EPI の意味・用法を知る
EPI とは、磁気共鳴イメージング装置 やマイクロ波、NMR等による材料の調査 などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社日立メディコ やルネサスエレクトロニクス株式会社 などが関連する技術を10,237件開発しています。
このページでは、 EPI を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
EPIの意味・用法
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...デバイス構造> 次に、本実施の形態における半導体素子の平面デバイス構造について説明する。図3は、本実施の形態における半導体素子SD1の平面デバイス構造を示す平面図である。図3に示すように、本実施の形態における半導体素子SD1は、p型半導体領域からなる分離半導体領域ISOで囲まれたエピタキシャル層EPIに形成されている。このエピタキシャル層EPIは、n型半導体層から形成されており、このエピタキシャル層EPI内にn型半導体領域からなる埋込半導体領域BSRが形成されている。そして、平面視において、埋込半導体領域BSRに内包されるように抵抗領域RRとシンカー領域SKRとが形成されている。具体的に、...
- 公開日:2018/03/22
- 出典:半導体装置
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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「トレンチフィル法」を採用しながら、エピタキシャル層EPIを複数層に分けて形成し、それぞれの複数層を形成した段階で、それぞれの複数層にトレンチを形成する。すなわち、例えば、図3に示すように、エピタキシャル層EPI1を形成した段階で、このエピタキシャル層EPI1にトレンチTR1を形成し、その後、エピタキシャル層EPI2を形成した段階で、このエピタキシャル層EPI2にトレンチTR2を形成し、エピタキシャル層EPI3を形成した段階で、このエピタキシャル層EPI3にトレンチTR3を形成する。
- 公開日:2016/09/23
- 出典:半導体装置およびその製造方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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記憶部20は、MPGパルスの印加を伴うEPI法により収集されたDWI画像を記憶する。画像処理部97は、MPGパルスの印加を伴わないEPI法による歪みの空間分布を示す第1の歪みマップとMPGパルスの印加による歪みの空間分布を示す第2の歪みマップとを利用して前記DWI画像から、MPGパルスの印加を伴わないEPI法に起因する画像歪みとMPGパルスの印加に起因する画像歪みとが低減された補正DWI画像を発生する。
- 公開日:2015/06/22
- 出典:医用画像処理装置及び磁気共鳴イメージング装置
- 出願人:東芝メディカルシステムズ株式会社
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本発明は、少なくとも1種のヒアルロン酸及び少なくとも1種のメピバカイン及び所望により1種以上の付加的な化合物を含有する、滅菌された水性組成物であって、ヒアルロン酸の濃度[HA]とメピバカインの濃度[MEPI]との比:[HA]/[MEPI]が、0.1以上、即ち[HA]/[MEPI]≧0.1であることを特徴とする、組成物に関する。本発明はまた、加熱滅菌後レオロジー特性が、リドカインを含有する同様のヒアルロン酸組成物のレオロジー特性よりも優れた、局所麻酔剤を含有するヒアルロン酸組成物を得るための、等量でのリドカインの代替としてのメピバカインの使用にも関する。
- 公開日:2017/01/05
- 出典:メピバカインを含有するヒアルロン酸組成物
- 出願人:ラボラトアールヴィヴァシィ
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従来、磁気共鳴イメージング装置による撮像法として、EPI(Echo Planar Imaging)が知られている。EPIは、1回のショットで完全な2D画像を取得できるため、速さが求められる場合に有効な撮像法である。このようなEPIでは、例えば、磁化率、化学シフト、不完全な磁場均一度調整、及び渦電流に関連して歪みが生じることがあり、これによってアーティファクト(例えば、ゴーストアーティファクト)が発生する場合がある。
- 公開日:2015/09/07
- 出典:磁気共鳴イメージング装置
- 出願人:東芝メディカルシステムズ株式会社
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半導体装置は、セル領域CRと、セル領域CRの外側に形成された周辺領域PERとを有し、セル領域CRのn型カラム領域NCのn型不純物濃度を周辺領域PERのエピタキシャル層EPIからなるn型カラム領域のn型不純物濃度よりも高くする。さらに、セル領域CRおよび周辺領域PERにおいてそれぞれチャージバランスをとり、また、セル領域CRの第1p型カラム領域PC1の総電荷量およびn型カラム領域NCがそれぞれ周辺領域PERの第3p型カラム領域PC3の総電荷量およびエピタキシャル層EPIからなるn型カラム領域よりも大きくなるように各総電荷量を設定する。
- 公開日:2015/12/07
- 出典:半導体装置およびその製造方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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第1導電型のベース基板BSUBの上には第1導電型の半導体層EPIが形成されている。半導体層EPIの不純物濃度はベース基板BSUBの不純物濃度よりも低い。半導体層EPIには、第2導電型の第1埋込層BINPL1と第2導電型の第2埋込層BINPL2とが形成されている。第2埋込層BINPL2は、第1埋込層BINPL1よりも深く、かつ第1埋込層BINPL1から離れており、第1埋込層BINPL1よりも不純物濃度が低い。半導体層EPIには、さらにトランジスタTR1が形成されている。
- 公開日:2015/12/14
- 出典:半導体装置
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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第1導電型のベース基板BSUBの上には、第1のドリフト層DRTが形成されている。ドリフト層DRTの上には、ドリフト層DRTよりも不純物濃度が高い高濃度第1導電型層DIF1が形成されている。高濃度第1導電型層DIF1の上には、ベース層BSEが形成されている。ベース層BSEの表層の少なくとも一部には、ソース層SOUが形成されている。そして、ゲートトレンチGTRNの下端は、ドリフト層DRTに達している。ゲートトレンチGTRNの底部には、埋込絶縁膜DEPIが埋め込まれている。厚さ方向において、埋込絶縁膜DEPIの上面は、高濃度第1導電型層DIF1と重なっている。
- 公開日:2015/04/27
- 出典:半導体装置及び半導体装置の製造方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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磁気共鳴イメージング装置で実行される磁気共鳴イメージング方法であって、所望の断面像を含む撮像範囲の位置決めに用いられる位置決め画像を収集する収集工程と、前記位置決め画像に対して、前記所望の断面像を含む撮像範囲を設定する設定工程と、設定された撮像範囲が、EPI(EchoPlanarImaging)撮像のオブリーク角度の制限範囲内か否かを判定する判定工程と、前記判定の結果、制限範囲を超えると判定されると、オブリーク角度が制限範囲内に収まるように、前記撮像範囲の設定を変更する変更工程と、変更後の設定に基づき、EPI撮像を実行するEPI撮像工程と、EPI撮像により得られた3次元データから、MPR(Mu...
- 公開日:2014/03/20
- 出典:磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法
- 出願人:東芝メディカルシステムズ株式会社
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半導体基板SUBは第1導電型の半導体基板である。半導体層EPIは半導体基板SUBの第1面に形成されている。複数の抵抗部RESは、いずれも第2導電型を有しており、半導体層EPIに形成されている。複数の抵抗部RESは互いに離間している。分離領域SEPは半導体層EPIに形成された第1導電型の領域であり、複数の抵抗部RESを電気的に互いに分離している。凹部DEPは半導体基板SUBの第2面に形成されており、平面視で複数の抵抗部RESと重なっている。そして半導体層EPIはエピタキシャル層である。
- 公開日:2014/11/13
- 出典:半導体装置及び半導体装置の製造方法
- 出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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エポキシ樹脂
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