絶縁分離 の意味・用法を知る

絶縁分離 部２２は、光電変換部１１間に増幅トランジスタ１４が配置されていない第１の領域Ａと、増幅トランジスタ１４が配置されている第２の領域Ｂとを有し、絶縁分離部２２の下方には、第１の分離拡散層２３と第２の分離拡散層２４とが形成されており、第１の領域Ａにおいて、第２の分離拡散層２４の幅は、第１の分離拡散層２３の幅よりも広い。

• 公開日：2010/11/11
• 出典：固体撮像装置
• 出願人：パナソニック株式会社

拡散抵抗領域の接合深さが、隣接する前記拡散抵抗領域間の 絶縁分離 のために形成されるトレンチの深さより深い場合でも、前記拡散抵抗領域間の絶縁分離を充分に確保することができる拡散抵抗領域アレイを備えた半導体装置を提供することである。

• 公開日：2007/06/14
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：富士電機株式会社

絶縁分離 ｐウェル（２２）は複数のｎウェルプラグ（２７）を有し、この複数のｎウェルプラグ（２７）は、半導体素子（２０）の表面から絶縁分離ｐウェル（２２）内へと延びると共に、埋込ｎウェル（２５）と接触する。

• 公開日：2005/12/02
• 出典：高周波数信号のアイソレーションを提供する半導体素子
• 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

（９）大見の特開平６−１２０２０６号公報（特許文献８）には、選択エピタキシャル成長領域を 絶縁分離 する絶縁膜のニッケル触媒により生成した水素活性種によるシンタリング技術が示されている。

• 公開日：2004/07/15
• 出典：半導体集積回路装置の製造方法
• 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

絶縁分離 特性が優れていると共に、放熱性にも優れた構造を有する誘電体分離型の半導体装置を提供する。

• 公開日：1996/05/21
• 出典：半導体装置
• 出願人：パナソニックエコソリューションズ内装建材株式会社

絶縁分離 帯の溝１０５内に、低抵抗埋設物としての埋設ポリシリコン膜１０７を埋め込み、溝１０５の側面の一部に開けた開口部１５２より、埋設物１０７と埋込領域１０２とを接続する。

• 公開日：1997/05/02
• 出典：半導体装置およびその製造方法
• 出願人：日本電気株式会社

伝導層の微細な 絶縁分離 の方法を提供すること。

• 公開日：1995/01/31
• 出典：絶縁分離の方法
• 出願人：日本電気株式会社

そして、光モジュール１は、第１基板４において発光素子２が配置された第１支持部４ａと、第１基板４において受光素子３が配置された第２支持部４ｂとを電気的に絶縁する 絶縁分離 部８をさらに備える。

• 公開日：2017/06/15
• 出典：光モジュール、及びその製造方法
• 出願人：パナソニックＩＰマネジメント株式会社

基板を貫通する電極の周囲に環状の 絶縁分離 部を形成する場合、絶縁分離部を構成する絶縁膜の応力により基板が陥没し、前記電極の接続性が不良となる場合がある。

• 公開日：2014/02/03
• 出典：半導体装置及びその製造方法
• 出願人：ピーエスフォールクスコエスエイアールエル

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板上に、複数層の電極層を含む積層体を形成する工程と、第１の方向に延びて設けられ、第１の方向に対して交差する第２の方向に積層体を分断するとともに、積層体の上に突出した突出部を有する複数の 絶縁分離 部であって、基板の主面に対して垂直な方向から見た平面視で第１の方向に沿って凹凸が繰り返された側壁をそれぞれが有する複数の絶縁分離部を形成する工程と、絶縁分離部の突出部の側壁に側壁膜を形成し、複数の絶縁分離部の間に、側壁膜によって囲まれ且つ側壁膜によって第１の方向に分断された複数の第１のホールを形成する工程と、絶縁分離部及び側壁膜をマスクにしたエッチングにより、第...

• 公開日：2013/09/09
• 出典：半導体装置の製造方法及び半導体装置
• 出願人：株式会社東芝