InAs の意味・用法を知る

粒径の小さいＩｎＡｓコロイド粒子であっても、粒度分布標準偏差σが小さく高品質のＩｎＡｓコロイド粒子を製造し、加熱時の合成液中の有機溶媒の揮発を抑制する。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：ＩｎＡｓコロイド粒子の製造方法
• 出願人：三菱マテリアル株式会社

第１電極１０、ＩｎＰ基板１１０、ＧａＩｎＡｓＰセル１２０、接合層１３０、接合層１４０、トンネル接合層１５０、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１７０、挿入層１８０、ＧａＩｎＰセル１９０、コンタクト層２０及び第２電極３０を含む化合物半導体太陽電池１００は、Ａｌ含有層１９１を含む第１光電変換セル１９０と、前記Ａｌ含有層１９１に積層される挿入層１８０と、Ａｌ含有層１９１よりも高濃度にドーピングされ、挿入層１８０に積層される高ドープ層１７０と、高ドープ層１７０に積層される第２光電変換セル１６０とを有しており、挿入層１８０は、Ａｌを含有していない、又は、Ａｌ成分の組成比が前記Ａｌ含有層のＡｌ成分の組成比...

• 公開日：2017/01/19
• 出典：化合物半導体太陽電池及びその製造方法
• 出願人：株式会社リコー

光通信用の高速応答アバランシェフォトダイオードではＡｌＩｎＡｓが電子増倍層に用いられる。その中でも、近年は、半絶縁性ＩｎＰ基板上にｐ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型電界緩和層、電子増倍層、ｎ型コンタクト層を順に成長したものが開発されている（例えば、非特許文献１参照）。このような構造は高速応答の特性に優れる反面、半絶縁性ＩｎＰ基板中に含まれるＦｅとｐ型コンタクト層中のＺｎが相互拡散を起こしやすいため、デバイス歩留に影響することが懸念される（例えば、非特許文献２参照）。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：半導体受光素子
• 出願人：三菱電機株式会社

前記活性層は、ＧａＩｎＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の光素子。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：光素子及び光モジュール
• 出願人：富士通株式会社

半導体レーザ装置２０は、ｐ型ＩｎＰ基板１の上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層２、ｐ型光閉込め層３、多重量子井戸層（ＭＱＷ層）４、ｎ型光閉込め層５、ｎ型ＩｎＰクラッド層６、ｎ型コンタクト層１０、および絶縁膜１２が、この順に積層されたものである。ｐ型光閉込め層３は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓまたはｐ型ＡｌＩｎＡｓで形成され、ｐ型ＩｎＰクラッド層２に格子整合する。半導体レーザ装置２０は、ｐ型ＩｎＰクラッド層２とｐ型光閉込め層３の間に、ＩｎＡｓ変性層７およびバンド不連続緩和層９を備えている。

• 公開日：2015/07/16
• 出典：半導体レーザ装置および電界吸収型光変調器
• 出願人：三菱電機株式会社

前記活性層は、ＧａＩｎＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光素子。

• 公開日：2014/10/23
• 出典：光素子及び光モジュール
• 出願人：富士通株式会社

表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造を提供する。

• 公開日：2015/03/30
• 出典：表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたＧａＳｂ／ＩｎＡｓ／Ｓｉ（１１１）構造とその形成方法、並びにその構造を用いたＭＯＳデバイスおよび赤外線検出デバイス
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

...旦、ポリジメチルシロキサン（PDMS）に転写し、その後、Si基板に転写する二段階転写の方法が考案されている（例えば、非特許文献１の2060頁参照）。本技術について説明する。まず、GsSb基板上に、分子線エピタキシー法（MBE）により、60nmの厚さのAl0.2GaSb層を形成し、その上に3nm厚さの InAs でサンドイッチした15nm厚さのInGaSb層（InAs/InGaSb/InAs）を形成する。フォトプロセスと選択エッチングを用いて、InAs/InGaSb/InAsを部分的にエッチングして、表面にInAs/InGaSb/InAsのストライプを形成する。このInAs/InGaSb/InAsス...

• 公開日：2015/11/24
• 出典：貼り合わせ用ＩｎＧａＳｂ積層構造基板
• 出願人：東日本電信電話株式会社

この赤外線検出素子は、バッファ層（ＩｎＡｓＳｂ層）３と、バッファ層（ＩｎＡｓ層）４と、光吸収層（ＩｎＡｓＳｂ層）５とを備えている。ＩｎＡｓ層の臨界膜厚ｈｃはＩｎＡｓ層の厚みｔとはｈｃ＜ｔの関係を満たしてしている。この場合、バッファ層３上に形成されたＩｎＡｓのバッファ層４及びＩｎＡｓＳｂの光吸収層５の結晶性を改善することができる。

• 公開日：2015/05/11
• 出典：赤外線検出素子
• 出願人：浜松ホトニクス株式会社

ＧａＡｓバッファ層１２上にＩｎＡｓ層を成長する際に、前記ＩｎＡｓ層の成長が３次元成長に移行する前の濡れ層の段階で、アンチモン（Ｓｂ）を供給圧力２．０×１９-7〜３．６×１９-7 Torrで導入してＩｎＡｓＳｂ濡れ層１３を成長し、ＩｎＡｓＳｂ濡れ層１３が０．５ＭＬ〜１．５ＭＬ成長したところで前記Ｓｂの導入を停止して引き続きＩｎＡｓ層を成長してＩｎＡｓ量子ドット１４を形成する。

• 公開日：2013/10/10
• 出典：量子ドットの形成方法および太陽電池
• 出願人：国立大学法人電気通信大学