高レベル の意味・用法を知る

本開示は、 高レベル のアンジオポエチン−１（Ａｎｇ１）を発現する幹細胞ならびにＭ１型マクロファージ産生の阻害及び糖尿病などの炎症性疾患の治療におけるその使用に関する。

• 公開日：2017/09/14
• 出典：免疫疾患の治療
• 出願人：メゾブラスト・インターナショナル・エスアーエールエル

これに対して、第１検出部３２が光を検出したタイミングにおいて、回路４０の第１部分は、 高レベル 信号を出力しているときは、高レベル信号を低レベル信号に反転させる。

• 公開日：2017/09/21
• 出典：変位計及び対象物の変位を計測する方法
• 出願人：富士電機株式会社

燃料電池システムは、陽極側及び陰極側を有し、発電するように構成された少なくとも１つの高温燃料電池スタック、並びに少なくとも１つの高温燃料電池スタックから出力される排気及び／又は排気から得られるガスを酸化し、 高レベル の熱を発生させるように構成された酸化剤、及び酸化剤で発生する高レベルの熱を回収するように構成された高レベル熱回収システムを含んだ気体酸化剤／高レベル熱回収アセンブリを含む。

• 公開日：2018/01/11
• 出典：高圧蒸気の生成のために廃熱回収を用いる燃料電池システム
• 出願人：フュエルセルエナジー，インコーポレイテッド

物標検出手段は、 高レベル 反射点の情報を用いて、車両の周囲に存在する物標を検出する。

• 公開日：2016/06/09
• 出典：物標検出装置
• 出願人：株式会社デンソー

コンパイラ２３０は、 高レベル ソフトウェアコードの少なくとも一部をコンパイルして、完成関数をコンパイルし及び未完成関数を除外することにより低レベルソフトウェアコード２０８を生成するステップを更に有する。

• 公開日：2014/11/13
• 出典：未完成ソフトウェアの分析
• 出願人：富士通株式会社

前記伝送バッファサイズに従って、前記伝送リンク上の前記送信部の伝送帯域幅を決定する段階、又は、前記伝送バッファサイズに従って、前記伝送リンク上の伝送帯域幅変動を決定する段階、又は、前記伝送バッファサイズに従って、前記伝送リンクの 高レベル 輻輳状態パラメータを決定する段階であって、前記高レベル輻輳状態パラメータは、前記伝送リンクの輻輳レベルを示すのに用いられる、決定する段階を更に備える、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。

• 公開日：2017/09/07
• 出典：伝送バッファサイズを決定する方法及びデバイス
• 出願人：ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド

本発明は、 高レベル 電離放射線に敏感な遺伝子の検出方法及び該方法により検出された遺伝子に係り、さらに詳しくは、癌が誘発されたＡＫＲ／Ｊマウス及び正常のＩＣＲマウスに高レベル放射線を照射し、ここで、胸腺を採取し、前記胸腺に対してマイクロアレイを行って脂肪酸代謝関連遺伝子を分類し、前記遺伝子を増幅し、且つ、発現量を測定することにより、癌誘発個体で発掘され、正常個体で検証される高レベル電離放射線に敏感な遺伝子の検出方法を提供する。

• 公開日：2015/07/06
• 出典：高レベル電離放射線に敏感な遺伝子の検出方法及び該方法により検出された遺伝子
• 出願人：コリアハイドロアンドニュークリアパワーカンパニーリミティッド

処理要求の入力頻度の推移の分析では、処理要求の入力頻度の推移に応じて、処理要求の入力頻度が一時的に 高レベル である一時高レベル、処理要求の入力頻度が継続して高レベルである一定高レベル、処理要求の入力頻度が継続して低レベルである一定低レベルのいずれかに、入力タイプを決定し、応答の出力頻度の推移の分析では、応答の出力頻度の推移に応じて、応答の出力頻度が一時的に高レベルである一時高レベル、応答の出力頻度が継続して高レベルである一定高レベル、応答の出力頻度が継続して低レベルである一定低レベルのいずれかに、出力タイプを決定し、発生要因の判定では、入力タイプと出力タイプとの組み合わせに応じて、応答時間が前記...

• 公開日：2013/09/26
• 出典：プログラム、分析方法、情報処理装置
• 出願人：富士通株式会社

車両側から車載機器に入力される二値信号の 高レベル ／低レベルの電位が未知の場合であっても、前記二値信号の２つの状態を正しく弁別し、高レベル及び低レベルの状態に応じてパルス状に変化する出力側二値信号を生成する。

• 公開日：2012/03/22
• 出典：車載機器用二値信号処理装置
• 出願人：矢崎総業株式会社

また、パワーオン制御部２０は、電源電圧ＶＤＤの供給が開始される電源の投入期間に、所定の期間 高レベル に設定された後に低レベルに変化する起動信号ＳＴＴＰＺ、ＳＴＴＯＺを生成する。

• 公開日：2010/06/17
• 出典：半導体デバイスおよびシステム
• 出願人：富士通セミコンダクター株式会社