結晶欠陥 の意味・用法を知る

しかし、ある程度 結晶欠陥 が少なく高品質なIII族窒化物種結晶を用いた場合、結晶成長によってそれ以上に結晶欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を得ることは困難である。

• 公開日： 2013/09/05
• 出典： ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法
• 出願人： 国立大学法人大阪大学

一方、種結晶成長法は、自然核成長法によって得られ種結晶の欠陥をそのまま引き継がれる。このため、種結晶の品質が悪い場合には、得られるＤＡＳＴ結晶が多結晶化したり、内部に多くの 結晶欠陥 が導入されるので、結晶性の高い大型ＤＡＳＴ結晶を得ることは極めて困難であった。

• 公開日： 2007/12/06
• 出典： 有機単結晶の形成方法
• 出願人： 古河機械金属株式会社

しかし、横型減圧気相成長装置は、成長層の抵抗率および厚さの均一性や 結晶欠陥 など品質面で問題があるため、現在では縦型減圧気相成長装置の方が一般的に用いられている。

• 公開日： 1999/08/06
• 出典： 縦型減圧気相成長装置とこれを用いた気相成長方法
• 出願人： 日本電気株式会社

炭化珪素単結晶の成長時に単結晶の周辺に多結晶が析出することにより、単結晶内の多結晶との境界付近にマイクロパイプと呼ばれる 結晶欠陥 が多数発生したり、単結晶に歪みが入るという問題点を解決する。また、炭化珪素単結晶の成長方向に平行な貫通穴状のマイクロパイプが単結晶内に生成するという問題点を解決する。

• 公開日： 2002/01/15
• 出典： 炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶
• 出願人： 昭和電工株式会社

しかし、上記方法においては、種結晶と炭化珪素の原料とを加熱する際の昇温段階で、種結晶表面の炭化が起こり、多結晶の発生やエッチピットに代表される 結晶欠陥 が増大し、結晶性の低下を招く。

• 公開日： 1994/12/02
• 出典： 炭化珪素単結晶の製造方法
• 出願人： 株式会社豊田中央研究所

第一の実施態様では、緩衝層または中間層は、核生成層または成長層とベース基板との間に介挿されており、当該緩衝層は、例えば、当該層における 結晶欠陥 の発生、または当該層の材料の機械的変位によって、多量の応力を吸収することができる。

• 公開日： 2007/02/22
• 出典： 応力のかかるシステムのための基板および当該基板上での結晶成長法
• 出願人： エス．オー．アイ．テックシリコンオンインシュレータテクノロジーズエス．アー．

液滴吐出ヘッドのＳｉ基板の製造時の 結晶欠陥 の発生を抑え、吐出バラツキを小さくすることのできる信頼性の高い液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出ヘッド、並びに記録装置、カラーフィルター製造装置、電界発光基板製造装置、マイクロアレイ製造装置を提供する。

• 公開日： 2004/07/15
• 出典： 液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出ヘッド、並びに記録装置、カラーフィルター製造装置、電界発光基板製造装置、マイクロアレイ製造装置
• 出願人： セイコーエプソン株式会社

坩堝側方にヒータを有する多結晶シリコンインゴット製造装置において、インゴット割れおよび 結晶欠陥 の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。

• 公開日： 2013/06/13
• 出典： 多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコンブロック、多結晶シリコンウエハ、多結晶シリコン太陽電池、多結晶太陽電池モジュール
• 出願人： シャープ株式会社

上記の従来の構造において、単結晶成長は装置状況の変動によっては 結晶欠陥 が生じ、安定して結晶成長が行えないという問題を有している。また単結晶成長装置は高価な製造装置であり、その製造装置を用いて製造された半導体装置はコストが高いという欠点も有している。

• 公開日： 2006/02/02
• 出典： 半導体装置の製造方法
• 出願人： セイコーインスツル株式会社