InAs の意味・用法を知る

赤外線受光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された半導体積層部と、を備え、半導体積層部は、ｎ型化合物半導体層と、ＩｎＡｓＸＳｂ１−Ｘ（０．１１≦Ｘ≦０．２７）を含む活性層と、ＩｎとＧａとＳｂとを少なくとも含むワイドバンドギャップ層と、ｐ型化合物半導体層と、がこの順に積層されてなる。活性層ＩｎＡｓＸＳｂ１−ＸのＡｓ組成Ｘを制限することにより、吸収ピーク波長の長波長シフト及びキャリア濃度増加に伴う素子抵抗及び感度低下の抑制を両立させ、また、キャリア濃度の増加を回避し得る濃度の、例えばＺｎ等のｐ型ドーパントを活性層にドーピングすることで、感度及び素子抵抗の低下を抑制することができ、ＳＮＲの劣化...

• 公開日：2017/08/17
• 出典：赤外線受光素子
• 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

この発明の赤外線センサは、基板１と、基板１上に形成されたｎ型コンタクト層２と、ＡｌＩｎＡｓＳｂ主成分とする化合物半導体層からなりｎ型コンタクト層上に形成されたｎ型バリア層３と、ＩｎＡｓxＳｂ(1-x)（０≦ｘ≦１）主成分とする化合物半導体層からなりｎ型バリア層３上に形成された活性層４と、ＡｌＧａＳｂ主成分とする化合物半導体層からなり活性層４上に形成されたｐ型バリア層５と、を備える。

• 公開日：2018/04/12
• 出典：赤外線センサ
• 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

基板１と、基板１の表面上に形成されたバッファ層２と、バッファ層２上に形成され、ＩｎＡｓｘＳｂ１−ｘ（０＜ｘ＜１）からなる第１の層３と、第１の層３上に形成された中間層４と、中間層４上に形成され、ＩｎＡｓｙＳｂ１−ｙ（０＜ｙ＜１）からなる第２の層５と、を備える。バッファ層２、第１の層３及び中間層４のうちの少なくとも一つの層の導電型はｎ型である。第２の層５上に形成されたｐ型バリア層６と、ｐ型バリア層上に形成されたｐ型コンタクト層７と、をさらに備える。

• 公開日：2017/10/05
• 出典：量子型赤外線センサ
• 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

基板１と、基板１の表面上に形成され、ＩｎＡｓｘＳｂ１−ｘ（０＜ｘ≦０．４４）からなる第１の層２と、第１の層２上に形成され、ＩｎＳｂからなる中間層３と、中間層３上に形成され、ＩｎＡｓｙＳｂ１−ｙ（０＜ｙ≦０．４４）からなる第２の層４と、を備える。また、例えば、第２の層４上に形成されたｐ型バリア層５と、ｐ型バリア層５上に形成されたｐ型コンタクト層６とをさらに備えてもよい。

• 公開日：2017/09/28
• 出典：量子型赤外線センサ
• 出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社

粒径の小さいＩｎＡｓコロイド粒子であっても、粒度分布標準偏差σが小さく高品質のＩｎＡｓコロイド粒子を製造し、加熱時の合成液中の有機溶媒の揮発を抑制する。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：ＩｎＡｓコロイド粒子の製造方法
• 出願人：三菱マテリアル株式会社

第１電極１０、ＩｎＰ基板１１０、ＧａＩｎＡｓＰセル１２０、接合層１３０、接合層１４０、トンネル接合層１５０、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１７０、挿入層１８０、ＧａＩｎＰセル１９０、コンタクト層２０及び第２電極３０を含む化合物半導体太陽電池１００は、Ａｌ含有層１９１を含む第１光電変換セル１９０と、前記Ａｌ含有層１９１に積層される挿入層１８０と、Ａｌ含有層１９１よりも高濃度にドーピングされ、挿入層１８０に積層される高ドープ層１７０と、高ドープ層１７０に積層される第２光電変換セル１６０とを有しており、挿入層１８０は、Ａｌを含有していない、又は、Ａｌ成分の組成比が前記Ａｌ含有層のＡｌ成分の組成比...

• 公開日：2017/01/19
• 出典：化合物半導体太陽電池及びその製造方法
• 出願人：株式会社リコー

光通信用の高速応答アバランシェフォトダイオードではＡｌＩｎＡｓが電子増倍層に用いられる。その中でも、近年は、半絶縁性ＩｎＰ基板上にｐ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型電界緩和層、電子増倍層、ｎ型コンタクト層を順に成長したものが開発されている（例えば、非特許文献１参照）。このような構造は高速応答の特性に優れる反面、半絶縁性ＩｎＰ基板中に含まれるＦｅとｐ型コンタクト層中のＺｎが相互拡散を起こしやすいため、デバイス歩留に影響することが懸念される（例えば、非特許文献２参照）。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：半導体受光素子
• 出願人：三菱電機株式会社

前記活性層は、ＧａＩｎＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の光素子。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：光素子及び光モジュール
• 出願人：富士通株式会社

半導体レーザ装置２０は、ｐ型ＩｎＰ基板１の上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層２、ｐ型光閉込め層３、多重量子井戸層（ＭＱＷ層）４、ｎ型光閉込め層５、ｎ型ＩｎＰクラッド層６、ｎ型コンタクト層１０、および絶縁膜１２が、この順に積層されたものである。ｐ型光閉込め層３は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓまたはｐ型ＡｌＩｎＡｓで形成され、ｐ型ＩｎＰクラッド層２に格子整合する。半導体レーザ装置２０は、ｐ型ＩｎＰクラッド層２とｐ型光閉込め層３の間に、ＩｎＡｓ変性層７およびバンド不連続緩和層９を備えている。

• 公開日：2015/07/16
• 出典：半導体レーザ装置および電界吸収型光変調器
• 出願人：三菱電機株式会社

前記活性層は、ＧａＩｎＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＡｓを含む材料により形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光素子。

• 公開日：2014/10/23
• 出典：光素子及び光モジュール
• 出願人：富士通株式会社