結晶粒 の意味・用法を知る
結晶粒 とは、非鉄金属または合金の熱処理 やバイト、中ぐり工具、ホルダ及びタレット などの分野において活用されるキーワードであり、三菱マテリアル株式会社 や新日鐵住金株式会社 などが関連する技術を12,628件開発しています。
このページでは、 結晶粒 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
結晶粒の意味・用法
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...μｍの合計平均層厚を有し、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣＯ、ＴｉＣＮＯのうちの２層以上からなり、その内の少なくとも１層はＴｉＣＮ層で構成したＴｉ化合物層からなり、（ｂ）上部層は、１〜３０μｍの平均層厚を有し、化学蒸着した状態でα型の結晶構造を有するＡｌ２Ｏ３層からなり、（ｃ）前記上部層のＡｌ２Ｏ３ 結晶粒 について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子線後方散乱回折装置を用い、断面研磨面の測定範囲内に存在する結晶粒個々に電子線を照射して、コランダム型六方晶結晶格子からなる結晶格子面のそれぞれの法線の方位の角度を測定し、この測定結果から、隣接する結晶格子相互の結晶方位関係を算出し、結晶格子界面を構成する...
- 公開日：2015/12/24
- 出典：表面被覆切削工具
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
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結晶粒 の粒径の変動係数が１５％以下であることを特徴とする請求項１に記載のＮｉ−Ｖ合金スパッタリングターゲット。
- 公開日：2018/01/18
- 出典：Ｎｉ－Ｖ合金スパッタリングターゲット
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
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Ｔｉ化合物層の下部層とＴｉＡｌＣＮ層の上部層を被覆された表面被覆切削工具において、基体表面の法線方向に対して、１μｍ以上かつ下部層の合計平均層厚の５０％以上の平均層厚を有するＴｉ化合物層の 結晶粒 および上部層のＴｉＡｌＣＮ層の結晶粒の｛１１０｝面の法線がなす傾斜角が０〜１０度の範囲内である傾斜角度数分布は、それぞれ３０％以上であり、前記Ｔｉ化合物層の結晶粒の基体表面に平行な方向の最大幅に対応する上部層の領域には、基体表面の法線方向に対する｛１１０｝面の法線の傾斜角が０〜１０度の範囲内であるＴｉＡｌＣＮ結晶粒が存在し、かつ、該結晶粒は、基体表面の法線方向に対する｛１１０｝面の法線の傾斜角が０〜１０...
- 公開日：2016/07/11
- 出典：耐チッピング性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
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Ｔｉ化合物層の下部層とＴｉＡｌＣＮ層の上部層を被覆された表面被覆切削工具において、基体表面の法線方向に対して、１μｍ以上かつ下部層の合計平均層厚の５０％以上の平均層厚を有するＴｉ化合物層の 結晶粒 および上部層のＴｉＡｌＣＮ層の結晶粒の｛４２２｝面の法線がなす傾斜角が０〜１０度の範囲内である傾斜角度数分布は、それぞれ３０％以上であり、前記Ｔｉ化合物層の結晶粒の基体表面に平行な方向の最大幅に対応する上部層の領域には、基体表面の法線方向に対する｛４２２｝面の法線の傾斜角が０〜１０度の範囲内であるＴｉＡｌＣＮ結晶粒が存在し、かつ、該結晶粒は、基体表面の法線方向に対する｛４２２｝面の法線の傾斜角が０〜１０...
- 公開日：2016/07/11
- 出典：耐チッピング性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
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前記一対の脚部及び前記頭部の両方を眺める方向から断面観察したときに、前記脚部の付け根部分から脚部の先端へ向かって下ろした垂線の長さのうち、当該付け根部分から５０％の長さに相当する部分である脚元部における 結晶粒 の平均アスペクト比が５．１以上である請求項１〜６の何れか一項に記載のスライドファスナー用エレメント。
- 公開日：2017/04/13
- 出典：スライドファスナー用エレメント
- 出願人：ＹＫＫ株式会社
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特許文献３には、Tiを添加し、Ti炭化物、Ti含有複合炭化物、Ti窒化物を微細に析出させるとともに、Ti系硫化物を析出させ、 結晶粒 の粗大化防止と被削性の向上を図ることが記載されている。
- 公開日：2018/02/22
- 出典：肌焼鋼
- 出願人：ＪＦＥスチール株式会社
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...するＴｉＣＮ層を含む下部層とＮａＣｌ型面心立方晶単相の結晶構造またはＮａＣｌ型面心立方晶と六方晶の混相の結晶構造を有するＴｉＡｌＣＮ層からなる上部層を被覆し、前記ＴｉＣＮ層および前記ＴｉＡｌＣＮ層について、電子線後方散乱回折装置を用いて結晶方位の解析した場合、上部層と下部層の界面を介して隣接している 結晶粒 であって、下部層のＴｉＣＮ結晶粒の（ｈｋｌ）面の法線方向と、上部層のＴｉＡｌＣＮ結晶粒の（ｈｋｌ）面の法線方向との方位差が５度以内である結晶粒が、界面において存在し、該結晶粒の線密度が２個／１０μｍ以上であり、上記方位差が５度以内である結晶粒面積割合が界面を介して隣接している結晶粒の総面積に対...
- 公開日：2016/05/09
- 出典：耐チッピング性にすぐれた表面被覆切削工具
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
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硬質被覆層が、組成式：（Ｔｉ１−ｘ—ｙＡｌｘＭｅｙ）（ＣｚＮ１−ｚ）で表される複合窒化物または複合炭窒化物層（２）（但し、Ｍｅは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｖ、Ｃｒの中から選ばれる一種の元素）を含み、Ａｌの平均含有割合Ｘａｖｇ、Ｍｅの平均含有割合Ｙａｖｇ、Ｃの平均含有割合Ｚａｖｇが、０．６０≦Ｘａｖｇ、０．００５≦Ｙａｖｇ≦０．１０、０≦Ｚａｖｇ≦０．００５、０．６０５≦Ｘａｖｇ＋Ｙａｖｇ≦０．９５を満足し、複合窒化物または複合炭窒化物層（２）を構成する 結晶粒 は、立方晶構造を有するものが存在し、立方晶構造を有する結晶粒内に、ＴｉとＡｌとＭｅの所定の周期の組成変化が存在する表面被覆切削工具を提供する。
- 公開日：2016/06/20
- 出典：表面被覆切削工具
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
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結晶粒 の圧延方向の長さの平均値DLmaxが12mm以上、皮膜張力が1MPa以下、板厚が0.35mm以下であり、結晶粒の圧延方向の長さを４等分した領域に分け、その外側の２つの領域に存在する結晶粒界から結晶粒の内側に向けた距離が２ｍｍ内の粒界近傍領域について、結晶方位のもぐり角の絶対値をβとして、（βが４．０°以下である粒界近傍領域の面積）／（粒界近傍領域の全面積）≧０．５０である方向性電磁鋼板。
- 公開日：2017/06/01
- 出典：方向性電磁鋼板とその製造方法
- 出願人：新日鐵住金株式会社
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...vg（原子比）が、０．４０≦ｘavg≦０．９５（好ましくは、０．４０≦ｘavg≦０．７０）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなり、また、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層は、１．０ＧＰａ以上８．０ＧＰａの圧縮残留応力を有し、さらに、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層中の立方晶 結晶粒 の結晶方位を、電子線後方散乱回折装置を用いて解析し、結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、結晶粒内平均方位差が２度以上を示す結晶粒が（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層の全面積に対して面積割合で１０％以上存在することによって、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる硬質被覆層は、すぐれた耐欠損性と耐摩耗性を両立する。
- 公開日：2017/05/18
- 出典：硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と耐摩耗性を備える表面被覆切削工具およびその製造方法
- 出願人：三菱マテリアル株式会社
結晶粒の問題点 に関わる言及
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融液や溶液などを用いて単結晶を成長する際に起こる多結晶化、即ち成長中にルソボ壁や融液あるいは溶液中から発生する結晶核から成長した 結晶粒 が、元の種結晶から成長した結晶を次第に侵食してしまう現象は、結晶成長において大きな問題であり、結晶成長学的観点から根本的な解決策が必要である。
- 公開日： 2005/05/12
- 出典： 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法
- 出願人： 国立大学法人東北大学
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しかしながら、動的再結晶は極めて速い速度で粒界移動あるいは新粒界を生成することによって歪を開放する現象であり、また、 結晶粒 の微細化は、粒界移動を容易化するので、動的再結晶を生じ易くする方向に作用する。さらに、動的再結晶の各生成は旧粒界で起こるので、旧結晶粒が微細であるほど、動的再結晶粒の各生成頻度が高まり、再結晶後の新結晶粒の微細化が進行することになる。
- 公開日： 1998/01/13
- 出典： 超微細組織を有する高張力熱延鋼板の製造方法
- 出願人： ＪＦＥスチール株式会社
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簡便に結晶方位の同定が可能であって、しかも微細な 結晶粒 に対して適用可能であり、被検体に含まれる添加物の影響を受けにくい結晶方位の同定方法及び結晶方位同定装置を提供する。
- 公開日： 2008/02/21
- 出典： 結晶方位同定方法及び結晶方位同定装置
- 出願人： 国立大学法人岡山大学
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これらの方法により、異成分の 結晶粒 が混在した薄膜を成膜することができると同時に、複数の成分の結晶粒がお互いに影響し合って結晶粒の成長が妨げられ、超微粒構造の薄膜を成膜することができる。
- 公開日： 1998/08/04
- 出典： 複合硬質膜およびその膜の成膜方法ならびにその膜を被覆した耐摩耗性部材
- 出願人： 住友電工ハードメタル株式会社
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基本的に、冷間圧延板の 結晶粒 は、冷間圧延により伸ばされているのみであり、結晶粒の幅は熱間圧延板の結晶粒幅と同等であった。さらに、結晶粒の伸び率も熱間圧延板から冷間圧延により伸ばされた板の伸び率と同等であった。
- 公開日： 2002/05/09
- 出典： アルミニウム合金板およびその製造方法
- 出願人： 日本軽金属株式会社
結晶粒の特徴 に関わる言及
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酸化物半導体は、例えば多結晶を有してもよい。なお、多結晶を有する酸化物半導体を、多結晶酸化物半導体と呼ぶ。多結晶酸化物半導体は複数の 結晶粒 を含む。多結晶酸化物半導体は、例えば、非晶質部を有している場合がある。
- 公開日： 2013/12/19
- 出典： プログラマブルロジックデバイス
- 出願人： 株式会社半導体エネルギー研究所
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なお酸化物半導体は、例えば多結晶を有してもよい。なお、多結晶を有する酸化物半導体を、多結晶酸化物半導体と呼ぶ。多結晶酸化物半導体は複数の 結晶粒 を含む。多結晶酸化物半導体は、例えば、非晶質部を有している場合がある。
- 公開日： 2013/11/28
- 出典： 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
- 出願人： 株式会社半導体エネルギー研究所
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結晶粒 大きさの均一性および結晶粒界の規則的な分布を実現できることにより、優秀な特性を備える多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法および多結晶シリコン層を用いた平板表示装置を提供する。
- 公開日： 2007/06/28
- 出典： 多結晶シリコン層、多結晶シリコン層製造方法、および多結晶シリコン層を用いる平板表示装置
- 出願人： 三星ディスプレー株式會社
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ＳＬＳ法による結晶性薄膜の製造方法において 結晶粒 および結晶粒界の位置を高度に二次元的に制御する新たな方法を実現し、この製造方法によって結晶粒位置を高度に制御した結晶性薄膜を提供し、さらにはこの薄膜を用いて高性能な素子、回路、並びに装置を提供すること。
- 公開日： 2005/01/06
- 出典： 結晶性薄膜及びその製造方法、該結晶性薄膜を用いた素子、該素子を用いて構成した回路、並びに該素子もしくは該回路を含む装置
- 出願人： キヤノン株式会社
結晶粒の使用状況 に関わる言及
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これらの技術は、上述したように溶接部の靭性劣化や著しい生産性の低下、さらに圧延機に多大な負荷が生じるといった課題が常に残存する。従って、単なる 結晶粒 の微細化技術に頼らない生産性の高い安価な高靭性化技術が切望されていた。
- 公開日： 2007/06/14
- 出典： 靭性に優れた厚鋼板の製造方法
- 出願人： 新日鐵住金株式会社
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マグネシウム合金素材の大きさや形状に制約を受けずにその加工性を向上させることができ、且つ優れた 結晶粒 の安定性を有する、加工性に優れたマグネシウム合金素材の製造方法を提供すること。
- 公開日： 2004/03/11
- 出典： 加工性に優れた塑性加工用マグネシウム合金素材の製造方法、塑性加工用マグネシウム合金素材の塑性加工法及びマグネシウム合金製塑性加工品
- 出願人： 昭和電工株式会社
