高周波電力 の意味・用法を知る
高周波電力 とは、半導体のドライエッチング やプラズマの発生及び取扱い などの分野において活用されるキーワードであり、東京エレクトロン株式会社 やキヤノン株式会社 などが関連する技術を1,835件開発しています。
このページでは、 高周波電力 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
高周波電力の意味・用法
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第1の表面波励振体103aおよび第2の表面波励振体103bと、第1の 高周波電力 供給部110aおよび第2の高周波電力供給部110bと、高周波電力発生部120を備える高周波加熱装置100であって、第1の表面波励振体103aと第2の表面波励振体103bは、被加熱物102を挟み込むように、互いに対向した位置に設置され、第1の表面波励振体103aと第2の表面波励振体103bは、それぞれ励振周波数が異なる。
- 公開日:2018/01/11
- 出典:高周波加熱装置
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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第1の表面波励振体103aおよび第2の表面波励振体103bと、第1の 高周波電力 供給部110aおよび第2の高周波電力供給部110bと、高周波電力発生部120を備える高周波加熱装置100であって、第1の表面波励振体103aと第2の表面波励振体103bは、被加熱物102を挟み込むように、互いに対向した位置に設置されている。
- 公開日:2018/01/11
- 出典:高周波加熱装置
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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直流電力7aを 高周波電力 に変換して出力するブリッジ回路7g、ブリッジ回路7gから出力される高周波電力を変圧するための変圧器7j、および変圧部7jに直列接続された共振用キャパシタCを有する高周波電源回路7と、インダクタであり変圧部7jにて変圧された高周波電力が供給されるプラズマ生成用アンテナ5eと、を備える。
- 公開日:2017/04/27
- 出典:プラズマ処理装置、プラズマ生成方法、およびセルフバイアス印加方法
- 出願人:独立行政法人産業技術総合研究所
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テトラエトキシシランの導入を停止し、反応剤の導入と 高周波電力 の供給とを継続する(ステップS4)。
- 公開日:2018/01/25
- 出典:酸化ケイ素膜の製造方法
- 出願人:日新電機株式会社
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被処理体に対するプラズマ処理によって、酸化シリコンから構成された第1領域R1を窒化シリコンから構成された第2領域R2に対して選択的にエッチングする方法であって、被処理体は、凹部を画成する第2領域R2、該凹部を埋める第1領域R1、及び、第1領域R1上に設けられたマスクMKを有し、フルオロカーボンガスを含む処理ガスのプラズマを生成する第1工程と、堆積物に含まれるフルオロカーボンのラジカルによって第1領域をエッチングする第2工程を備え、第2工程では、プラズマの形成に寄与する 高周波電力 をパルス波状に印加し、これらの工程は繰り返される。
- 公開日:2017/12/07
- 出典:エッチング方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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本発明は、試料がプラズマ処理されるプラズマ処理室101と、プラズマを生成するための 高周波電力 を供給するプラズマ電源113とを備えるプラズマ処理装置において、第一の振幅を有する第一の期間と前記第一の振幅より小さい有限値の第二の振幅を有する第二の期間を周期的に繰り返すパルス波形により前記高周波電力を時間変調させ、前記第二の期間を第二の振幅を有する高周波電力により前記第一の振幅を有する第一の期間で生成したプラズマの消滅を所定の解離度で維持する。
- 公開日:2017/04/06
- 出典:プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
- 出願人:株式会社日立ハイテクサイエンス
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基板Gに対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置1は、基板Gを収容する処理容器2と、処理容器2内に処理ガスを供給するガス供給部28と、処理容器2内に配置された電極3と、電極3に、パルス変調された 高周波電力 を供給する高周波電源部53と、処理容器2から高周波電源部53に向けて戻る反射波電力を所定周期で測定する反射波電力測定部54と、反射波電力測定部54で測定した反射波電力が所定の条件になったときに、処理容器2内でアーク放電が発生する蓋然性がある、または実際にアーク放電が発生したと判定する判定部121とを備え、パルス変調された高周波電力のパルス周期と、反射波電力測定部54における測定周期が異なる。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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高周波電力 が一旦停止された後、再開されるまでの時間に関係なく、整合時間を略一定に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
- 公開日:2017/08/10
- 出典:プラズマ処理装置
- 出願人:株式会社アルバック
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受電装置201は、リセットIC28が送電回路12による 高周波電力 の切り替えを検出すると、送電装置101に伝送する信号の内容に基づいて、送電回路12から負荷回路23側をみた入力インピーダンスを変化させる。
- 公開日:2018/03/22
- 出典:ワイヤレス給電システム
- 出願人:株式会社村田製作所
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第2高周波電源34は、例えば、3.2MHzの 高周波電力 LFを載置台20に印加する。
- 公開日:2017/12/28
- 出典:エッチング処理方法
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
高周波電力の問題点 に関わる言及
高周波電力の特徴 に関わる言及
高周波電力の使用状況 に関わる言及
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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エッチングと化学研磨(つや出し)
- ドライエッチングの目的
- ドライエッチングの対象材料
- ドライエッチングの前処理
- ドライエッチング方式
- ドライエッチングガス
- ドライエッチング条件制御
- ドライエッチングの終点検知
- ドライエッチングの後処理
- ドライエッチング装置
- ドライエッチングの用途
- ウエットエッチングの目的
- ウエットエッチングの対象材料
- ウエットエッチングの前処理
- ウエットエッチング方式
- ウエットエッチング液(主成分)
- ウエットエッチング液(添加剤)
- ウエットエッチング条件制御
- ウエットエッチング液の再生
- ウエットエッチングの終点検知
- ウエットエッチングの後処理
- ウエットエッチング液の管理
- ウエットエッチング装置
- ウエットエッチングの用途