キャリアガス の意味・用法を知る
キャリアガス とは、気相成長(金属層を除く) やCVD などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社島津製作所 や東京エレクトロン株式会社 などが関連する技術を41,920件開発しています。
このページでは、 キャリアガス を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
キャリアガスの意味・用法
-
前記有機気相蒸着システムは、主反応器壁によって規定される主反応器と、少なくとも2つの有機蒸気を前記主反応器に導入する少なくとも2つのソースバレルと、 キャリアガス を前記主反応器壁に沿って導入することで、基板ステージに向けて前記有機蒸気が流れるときに前記有機蒸気の反応器壁上での凝縮を低減するように構成された、少なくとも1つのキャリアガス注入路を含むことができる。
- 公開日:2017/12/28
- 出典:気化温度が低い材料および高い材料の同時蒸着、およびその中で製造されるデバイス
- 出願人:リージェンツオブザユニバーシティオブミシガン
-
流れ分配器は、複数の小さい開口部(噴出口)を含み、それを通って キャリアガス が前駆体チャンバに入り、化学前駆体の表面に衝突して蒸気が生成される。
- 公開日:2017/11/30
- 出典:流れ分配器を備える輸送容器、そのような容器を含むシステム、及びそのような容器を使用する方法
- 出願人:バーサムマテリアルズユーエス,リミティドライアビリティカンパニー
-
有機化合物を含む原料溶液4aを霧化または液滴化する第1の手段、ミストまたは液滴4bを、 キャリアガス でもって基体10まで搬送する第2の手段、および基体10上で該ミストまたは該液滴4bを、加熱により熱反応させる第3の手段を含む製造装置1を用いて、例えばモノマー等の有機化合物を含む原料溶液を霧化または液滴化して生成されるミストまたは液滴4bを、キャリアガスでもって基体10まで搬送し、ついで基体10上でミストまたは液滴4bを加熱により熱反応させることにより、ポリマーなどの有機膜を成膜する方法。
- 公開日:2016/08/04
- 出典:ポリマーの製造方法及び製造装置並びに有機膜の製造方法及び製造装置
- 出願人:株式会社FLOSFIA
-
コールドウォール式のミストCVD装置1を用いて、原料溶液4aを霧化又は液滴化し、得られたミスト4b又は液滴を キャリアガス で成膜室7内に設置されている基体10まで搬送し、ついで成膜室7内でミスト4b又は液滴を500℃以下で熱反応させて基体10上に、結晶性の高い、インジウムを含有する酸化物を主成分として含み、膜厚が1μm以上である結晶性酸化物膜。
- 公開日:2017/07/20
- 出典:結晶性酸化物膜
- 出願人:株式会社FLOSFIA
-
本発明の積層構造体は、例えば、原料溶液を霧化または液滴化し(霧化・液滴化工程)、得られたミストまたは液滴を キャリアガス でもって成膜室内に搬送し(搬送工程)、ついで、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、前記結晶基板上に、結晶成長により、結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜を積層する(成膜工程)ことにより好適に得られる。
- 公開日:2016/12/01
- 出典:積層構造体および半導体装置
- 出願人:株式会社FLOSFIA
-
キャリアガス の流れ方向において気化デバイス(1,2)の後に配置された単一または多段の調節デバイス(3,4)を通るキャリアガスによって蒸気が運ばれる。
- 公開日:2017/07/20
- 出典:CVDまたはPVD装置のための蒸気発生装置および蒸気発生方法
- 出願人:アイクストロン・アーゲー
-
切換機構40は、循環経路30の中をサンプルガスが循環している キャリアガス 送り状態と循環経路30から検量管21を外してキャリアガス用ポンプ11から送られるキャリアガスによって検量管21から分離カラム15にサンプルガスが注入されるサンプルガス注入状態とを変更するために経路の接続を切り換える。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:ガスクロマトグラフ装置
- 出願人:日本写真印刷株式会社
-
少なくとも前処理装置1、減圧膜分離装置2および キャリアガス 膜分離装置3からなり、前処理装置1が内部に充填したゼオライト粒子に水及び有機化合物を含む被処理流体bを接触させ、減圧膜分離装置2がゼオライト膜からなる膜モジュール2A,2Bからなり、前処理装置1で処理された被処理流体cを、ゼオライト膜と減圧下で接触させ、キャリアガス膜分離装置3が、膜モジュールおよびゼオライト膜4の透過側にキャリアガスhを供給するキャリアガス供給手段5からなり、減圧膜分離装置2で処理された被処理流体dを、ゼオライト膜4と減圧下で接触させ、その透過側の水蒸気分圧をキャリアガスhにより小さくする第2脱水手段を有することを特徴とする。
- 公開日:2016/12/08
- 出典:脱水膜分離システムおよび脱水膜分離方法
- 出願人:株式会社三井E&Sマシナリー
-
一端部と他端部とを有する気化室と、前記他端部で気化室に接続され、前記一端部に向けて キャリアガス と液体原料が混合された混合流体を噴射口から供給する第1流体供給部と、前記一端部の前記混合流体に向けて前記一端部の中心部に形成された噴出孔からキャリアガスを供給する第2流体供給部と、を備える気化システムであって、前記第1流体供給部及び前記第2流体供給部のうち少なくとも一方は、前記噴射口または前記噴出孔から前記気化室に供給されるキャリアガスの流れと、該キャリアガスの流れと異なる前記キャリアガスの他の流れをそれぞれ形成するように構成されている気化システム。
- 登録日:2020/06/26
- 出典:基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム
- 出願人:株式会社KOKUSAIELECTRIC
-
また、真空槽あるいは取鍋に設置した、羽口や浸漬ランスから キャリアガス とともに本発明の脱硫フラックスを溶鋼中へインジェクションすることも可能である。
- 公開日:2021/02/04
- 出典:溶鋼の精錬方法
- 出願人:JFEスチール株式会社
キャリアガスの原理 に関わる言及
キャリアガスの問題点 に関わる言及
-
溶解ガスの膨張による影響は、該溶解ガスの溶解度が大きな試料ほど大きいと推察できる。この キャリアガス の逆流および乱流は、溶解ガスと水の混合流体の拡散を引き起こす。この拡散した混合流体は、分析精度に影響を与える原因となる。
- 公開日: 2013/09/26
- 出典: 高圧状態の水溶液に溶解している気体の溶解度を測定する方法および装置
- 出願人: 独立行政法人石油天然ガス・金属鉱物資源機構
-
しかし、本実施の形態では キャリアガス として窒素を用いているため、水素がGaInNAsの結晶内にほとんど取り込まれることがない。その結果、GaInNAsの結晶の品質を向上させることができる。
- 公開日: 2003/05/30
- 出典: GaInNAsの結晶成長方法および発光素子の製造方法
- 出願人: セイコーエプソン株式会社
-
ところで、インジウム源の有機金属化合物の キャリアガス については、前述のように他の有機金属化合物のキャリアガスよりも流量が多くなるため、全キャリアガスを高窒素分率にするには窒素を用いる必要がある。そこで、窒素によるインジウム源の有機金属化合物の純度の低下を抑制するために、有機金属化合物を固体とする方法が考えられる。
- 公開日: 2001/04/27
- 出典: 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
- 出願人: パナソニック株式会社
キャリアガスの特徴 に関わる言及
-
キャリアガス 、反応ガスを輸送するガス輸送管路に対して断熱材を被覆しなくても、安定した所定の温度でキャリアガス、反応ガス等を反応炉等に供給することができるガス輸送路を提供する。
- 公開日: 2009/08/27
- 出典: ガス輸送路およびこれを利用した半導体処理装置
- 出願人: 創研工業株式会社
-
好ましくは、調量装置は粉末貯蔵容器と調量室とを有しており、粉末を粉末貯蔵容器から重力を利用し調量管を介して、特に回転する調量皿に調量し、 キャリアガス を調量室内に導入し、キャリアガスが粉末を連行しつつサクションランス内に流入することにより、粉末を調量皿からサクションランスによって収容する。
- 公開日: 2010/05/06
- 出典: 特に導体路を溶射する方法並びに装置、及び導体路を備えた電気的な構成部材及び調量装置
- 出願人: レオニボルトネッツ‐ジステーメゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
-
図1に、粉体供給装置の概略構成を示す。粉体供給装置は、所定の供給対象としての粉体処理装置へ粉体を キャリアガス により圧送供給するものであり、粉体供給機1と、粉体供給機1にキャリアガスによる圧力を供給するための圧力供給装置2と、粉体供給機1及び圧力供給装置2を制御するための制御装置3とを備える。
- 公開日: 2003/10/24
- 出典: 粉体供給装置及び粉体供給方法
- 出願人: 愛三工業株式会社
-
窒素含有化合物のうち、ヒドラジンを分析する場合、熱伝導度検出器を検出器として分析しようとすれば、感度が低く、選択性もないので、実用的ではない。また水素炎イオン化検出器や熱イオン化検出器では全く応答が得られない。アンモニアの分析においては、検出器として熱イオン化検出器を用い、検出器に導かれる前のアンモニアに炭化水素を含有した キャリアガス を混合することにより熱イオン化検出器で検出できることが知られている。
- 公開日: 1998/02/13
- 出典: 窒素含有化合物の分析方法及び分析装置
- 出願人: 株式会社島津製作所
-
薄膜形成材料を分散した後の キャリアガス を終端噴射口から噴射した際の分散液の結晶化を防止することができる気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたMOCVD用気化器及びキャリアガスの気化方法を提供することを目的とする。
- 公開日: 2005/03/17
- 出典: 気化器用分散器、この気化器用分散器を用いたMOCVD用気化器、及びキャリアガスの気化方法
- 出願人: 株式会社渡辺商行
注目されているキーワード
関連する分野分野動向を把握したい方
( 分野番号表示 ON )※整理標準化データをもとに当社作成
-
気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
-
結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長