集積度 の意味・用法を知る
集積度 とは、陰極線管用電極 や鋼の加工熱処理 などの分野において活用されるキーワードであり、ＪＦＥスチール株式会社 やＪＦＥエンジニアリング株式会社 などが関連する技術を12,164件開発しています。
このページでは、 集積度 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
集積度の意味・用法
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電磁鋼板は、所定の化学組成を有し、結晶粒径が２０μｍ〜３００μｍであり、（００１）［１００］方位の 集積度 をＩＣｕｂｅ、（０１１）［１００］方位の集積度をＩＧｏｓｓとあらわしたとき、式１、式２及び式３の関係を満たす集合組織を有する。
- 公開日：2017/04/27
- 出典：電磁鋼板
- 出願人：新日鐵住金株式会社
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Ａｇを０〜１．０質量％、Ｔｉを０〜０．０８質量％、Ｎｉを０〜２．０質量％、Ｚｎを０〜３．５質量％、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、及びＺｒの群から選択された一種以上を合計で０〜０．５質量％含有し、残部Ｃｕ及び不純物からなり、導電率が６０％ＩＡＣＳ以上であり、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、板表面の法線方向の結晶方位を表したステレオ三角に対し、ベクトル法による表示で用いられる等面積分割を行って得られたボックス番号２９の結晶方位の 集積度 が４以下である銅合金板。
- 公開日：2013/08/29
- 出典：放熱性及び繰り返し曲げ加工性に優れた銅合金板
- 出願人：ＪＸ金属株式会社
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Ａｇを０〜１．０質量％、Ｔｉを０〜０．０８質量％、Ｎｉを０〜２．０質量％、Ｚｎを０〜３．５質量％、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、及びＺｒの群から選択された一種以上を合計で０〜０．５質量％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、導電率が６０％ＩＡＣＳ以上であり、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、板表面の圧延方向の結晶方位を表したステレオ三角に対し、ベクトル法による表示で用いられる等面積分割を行って得られたボックス番号２８の結晶方位の 集積度 が５以下である銅合金板。
- 公開日：2014/05/08
- 出典：放熱性及び繰り返し曲げ加工性に優れた銅合金板
- 出願人：ＪＸ金属株式会社
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Ａｇを０〜１．０質量％、Ｔｉを０〜０．０８質量％、Ｎｉを０〜２．０質量％、Ｚｎを０〜３．５質量％、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、及びＺｒの群から選択された一種以上を合計で０〜０．５質量％含有し、残部Ｃｕ及び不純物からなり、導電率が６０％ＩＡＣＳ以上であり、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、板表面の法線方向のステレオ三角に対し、ベクトル法による表示で用いられる等面積分割を行って得られたボックス番号１の結晶方位の 集積度 が１以上である銅合金板。
- 公開日：2013/06/06
- 出典：放熱性及び繰り返し曲げ加工性に優れた銅合金板
- 出願人：ＪＸ金属株式会社
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本発明の高けい素鋼板は、質量％で、C：0.02％以下、P：0.02%以下、Si：4.5%以上7.0％以下、Mn：0.01%以上1.0％以下、Al：1.0％以下、O：0.01%以下、N：0.01%以下を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなり、結晶粒界の酸素濃度（結晶粒界に偏析する元素中の酸素濃度）が３０ａｔ％以下であり、鋼板表面におけるα-Feの{211}面の 集積度 P(211)が15%以上である。
- 登録日：2017/04/14
- 出典：高けい素鋼板およびその製造方法
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
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前記鋼板の鋼組織における板厚１／４位置の｛１１１｝面の 集積度 が０．８〜１．３であって、かつ板厚１／４位置の｛１００｝面の集積度が０．７〜１．２であることを特徴とする請求項１に記載の曲げ加工性および低温靱性に優れる高張力鋼板。
- 公開日：2012/02/23
- 出典：曲げ加工性および低温靱性に優れる高張力鋼板およびその製造方法
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
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前記鋼板の鋼組織における板厚１／４位置での｛１１１｝面の 集積度 が０．８〜１．３で、かつ板厚１／４位置での｛１００｝面の集積度が０．７〜１．２であることを特徴とする請求項１に記載の曲げ加工性および低温靱性に優れる高張力鋼板。
- 公開日：2012/02/23
- 出典：曲げ加工性および低温靱性に優れる高張力鋼板およびその製造方法
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
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特定の成分組成を有し、金属組織がフェライト相主体の組織で、板厚表層部におけるＲＤ／／（１１０）面の 集積度 が１．３以上、板厚中央部におけるＲＤ／／（１１０）面の集積度が１．８以上の集合組織を有し、板厚表層部および板厚中央部におけるシャルピー破面遷移温度ｖＴｒｓが−５０℃以下である厚鋼板およびその製造方法。
- 公開日：2017/02/16
- 出典：脆性亀裂伝播停止特性に優れた大入熱溶接用高強度厚鋼板およびその製造方法
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
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Ａｇを０〜１．０質量％、Ｔｉを０〜０．０８質量％、Ｎｉを０〜２．０質量％、Ｚｎを０〜３．５質量％、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、及びＺｒの群から選択された一種以上を合計で０〜０．５質量％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、導電率が６０％ＩＡＣＳ以上であり、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、板表面の圧延方向の結晶方位を表したステレオ三角に対し、ベクトル法による表示で用いられる等面積分割を行って得られたボックス番号３６の結晶方位の 集積度 が６以下である銅合金板。
- 公開日：2014/05/08
- 出典：放熱性及び繰り返し曲げ加工性に優れた銅合金板
- 出願人：ＪＸ金属株式会社
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特定成分組成を有し、金属組織がフェライト相主体の組織で、板厚表層部におけるＲＤ／／（１１０）面の 集積度 が１．３以上、板厚中央部におけるＲＤ／／（１１０）面の集積度が１．８以上の集合組織を有し、表層部におけるシャルピー破面遷移温度ｖＴｒｓが−６０℃以下および板厚中央部におけるシャルピー破面遷移温度ｖＴｒｓが−５０℃以下であることを特徴とする脆性亀裂伝播停止特性に優れた厚鋼板。
- 公開日：2013/08/08
- 出典：脆性亀裂伝播停止特性に優れた構造用高強度厚鋼板およびその製造方法
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
集積度の問題点 に関わる言及
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Ｂ法では一次再結晶後窒化することと、一次再結晶粒径が大きいので二次再結晶発現まで殆ど粒成長は認められず、二次再結晶開始温度はＡ法と比べて高い。即ち二次インヒビターの強さはＡ法より強い。しかし発現する二次再結晶粒の方位 集積度 はＡ法と同等または僅かに劣る。これは三次インヒビターはＡ法と同等または若干弱いためである。
- 公開日： 1996/09/10
- 出典： 方向性電磁鋼板の製造方法
- 出願人： 新日鐵住金株式会社
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Ｂ法では一次再結晶後窒化することと、一次再結晶粒径が大きいので二次再結晶発現までほとんど粒成長は認められず、二次再結晶開始温度はＡ法と比べて高い。すなわち二次インヒビターの強さはＡ法より強い。しかし発現する二次再結晶粒の方位 集積度 はＡ法と同等または僅かに劣る。これは三次インヒビターはＡ法と同等または若干弱いためである。
- 公開日： 1996/09/03
- 出典： 方向性珪素鋼板の製造方法
- 出願人： 新日鐵住金株式会社
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本ルックアップテーブル、半導体集積回路、ルックアップテーブルの製造方法、および半導体集積回路の製造方法によれば、どの論理および配線の接続条件であってもビアの挿入のみで容易に製造できることで、低廉化と、 集積度 の向上および動作の高速化を図ることができるという効果を奏する。
- 公開日： 2010/09/24
- 出典： 半導体集積回路
- 出願人： 富士通セミコンダクター株式会社
集積度の特徴 に関わる言及
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電気的な生物活性を検出するための装置と、電気的な生物活性に影響を与えるための装置は両方共、無線のエネルギー供給部と、無線の制御信号伝送部と、小さな寸法とを有し、検出個所または影響を与える個所における高い 集積度 を可能にする。
- 公開日： 2007/11/01
- 出典： 電気的な生物活性の検出およびこの生物活性に影響を与えるためのシステム並びに生物の組織に植え込み可能な装置
- 出願人： ウニヴェルジテートブレーメン
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この光偏向器アレイにおいては、特定の光偏向器からの配線は、他の光偏向器とそれから延びている配線を避けて延びている。このため、複数の光偏向器は、配線が通り得る間隔をおいて配置されている。言い換えれば、複数の光偏向器の間に、配線が通るに十分な空間が確保されなければならない。これは、光偏向器の 集積度 の向上を妨げる。しかも、光偏向器の間に確保すべき空間は、光偏向器アレイに含まれる光偏向器の個数が増えるほど大きくなる。
- 公開日： 2005/06/23
- 出典： 光偏向器アレイ
- 出願人： オリンパス株式会社
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抵抗変化素子の動作領域を微細化し、 集積度 を向上することができる。このような抵抗変化素子を記憶装置に適用したときは、微細な動作領域でメモリ動作の安定性を図るとともに、高集積化が可能となる。
- 公開日： 2009/06/25
- 出典： 抵抗変化素子、これを用いた記憶装置、及びそれらの作製方法
- 出願人： 富士通株式会社
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集積度 の高い半導体記憶装置を提供すること。または、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供すること。または、書き込み可能な回数が多い半導体記憶装置を提供すること。
- 公開日： 2013/10/17
- 出典： 半導体記憶装置
- 出願人： 株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体集積回路としての 集積度 等を低下させることなく、同回路に生じる遅延変動をより適切に抑制することのできる半導体集積回路の設計方法、及び同設計を好適に支援する設計支援装置を提供する。
- 公開日： 2003/02/28
- 出典： 半導体集積回路の設計方法及び設計装置
- 出願人： 三洋電機株式会社
集積度の使用状況 に関わる言及
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スタック構造の半導体素子を製造することにおいて、層間絶縁膜の平坦化は工程マージンの確保はもちろん、素子の信頼性確保のため求められる。特に、層間絶縁膜の平坦化は半導体素子の 集積度 がさらに増加するに伴い、非常に重要に持ち上がっている。
- 公開日： 2001/08/24
- 出典： 平坦化膜の流動に基づく下部配線と上部配線の間の電気的ショートを防止するための半導体素子の製造方法
- 出願人： 現代電子産業株式会社
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エッチング装置は、プラズマエッチング装置などの乾式エッチング装置と、湿式エッチング装置とに大別できるが、半導体素子の 集積度 が高くなるにつれて異方性エッチングが可能な乾式エッチング装置が主として用いられている。
- 公開日： 2002/11/29
- 出典： 半導体素子の製造装置
- 出願人： 三星電子株式會社
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以上説明したように、電源配線を配線し、さらに、一般信号配線の概略配線を行った後、電源配線を移動し、幅を狭くし、また、幅を分割するようにして、電源配線を改善することにより、一般信号の配線の混雑緩和がなされ、一般信号配線の配線が容易となり、一般信号配線の配線率が向上する。従って、ＬＳＩの 集積度 向上に寄与できる。
- 公開日： 2000/01/14
- 出典： 半導体集積回路の電源配線方法
- 出願人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
