面方位 の意味・用法を知る
面方位 とは、結晶、結晶のための後処理 や気相成長（金属層を除く） などの分野において活用されるキーワードであり、住友電気工業株式会社 や株式会社東芝 などが関連する技術を17,618件開発しています。
このページでは、 面方位 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
面方位の意味・用法
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露出面の 面方位 が互いに異なる第１及び第２のIII族窒化物半導体の結晶片２１、２２を、前記露出面が同一方向を向くように並べた下地層２０の前記露出面上に、結晶片２１，２２の各々から成長するIII族窒化物半導体同志を互いに接合させながらIII族窒化物半導体層１０をエピタキシャル成長させるIII族窒化物半導体基板１の製造方法、及び、III族窒化物半導体層１０の厚さ方向に垂直な面の面方位が互いに異なる第１の結晶部分１１及び第２の結晶部分１２で構成されたIII族窒化物半導体基板１。
- 公開日：2018/04/12
- 出典：ＩＩＩ族窒化物半導体基板、及び、ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法
- 出願人：古河機械金属株式会社
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成分組成が、質量％で、Ｃ：０．００５〜０．０８０％、Ｓｉ：０．５０％以下、Ｍｎ：０．１０〜１．００％、Ｐ：０．０４０％以下、Ｓ：０．０１０％以下、Ａｌ：０．０１０〜０．１００％、Ｎ：０．０００５〜０．０１０％を含み、残部：鉄及び不可避的不純物からなり、板厚断面の全厚に占める｛１１１｝ 面方位 を有する結晶粒の面積率が６０％以上であることを特徴とする深絞り性に優れた高ヤング率極薄鋼板。
- 公開日：2017/09/28
- 出典：深絞り性に優れた高ヤング率極薄鋼鈑及びその製造方法
- 出願人：新日鐵住金株式会社
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電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により測定したＮｉめっき表面に平行な結晶面の中で＜００１＞ 面方位 の結晶の面積率が１５〜３５％であるＮｉめっき銅又は銅合金材。
- 公開日：2017/09/14
- 出典：Ｎｉめっき銅又は銅合金材、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品
- 出願人：ＪＸ金属株式会社
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第１の面を有する種基板と、第２の面を有する台座とを準備する工程（Ｓ１０）と、台座の第２の面上に種基板を固定する工程（Ｓ２０）と、種基板上に炭化珪素単結晶を成長させる工程（Ｓ３０）とを備え、準備する工程（Ｓ１０）では、室温におけるＳＯＲＩ値がＸμｍであり、第１の面における中央部と端部との 面方位 のずれがＹ°であって、Ｙ≦（０．３／５０）Ｘである種基板を準備する。
- 公開日：2015/07/02
- 出典：炭化珪素単結晶の製造方法
- 出願人：住友電気工業株式会社
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圧電素子１００は、所定の 面方位 を一面に有する基板１０と、一面に積層された下部電極２０と、下部電極２０上に積層され、圧電体からなる圧電薄膜３０と、圧電薄膜３０上に積層された上部電極４０と、を備える。
- 公開日：2015/02/16
- 出典：圧電素子の製造方法
- 出願人：株式会社デンソー
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二光束干渉計を用いた白色干渉法において、参照平面の 面方位 をその入射光軸に対して変化させられるよう構成し、被検査面上の任意の位置における局所面方位に対して、前記参照平面の面方位を相対的に変化させながら、前記被検査面からの反射光と前記参照平面からの反射光の干渉により生成されるインターフェログラムを複数取得し、それらから前記被検査面上の局所面方位を求めることにより前記被検査面の面形状を計測する。
- 公開日：2017/02/23
- 出典：面形状計測方法およびその装置
- 出願人：株式会社日立ハイテクサイエンス
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前記第２のダイヤモンド半導体層の表面が｛１００｝面から±１０度以内の 面方位 を有し、前記複数の第３のダイヤモンド半導体層の側面が｛１１０｝面から±１０度以内の面方位を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
- 公開日：2015/08/24
- 出典：半導体装置およびその製造方法
- 出願人：株式会社東芝
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｛０００１｝以外の 面方位 の主面を有する結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶の提供。
- 公開日：2016/06/09
- 出典：ＩＩＩ族窒化物結晶
- 出願人：住友電気工業株式会社
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本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、高分解能Ｘ線回折法のロッキングカーブ測定を用いて、単結晶ウェーハの 面方位 、すなわち、表面角だけでなく表面角の方向も高精度に決定することができる単結晶ウェーハの面方位測定方法を提供する
- 登録日：2017/06/09
- 出典：高分解能Ｘ線ロッキングカーブ測定を用いた単結晶ウェーハの面方位測定方法
- 出願人：コリアリサーチインスティチュートオブスタンダーズアンドサイエンス
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Ｘ線回折法によらずに、光学的手法によって、一軸結晶からなる単結晶基板の 面方位 を正確かつ簡便に測定することができ、しかも、基板の厚みや、その面方位に制約を受けずに測定できる方法を提供する。
- 公開日：2014/10/09
- 出典：一軸結晶からなる単結晶基板の面方位測定方法
- 出願人：新日鐵住金株式会社
面方位の問題点 に関わる言及
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所望する位置に対して選択的に単一 面方位 の結晶を形成するには、結晶成長核の発生が速い領域と結晶成長核の発生が遅い領域とを分離して形成し、かつ結晶成長核の発生が速い領域より単一面方位の結晶を成長させる必要がある。しかも結晶成長の核となる領域は結晶成長核の形成が早期に起こり、その周辺の結晶成長核の発生速度は小さくなければならない。
- 公開日： 1995/03/20
- 出典： 結晶成長方法およびＭＯＳトランジスタのチャネル形成方法
- 出願人： ソニー株式会社
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また、基材の 面方位 等が重要となる基材接合、例えば異方性基材の基材接合に際しても、簡便かつ精密な位置あわせが可能となるため、接合体の特性を損なうことなく接合することができる。
- 公開日： 2000/09/14
- 出典： 接合体の製造方法および接合体
- 出願人： パナソニック株式会社
面方位の特徴 に関わる言及
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上記の評価方法は、基板の主面が基板のIII族窒化物半導体のｃ面、ａ面及びｍ面のいずれかの 面方位 に平行な基準面に沿って延在する形態に適用されることができる。この作製方法は、基板の主面が基板のIII族窒化物半導体のｃ面、ａ面及びｍ面のいずれかの面方位に平行な基準面に沿って延在する形態に適用できる。
- 公開日： 2014/05/08
- 出典： ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法、ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の光共振器のための端面を評価する方法、スクライブ溝を評価する方法
- 出願人： 住友電気工業株式会社
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第２結晶層１１４は、第３結晶面１１６および第４結晶面１１８を有する。第３結晶面１１６の 面方位 は、第４結晶面１１８の面方位と異なる。第３結晶面１１６の面方位は、第１結晶面１１０の面方位と等しい。第４結晶面１１８の面方位は、第２結晶面１１２の面方位と等しい。第３結晶層１２０は、第２結晶層１１４の第３結晶面１１６および第４結晶面１１８のそれぞれの少なくとも一部の領域と接する。
- 公開日： 2011/10/06
- 出典： 半導体基板、半導体デバイスおよび半導体基板の製造方法
- 出願人： 住友化学株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴（クレーム）
- 材料１（元素状、合金）
- 材料２（酸化物）
- 材料３（複合酸化物）
- 材料４（酸素酸塩）
- 材料５（〜化物）
- 材料６（有機物）
- 固相成長
- 液相成長１（常温で液体の溶媒を使用する）
- 液相成長２（溶融溶媒を使用するもの）ＣＧ優先
- 液相成長３（融液の凝固によるもの）
- 液相成長４（ゾーンメルティング）
- 液相成長５（融液からの引き出し）
- 液相成長６（液相エピタキシャル）
- 気相成長１（蒸着、昇華）
- 気相成長２（ＣＶＤ）
- 結晶成長共通１（成長条件の制御）固相成長を除く
- 結晶成長共通２（不純物のドーピング）
- 結晶成長共通３（原料の調製、原料組成）
- 結晶成長共通４（種結晶、基板）
- 結晶成長共通５（成長前の基板の処理、保護）
- 結晶成長共通６（基板への多層成長）
- 結晶成長共通７（装置、治具）
- 結晶成長共通８（検知、制御）
- 結晶成長共通９（特定の成長環境の付加）
- 後処理１（拡散源、その配置）
- 後処理２（後処理のための基板表面の前処理）
- 後処理３（気相からのドーピング）
- 後処理４（電磁波、粒子線照射によるドーピング）
- 後処理５（加熱、冷却処理）
- 後処理６（結晶の接合）
- 後処理７（エッチング、機械加工）
- 後処理８（電場、磁場、エネルギー線の利用）
- 後処理９（その他）
- 後処理１０（装置、治具の特徴）
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱（集光加熱等）
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し（保護流体下も含む）
- 結晶化物質（原料）、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- ＰＶＤ
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- ＣＶＤ
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段；反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長（金属層を除く）
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件（１）成膜温度Ｔ 請求項＋実施例に記載されている成膜温度を全て付与する（除く従来例）
- 成長条件（２）成膜時の圧力Ｐ 請求項＋実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する（除く従来例）
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式（１）基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 装置の形式（２）成膜室の形態 図面＋詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する（除く従来例）
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱（照射）・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（１）
- 半導体レーザの構造（垂直共振器を除く）−（２）
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積（同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの）
- 半導体の積層方向の構造−１
- 半導体の積層方向の構造−２
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法１
- 製造方法２
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ（典型的なタイプを抽出）
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- ＬＤチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素（ＬＤチップ外）
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途（駆動）
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御（主に検知・帰還制御）
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容
