酸化物半導体 の意味・用法を知る

第１トランジスタと、第２トランジスタと、回路と、を有し、前記第１トランジスタは、第１ゲート及び第２ゲートを有し、前記第１トランジスタは、チャネル形成領域に第１ 酸化物半導体 を有し、前記第１ゲートと前記第２ゲートとは、前記第１酸化物半導体を間に介して、互いに重なる領域を有し、前記第２トランジスタは、チャネル形成領域に第２酸化物半導体を有し、前記第２トランジスタのゲートは、前記第２トランジスタの第１端子に電気的に接続され、前記第２トランジスタの第１端子は、前記第２ゲートに電気的に接続され、前記第２トランジスタの第２端子は、前記回路に電気的に接続され、前記回路は負電位を生成する機能を有し、前記第１酸化...

• 公開日：2017/06/29
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

また、トランジスタとして 酸化物半導体 を用いたトランジスタとすることでリークを低減し、容量素子の電圧保持が良好になる。

• 公開日：2017/05/18
• 出典：表示装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

第１トランジスタはｐチャネル型トランジスタであり、第２トランジスタ及び第３トランジスタはチャネル形成領域に 酸化物半導体 を有する。

• 公開日：2017/02/09
• 出典：メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

基板上の第１の絶縁体と、第１の絶縁体上の第１の 酸化物半導体 と、第１の酸化物半導体上の第２の酸化物半導体と、第２の酸化物半導体と接して設けられる第１の導電体および第２の導電体と、第２の酸化物半導体、第１の導電体および第２の導電体上に接して設けられる第３の酸化物半導体と、第３の酸化物半導体上の第２の絶縁体と、第２の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、第１の酸化物半導体、第２の酸化物半導体および第３の酸化物半導体のいずれか１以上は、ＣｕのＫα線を線源としたＸ線回折の測定によって（ｈｋｌ）面（ｈは０、ｋは０、ｌは自然数）に対応する結晶性ピークを有し、該ピークは、回折角２θが、３１．３°以上３３．５°未満...

• 公開日：2017/04/20
• 出典：酸化物の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

基板上に絶縁体を形成し、絶縁体に開口部を形成し、開口部内に 酸化物半導体 を形成した後、絶縁体の一部を除去し、酸化物半導体の側面を露出する。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

チャネルが形成される 酸化物半導体 層を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと呼ぶ場合がある。

• 公開日：2016/04/28
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

酸化物半導体 と、第２の絶縁体と、第２の絶縁体に埋め込まれた第１の導電体および第１の絶縁体と、第２の導電体と、第３の導電体と、酸化物半導体を覆う第３の絶縁体と、を有し、酸化物半導体の側面は、酸化物半導体の底面と平行な面に対する角度が、３０度以上６０度以下の領域を有する半導体装置。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

基板上に 酸化物半導体 と、酸化物半導体と接する第１の電極及び第２の電極と、酸化物半導体、第１の電極、第２の電極上の絶縁体と、絶縁体上の第３の電極と、を有し、酸化物半導体は、第１の電極と重なる第１の領域、第２の電極と重なる第２の領域、及び第３の電極と重なる第３の領域を有し、第１の領域と、第３の領域とは重なる第４の領域を有し、第２の領域と、第３の領域とは重なる第５の領域を有し、第１の電極の上面および第２の電極の上面は、酸化物半導体の上面と同一平面、または同一平面よりも酸化物半導体側に設けられている。

• 公開日：2016/09/01
• 出典：半導体装置
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

近年では、 酸化物半導体 （代表的にはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物）を用いたトランジスタの開発が活発化している。

• 公開日：2016/12/15
• 出典：半導体装置の作製方法
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

チャネルが形成される半導体層に 酸化物半導体 を用いるトップゲート型のトランジスタにおいて、ゲート電極形成後に自己整合方式によって半導体層に元素を導入し、その後、ゲート電極の側面を構造体で覆う。

• 公開日：2016/09/29
• 出典：トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
• 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所