子型赤外線センサ
- 出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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粒径の小さいInAsコロイド粒子であっても、粒度分布標準偏差σが小さく高品質のInAsコロイド粒子を製造し、加熱時の合成液中の有機溶媒の揮発を抑制する。
- 公開日:2017/09/14
- 出典:InAsコロイド粒子の製造方法
- 出願人:三菱マテリアル株式会社
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第1電極10、InP基板110、GaInAsPセル120、接合層130、接合層140、トンネル接合層150、GaAsセル160、トンネル接合層170、挿入層180、GaInPセル190、コンタクト層20及び第2電極30を含む化合物半導体太陽電池100は、Al含有層191を含む第1光電変換セル190と、前記Al含有層191に積層される挿入層180と、Al含有層191よりも高濃度にドーピングされ、挿入層180に積層される高ドープ層170と、高ドープ層170に積層される第2光電変換セル160とを有しており、挿入層180は、Alを含有していない、又は、Al成分の組成比が前記Al含有層のAl成分の組成比...
- 公開日:2017/01/19
- 出典:化合物半導体太陽電池及びその製造方法
- 出願人:株式会社リコー
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光通信用の高速応答アバランシェフォトダイオードではAlInAsが電子増倍層に用いられる。その中でも、近年は、半絶縁性InP基板上にp型コンタクト層、光吸収層、p型電界緩和層、電子増倍層、n型コンタクト層を順に成長したものが開発されている(例えば、非特許文献1参照)。このような構造は高速応答の特性に優れる反面、半絶縁性InP基板中に含まれるFeとp型コンタクト層中のZnが相互拡散を起こしやすいため、デバイス歩留に影響することが懸念される(例えば、非特許文献2参照)。
- 公開日:2017/02/09
- 出典:半導体受光素子
- 出願人:三菱電機株式会社
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前記活性層は、GaInAsPまたはAlGaInAsを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光素子。
- 公開日:2017/02/02
- 出典:光素子及び光モジュール
- 出願人:富士通株式会社
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半導体レーザ装置20は、p型InP基板1の上に、p型InPクラッド層2、p型光閉込め層3、多重量子井戸層(MQW層)4、n型光閉込め層5、n型InPクラッド層6、n型コンタクト層10、および絶縁膜12が、この順に積層されたものである。p型光閉込め層3は、p型AlGaInAsまたはp型AlInAsで形成され、p型InPクラッド層2に格子整合する。半導体レーザ装置20は、p型InPクラッド層2とp型光閉込め層3の間に、InAs変性層7およびバンド不連続緩和層9を備えている。
- 公開日:2015/07/16
- 出典:半導体レーザ装置および電界吸収型光変調器
- 出願人:三菱電機株式会社
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前記活性層は、GaInAsPまたはAlGaInAsを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の光素子。
- 公開日:2014/10/23
- 出典:光素子及び光モジュール
- 出願人:富士通株式会社
InAsの特徴 に関わる言及
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関連する分野分野動向を把握したい方
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ