還元雰囲気 の意味・用法を知る

この方法は、 還元雰囲気 に既に暴露された耐火ブロック材料上に、少なくとも１つの多価成分の実質的な再酸化を防ぎながら、溶融ガラスを流すステップをさらに含む。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：耐火物のガス前処理を含むガラスシート作製方法
• 出願人：コーニングインコーポレイティッド

...とのモル比がｙである比率で、正珪酸エチルを加えて、反応させた後、分離して金属ナノ粒子を被覆するＳｉＯ２を得、その中に、０＜ｙ≦１×１０−２である工程と、化学量論比に基づいて、Ｌｉ、Ｃａ、およびＴｂに対応する化合物および前記金属ナノ粒子を被覆するＳｉＯ２を秤量し、均一に混合した後熱処理を行い、さらに、 還元雰囲気 下で熱還元し、冷却した後Ｌｉ２Ｃａ１−ｘＳｉＯ４：Ｔｂｘ＠Ｍｙを得、その中に、＠は、被覆ということを表し、Ｍは、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、およびＣｕのナノ粒子から選ばれる少なくとも１種であり、０＜ｘ≦０．２である工程と、を含むことを特徴とする、金属ナノ粒子を被覆するケイ酸塩発光材料の製造方法...

• 公開日：2015/07/09
• 出典：金属ナノ粒子を被覆するケイ酸塩発光材料およびその製造方法
• 出願人：海洋王照明科技股ふん有限公司

...ｉとＣａとＴｂとＳｉ元素のモル比が２：(１−ｘ)：ｘ：１（ここで、ｘの範囲は０＜ｘ≦０．２である）の比例でＬｉ化合物、Ｃａ化合物、Ｔｂ化合物、及び前記Ｍイオン含有のＳｉＯ２エアロゲルをそれぞれ秤量し、研磨して均一に混合し、混合材料を得る工程と、前記混合材料を５００℃〜１０００℃で焼成処理を行ってから 還元雰囲気 において８００℃〜１２００℃で還元処理を行い、その後還元処理された混合材料を室温まで冷却して研磨し、一般式がＬｉ２Ｃａ１−ｘＳｉＯ４：Ｔｂｘ，Ｍｙ（ここで、Ｔｂ及びＭがＬｉ２Ｃａ１−ｘＳｉＯ４にドープされ、ドーピング粒子である）である前記ケイ酸塩発光材料を得る工程と、を含む、ことを特徴とす...

• 公開日：2015/11/16
• 出典：ケイ酸塩発光材料及びその製造方法
• 出願人：オーシャンズキングライティングサイエンスアンドテクノロジーカンパニーリミテッド

還元雰囲気 での焼結性を改善してＮｉとの共焼成が可能な積層圧電アクチュエータ等の圧電セラミック電子部品とその製造方法を実現する。

• 公開日：2014/07/31
• 出典：圧電セラミック電子部品、及び圧電セラミック電子部品の製造方法
• 出願人：株式会社村田製作所

...ス中の酸素濃度を測定するサブ酸素センサを備えており、前記制御部は、前記サブ酸素センサとさらに電気的に接続しており、ここで、前記制御部は、エンジン停止要求時において、前記サブ酸素センサにより前記触媒部の下流側の排ガスの酸素濃度を測定して、該酸素濃度に基づいて前記触媒部の雰囲気が酸化雰囲気であるかまたは 還元雰囲気 であるかを判定し、該判定において、前記触媒部が酸化雰囲気であると判定された場合は、エンジンに供給される混合気の空燃比を還元雰囲気側に制御することにより、エンジン停止前に前記触媒部の雰囲気を還元雰囲気にし、一方、前記判定によって、前記触媒部の雰囲気が還元雰囲気と判定された場合には、前記空燃比...

• 公開日：2013/06/10
• 出典：排ガス浄化装置および排ガス浄化方法
• 出願人：トヨタ自動車株式会社

第１の炭素材料を形成するために天然の無リグノセルロース炭素前駆体を不活性雰囲気または 還元雰囲気 内で加熱する工程、水性混合物を形成するために第１の炭素材料を無機化合物と混合する工程、無機化合物を第１の炭素材料に取り込むために水性混合物を不活性雰囲気または還元雰囲気内で加熱する工程、第２の炭素材料を作製するために第１の炭素材料から無機化合物を除去する工程及び低含有酸素活性炭材料を形成するために第２の炭素材料を不活性雰囲気または還元雰囲気内で加熱する工程を含む、低含有酸素活性炭材料を作製する方法。

• 公開日：2013/05/20
• 出典：ＥＤＬＣ用大容量／低酸素多孔質炭素
• 出願人：コーニングインコーポレイティッド

該発光材料の調製方法は、Ｌｎ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ａｇを源とする化合物と、シリカエーロゲルとを秤取するステップと、Ａｇを源とする化合物のアルコール溶液にシリカエーロゲルを溶解して、撹拌、乾燥、焼成を行い、Ａｇ含有のシリカエーロゲルを得るステップと、秤取したＬｎ、Ｃｅ、Ｔｂを源とする化合物と、Ａｇ含有のシリカエーロゲルとを混合した後、 還元雰囲気 下で焼成を行い、珪酸塩発光材料を得るステップとを含む。

• 公開日：2013/08/29
• 出典：珪酸塩発光材料及びその調製方法
• 出願人：オーシャンズキングライティングサイエンスアンドテクノロジーカンパニーリミテッド

前記製造方法では、ＳＷＣＮＴ成長温度は約５６０℃未満であり、約９００℃よりも高い温度で 還元雰囲気 に前記触媒を暴露することによって、前記触媒を活性化する。

• 公開日：2011/09/15
• 出典：単層カーボンナノチューブの低温合成法
• 出願人：本田技研工業株式会社

上記課題を解決するために、本発明は、超伝導単結晶の表面に絶縁層と電極を配置してなる固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法であって、前記表面の絶縁層を前記超伝導単結晶の結晶面を表面とし、当該表面を 還元雰囲気 に暴露しながら加熱して、当該表面を還元して絶縁化し、形成することを特徴とする固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法の構成とした。

• 公開日：2010/10/14
• 出典：固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法
• 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

バーナから離れた領域においても 還元雰囲気 を形成することで、還元雰囲気を広範囲に形成することができる技術を提供する。

• 公開日：2010/10/14
• 出典：微粉炭燃焼装置および微粉炭燃焼装置を用いた微粉炭燃焼方法
• 出願人：株式会社神戸製鋼所