結晶欠陥 の意味・用法を知る
結晶欠陥 とは、半導体等の試験・測定 やアニール などの分野において活用されるキーワードであり、信越半導体株式会社 や株式会社SUMCO などが関連する技術を1,043件開発しています。
このページでは、 結晶欠陥 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
結晶欠陥の意味・用法
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さらに、単結晶ダイヤモンド(20)は、 結晶欠陥 点(20dp)の群が集合して任意に特定される一方向から30°以内の方向に線状に延びる結晶欠陥線状集合領域(20r)が複数並列して存在する。
- 公開日:2017/04/27
- 出典:単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、単結晶ダイヤモンドを含む工具、ならびに単結晶ダイヤモンドを含む部品
- 出願人:住友電気工業株式会社
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シリコン単結晶基板を、選択エッチング液で処理して選択エッチングし、次いで、フッ硝酸溶液(フッ酸:硝酸=1:280〜2800の容積比)で処理して、前記選択エッチング処理によりシリコン単結晶基板に生じたステイン膜を除去した後、 結晶欠陥 の評価を行うことを特徴とする、低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 公開日:2017/11/02
- 出典:低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法
- 出願人:グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
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窒化物系半導体の 結晶欠陥 の検出方法であって、請求項1ないし4のいずれか記載のエッチング方法に前記窒化物系半導体をエッチングする工程と、前記エッチングが行われた窒化物系半導体の表面形態を観察することにより、前記窒化物系半導体の結晶欠陥を検出する工程と、を備える、結晶欠陥の検出方法。
- 公開日:2016/12/08
- 出典:窒化物系半導体のエッチング方法および窒化物系半導体の結晶欠陥検出方法
- 出願人:一般財団法人ファインセラミックスセンター
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前記方法はさらに、前記エッチング液により前記基板の 結晶欠陥 の箇所に凹部を形成することを含む。
- 公開日:2017/06/01
- 出典:エッチング方法
- 出願人:東芝メモリ株式会社
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10nm以下の 結晶欠陥 サイズであっても、結晶欠陥の分布を求めることができる結晶欠陥評価方法を提供する。
- 公開日:2018/03/15
- 出典:結晶欠陥評価方法
- 出願人:信越半導体株式会社
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半導体試料の 結晶欠陥 を検出する方法であって、半導体試料上を少なくとも一方向に走査しながら半導体試料に光を照射し、半導体試料から放出されたフォトルミネッセンス光を受光する工程と、半導体試料上の各走査位置における受光した光の強度情報を得る工程と、得られた強度情報から結晶欠陥がある候補位置を特定する工程と、特定された前記候補位置を含む半導体試料の2次元領域に光を照射して、2次元領域についてのフォトルミネッセンス光を受光し、受光した光の2次元強度分布を取得する工程と、2次元強度分布から直線を検出し、検出した直線を結晶欠陥と判定する工程と、を含む。
- 公開日:2017/01/12
- 出典:半導体試料の結晶欠陥検出装置及び結晶欠陥検出方法
- 出願人:パナソニック株式会社
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ダイヤモンドの 結晶欠陥 の検出方法であって、ダイヤモンドを請求項1ないし5のいずれか記載のエッチング方法によりエッチングする工程と、前記エッチングにより発生したエッチピットを観察する工程と、を含む、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法。
- 公開日:2016/06/30
- 出典:ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダイヤモンド結晶の結晶成長方法
- 出願人:一般財団法人ファインセラミックスセンター
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窒化物半導体層の 結晶欠陥 の密度が低減され、簡便に製造することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
- 公開日:2016/05/30
- 出典:窒化物半導体素子及びその製造方法
- 出願人:日亜化学工業株式会社
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本発明は、このような課題を鑑みてなされたものであって、シリコン基板などの上にエピタキシャル成長された窒化物系半導体層を表面側に有する半導体装置において、スクライブレーン幅を広く設定したり、スクライブレーンの窒化物系半導体層をエッチングしたりしなくても、ダイシング時に発生するチッピングや 結晶欠陥 を抑止でき、素子端部に窒化アルミニウムが露出しない構造を有する半導体装置を提供する
- 公開日:2017/02/16
- 出典:化合物半導体装置および樹脂封止型半導体装置
- 出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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測定者間の評価結果のばらつきを抑制することができる 結晶欠陥 の評価方法、シリコンウェーハの製造方法及び結晶欠陥の評価装置を提供する。
- 公開日:2017/12/07
- 出典:結晶欠陥の評価方法、シリコンウェーハの製造方法及び結晶欠陥の評価装置
- 出願人:株式会社SUMCO
結晶欠陥の問題点 に関わる言及
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しかし、ある程度 結晶欠陥 が少なく高品質なIII族窒化物種結晶を用いた場合、結晶成長によってそれ以上に結晶欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を得ることは困難である。
- 公開日: 2013/09/05
- 出典: III族窒化物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法
- 出願人: 国立大学法人大阪大学
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一方、種結晶成長法は、自然核成長法によって得られ種結晶の欠陥をそのまま引き継がれる。このため、種結晶の品質が悪い場合には、得られるDAST結晶が多結晶化したり、内部に多くの 結晶欠陥 が導入されるので、結晶性の高い大型DAST結晶を得ることは極めて困難であった。
- 公開日: 2007/12/06
- 出典: 有機単結晶の形成方法
- 出願人: 古河機械金属株式会社
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しかし、横型減圧気相成長装置は、成長層の抵抗率および厚さの均一性や 結晶欠陥 など品質面で問題があるため、現在では縦型減圧気相成長装置の方が一般的に用いられている。
- 公開日: 1999/08/06
- 出典: 縦型減圧気相成長装置とこれを用いた気相成長方法
- 出願人: 日本電気株式会社
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炭化珪素単結晶の成長時に単結晶の周辺に多結晶が析出することにより、単結晶内の多結晶との境界付近にマイクロパイプと呼ばれる 結晶欠陥 が多数発生したり、単結晶に歪みが入るという問題点を解決する。また、炭化珪素単結晶の成長方向に平行な貫通穴状のマイクロパイプが単結晶内に生成するという問題点を解決する。
- 公開日: 2002/01/15
- 出典: 炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶
- 出願人: 昭和電工株式会社
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しかし、上記方法においては、種結晶と炭化珪素の原料とを加熱する際の昇温段階で、種結晶表面の炭化が起こり、多結晶の発生やエッチピットに代表される 結晶欠陥 が増大し、結晶性の低下を招く。
- 公開日: 1994/12/02
- 出典: 炭化珪素単結晶の製造方法
- 出願人: 株式会社豊田中央研究所
結晶欠陥の特徴 に関わる言及
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第一の実施態様では、緩衝層または中間層は、核生成層または成長層とベース基板との間に介挿されており、当該緩衝層は、例えば、当該層における 結晶欠陥 の発生、または当該層の材料の機械的変位によって、多量の応力を吸収することができる。
- 公開日: 2007/02/22
- 出典: 応力のかかるシステムのための基板および当該基板上での結晶成長法
- 出願人: エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレータテクノロジーズエス.アー.
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液滴吐出ヘッドのSi基板の製造時の 結晶欠陥 の発生を抑え、吐出バラツキを小さくすることのできる信頼性の高い液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出ヘッド、並びに記録装置、カラーフィルター製造装置、電界発光基板製造装置、マイクロアレイ製造装置を提供する。
- 公開日: 2004/07/15
- 出典: 液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出ヘッド、並びに記録装置、カラーフィルター製造装置、電界発光基板製造装置、マイクロアレイ製造装置
- 出願人: セイコーエプソン株式会社
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坩堝側方にヒータを有する多結晶シリコンインゴット製造装置において、インゴット割れおよび 結晶欠陥 の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
- 公開日: 2013/06/13
- 出典: 多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコンブロック、多結晶シリコンウエハ、多結晶シリコン太陽電池、多結晶太陽電池モジュール
- 出願人: シャープ株式会社
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上記の従来の構造において、単結晶成長は装置状況の変動によっては 結晶欠陥 が生じ、安定して結晶成長が行えないという問題を有している。また単結晶成長装置は高価な製造装置であり、その製造装置を用いて製造された半導体装置はコストが高いという欠点も有している。
- 公開日: 2006/02/02
- 出典: 半導体装置の製造方法
- 出願人: セイコーインスツル株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容