EPI の意味・用法を知る

...デバイス構造＞ 次に、本実施の形態における半導体素子の平面デバイス構造について説明する。図３は、本実施の形態における半導体素子ＳＤ１の平面デバイス構造を示す平面図である。図３に示すように、本実施の形態における半導体素子ＳＤ１は、ｐ型半導体領域からなる分離半導体領域ＩＳＯで囲まれたエピタキシャル層ＥＰＩに形成されている。このエピタキシャル層ＥＰＩは、ｎ型半導体層から形成されており、このエピタキシャル層ＥＰＩ内にｎ型半導体領域からなる埋込半導体領域ＢＳＲが形成されている。そして、平面視において、埋込半導体領域ＢＳＲに内包されるように抵抗領域ＲＲとシンカー領域ＳＫＲとが形成されている。具体的に、...

• 公開日：2018/03/22
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

「トレンチフィル法」を採用しながら、エピタキシャル層ＥＰＩを複数層に分けて形成し、それぞれの複数層を形成した段階で、それぞれの複数層にトレンチを形成する。すなわち、例えば、図３に示すように、エピタキシャル層ＥＰＩ１を形成した段階で、このエピタキシャル層ＥＰＩ１にトレンチＴＲ１を形成し、その後、エピタキシャル層ＥＰＩ２を形成した段階で、このエピタキシャル層ＥＰＩ２にトレンチＴＲ２を形成し、エピタキシャル層ＥＰＩ３を形成した段階で、このエピタキシャル層ＥＰＩ３にトレンチＴＲ３を形成する。

• 公開日：2016/09/23
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

記憶部２０は、ＭＰＧパルスの印加を伴うＥＰＩ法により収集されたＤＷＩ画像を記憶する。画像処理部９７は、ＭＰＧパルスの印加を伴わないＥＰＩ法による歪みの空間分布を示す第１の歪みマップとＭＰＧパルスの印加による歪みの空間分布を示す第２の歪みマップとを利用して前記ＤＷＩ画像から、ＭＰＧパルスの印加を伴わないＥＰＩ法に起因する画像歪みとＭＰＧパルスの印加に起因する画像歪みとが低減された補正ＤＷＩ画像を発生する。

• 公開日：2015/06/22
• 出典：医用画像処理装置及び磁気共鳴イメージング装置
• 出願人：東芝メディカルシステムズ株式会社

本発明は、少なくとも１種のヒアルロン酸及び少なくとも１種のメピバカイン及び所望により１種以上の付加的な化合物を含有する、滅菌された水性組成物であって、ヒアルロン酸の濃度［ＨＡ］とメピバカインの濃度［ＭＥＰＩ］との比：［ＨＡ］／［ＭＥＰＩ］が、０．１以上、即ち［ＨＡ］／［ＭＥＰＩ］≧０．１であることを特徴とする、組成物に関する。本発明はまた、加熱滅菌後レオロジー特性が、リドカインを含有する同様のヒアルロン酸組成物のレオロジー特性よりも優れた、局所麻酔剤を含有するヒアルロン酸組成物を得るための、等量でのリドカインの代替としてのメピバカインの使用にも関する。

• 公開日：2017/01/05
• 出典：メピバカインを含有するヒアルロン酸組成物
• 出願人：ラボラトアールヴィヴァシィ

従来、磁気共鳴イメージング装置による撮像法として、ＥＰＩ（Echo Planar Imaging）が知られている。ＥＰＩは、１回のショットで完全な２Ｄ画像を取得できるため、速さが求められる場合に有効な撮像法である。このようなＥＰＩでは、例えば、磁化率、化学シフト、不完全な磁場均一度調整、及び渦電流に関連して歪みが生じることがあり、これによってアーティファクト（例えば、ゴーストアーティファクト）が発生する場合がある。

• 公開日：2015/09/07
• 出典：磁気共鳴イメージング装置
• 出願人：東芝メディカルシステムズ株式会社

半導体装置は、セル領域ＣＲと、セル領域ＣＲの外側に形成された周辺領域ＰＥＲとを有し、セル領域ＣＲのｎ型カラム領域ＮＣのｎ型不純物濃度を周辺領域ＰＥＲのエピタキシャル層ＥＰＩからなるｎ型カラム領域のｎ型不純物濃度よりも高くする。さらに、セル領域ＣＲおよび周辺領域ＰＥＲにおいてそれぞれチャージバランスをとり、また、セル領域ＣＲの第１ｐ型カラム領域ＰＣ１の総電荷量およびｎ型カラム領域ＮＣがそれぞれ周辺領域ＰＥＲの第３ｐ型カラム領域ＰＣ３の総電荷量およびエピタキシャル層ＥＰＩからなるｎ型カラム領域よりも大きくなるように各総電荷量を設定する。

• 公開日：2015/12/07
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

第１導電型のベース基板ＢＳＵＢの上には第１導電型の半導体層ＥＰＩが形成されている。半導体層ＥＰＩの不純物濃度はベース基板ＢＳＵＢの不純物濃度よりも低い。半導体層ＥＰＩには、第２導電型の第１埋込層ＢＩＮＰＬ１と第２導電型の第２埋込層ＢＩＮＰＬ２とが形成されている。第２埋込層ＢＩＮＰＬ２は、第１埋込層ＢＩＮＰＬ１よりも深く、かつ第１埋込層ＢＩＮＰＬ１から離れており、第１埋込層ＢＩＮＰＬ１よりも不純物濃度が低い。半導体層ＥＰＩには、さらにトランジスタＴＲ１が形成されている。

• 公開日：2015/12/14
• 出典：半導体装置
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

第１導電型のベース基板ＢＳＵＢの上には、第１のドリフト層ＤＲＴが形成されている。ドリフト層ＤＲＴの上には、ドリフト層ＤＲＴよりも不純物濃度が高い高濃度第１導電型層ＤＩＦ１が形成されている。高濃度第１導電型層ＤＩＦ１の上には、ベース層ＢＳＥが形成されている。ベース層ＢＳＥの表層の少なくとも一部には、ソース層ＳＯＵが形成されている。そして、ゲートトレンチＧＴＲＮの下端は、ドリフト層ＤＲＴに達している。ゲートトレンチＧＴＲＮの底部には、埋込絶縁膜ＤＥＰＩが埋め込まれている。厚さ方向において、埋込絶縁膜ＤＥＰＩの上面は、高濃度第１導電型層ＤＩＦ１と重なっている。

• 公開日：2015/04/27
• 出典：半導体装置及び半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

磁気共鳴イメージング装置で実行される磁気共鳴イメージング方法であって、所望の断面像を含む撮像範囲の位置決めに用いられる位置決め画像を収集する収集工程と、前記位置決め画像に対して、前記所望の断面像を含む撮像範囲を設定する設定工程と、設定された撮像範囲が、ＥＰＩ（EchoPlanarImaging）撮像のオブリーク角度の制限範囲内か否かを判定する判定工程と、前記判定の結果、制限範囲を超えると判定されると、オブリーク角度が制限範囲内に収まるように、前記撮像範囲の設定を変更する変更工程と、変更後の設定に基づき、ＥＰＩ撮像を実行するＥＰＩ撮像工程と、ＥＰＩ撮像により得られた３次元データから、ＭＰＲ（Mu...

• 公開日：2014/03/20
• 出典：磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法
• 出願人：東芝メディカルシステムズ株式会社

半導体基板ＳＵＢは第１導電型の半導体基板である。半導体層ＥＰＩは半導体基板ＳＵＢの第１面に形成されている。複数の抵抗部ＲＥＳは、いずれも第２導電型を有しており、半導体層ＥＰＩに形成されている。複数の抵抗部ＲＥＳは互いに離間している。分離領域ＳＥＰは半導体層ＥＰＩに形成された第１導電型の領域であり、複数の抵抗部ＲＥＳを電気的に互いに分離している。凹部ＤＥＰは半導体基板ＳＵＢの第２面に形成されており、平面視で複数の抵抗部ＲＥＳと重なっている。そして半導体層ＥＰＩはエピタキシャル層である。

• 公開日：2014/11/13
• 出典：半導体装置及び半導体装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社