キャリアガス の意味・用法を知る

キャリアガス により運ばれる試料をカラムにより分離して、ガス成分の出力を検出するガス分析装置は、対象のガス成分における出力のピーク位置を一定にするためのカラムの温度とキャリアガスの流量との関係を予め記憶してある記憶部と、カラムの温度を計測する温度センサと、温度と流量との関係に基づいて、温度センサの計測する温度Ｔ１，Ｔ２に応じてキャリアガスの流量ｆ１，ｆ２を調整する流量制御部を備える。

• 公開日：2016/09/05
• 出典：ガス分析装置、及び、ガス分析装置の調整方法
• 出願人：新コスモス電機株式会社

本発明の炭化珪素単結晶の製造方法は、坩堝１０２内において、坩堝の上側１０２ａに配置された炭化珪素種結晶１０上に、坩堝の下側１０２ｂに配置された炭化珪素原料２０の昇華ガスを供給して、炭化珪素種結晶１０上に炭化珪素の単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、坩堝１０２内における炭化珪素原料２０の下側から、昇華ガスの流れをアシストするように キャリアガス Ｇを供給することを特徴とする。

• 公開日：2017/07/06
• 出典：炭化珪素単結晶の製造装置
• 出願人：昭和電工株式会社

前記半導体膜は、例えば、重水素を含む原料溶液を霧化または液滴化し（霧化・液滴化工程）、得られたミストまたは液滴を キャリアガス でもって成膜室内に搬送し（搬送工程）、ついで、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、基体上に、ガリウムを含有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜を積層する（成膜工程）ことにより好適に得られる。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：半導体膜、積層構造体および半導体装置
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

反応空間内の電極間に配置された基板上の層を、少なくとも１つのエッチングサイクルを含む原子層エッチング（ＡＬＥ）処理によってエッチングする方法であって、前記エッチングサイクルは、少なくともエッチングガスのための キャリアガス として不活性ガス流を前記反応空間に連続的に提供する工程と、前記反応空間の上流の連続的な前記不活性ガス流にエッチングガスのパルスを提供し、前記反応空間内の前記基板の表面に前記エッチングガスを非励起状態で化学吸着する工程と、前記反応空間内に不活性ガスの反応種を生成し、かつ前記エッチングガスが化学吸着された前記基板の表面を前記反応種と接触させるために、前記電極間にＲＦパワー放電のパル...

• 公開日：2016/07/25
• 出典：プラスマエンハンスト原子層エッチングの方法
• 出願人：エーエスエムアイピーホールディングビー．ブイ．

前記セル本体内に キャリアガス を供給する第２ガス供給流路をさらに備え、前記第１ガス供給流路は、前記複数のシール部材の間に形成された空間に前記キャリアガスを供給することを特徴とする請求項１に記載のガス分析用セル。

• 公開日：2017/05/25
• 出典：ガス分析用セル及びガス分析システム
• 出願人：株式会社島津製作所

前記結晶性半導体膜は、例えば、重水素を含む原料溶液を霧化または液滴化し（霧化・液滴化工程）、得られたミストまたは液滴を キャリアガス でもって成膜室内に搬送し（搬送工程）、ついで、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、基体上に、コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜を積層する（成膜工程）ことにより好適に得られる。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置
• 出願人：株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

・ キャリアガス （１６）の流入のための１つの入口（５）と、その流出のための１つの出口（６）と、・ガス（４）を検出するための、１つの測定室（１１）内に配置された少なくとも１つのガスセンサ（１２）と、・前記キャリアガス（１６）を装置（１）内で搬送するための１つの第１ポンプ（９）と、・少なくとも１つの半透性の材料から成り、少なくとも部分的に絶縁媒体（２）によって包囲されていて、少なくとも部分的に前記キャリアガス（１６）によって流通される１つの膜（１３）と、・前記キャリアガス（１６）を装置（１）内へ搬入し、前記キャリアガス（１６）を前記装置（１）から搬出するための１つの第２ポンプ（１０）とを有する、前記...

• 登録日：2020/01/17
• 出典：ガスを検出するための装置及び方法
• 出願人：マシイネンフアブリーク・ラインハウゼン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

装置構成が複雑な場合でも、装置起動時にカラム中の残留ガスを キャリアガス で確実に置換し、且つその置換終了後に速やかにカラムオーブンの温度を分析初期温度まで上昇させて分析開始を可能とする。

• 公開日：2017/11/30
• 出典：ガスクロマトグラフ装置
• 出願人：株式会社島津製作所

反応性ガスが キャリアガス に混入されてイオンビームに接触される、請求項１から３のいずれかに記載の質量分析方法。

• 公開日：2017/01/19
• 出典：プラズマイオン源質量分析方法及び装置
• 出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

そして原料の流量の実測値と原料の目標値との差分に従い、ＭＦＣ１の設定値を調整して キャリアガス の流量を調整し、原料ガスに含まれる原料の量を調整する。

• 公開日：2017/04/06
• 出典：原料ガス供給装置、原料ガス供給方法及び記憶媒体
• 出願人：東京エレクトロン株式会社