結晶構造 の意味・用法を知る
結晶構造 とは、電池の電極及び活物質 や重金属無機化合物(II) などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社東芝 や独立行政法人産業技術総合研究所 などが関連する技術を11,257件開発しています。
このページでは、 結晶構造 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
結晶構造の意味・用法
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これらの用途では、CHA型ゼオライトの 結晶構造 に由来する細孔を利用するため、結晶度の高いCHA型ゼオライトが必要とされている。
- 公開日:2017/12/14
- 出典:高耐水熱性チャバザイト型ゼオライトおよびその製造方法
- 出願人:日揮触媒化成株式会社
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本発明の蛍光体は、金属元素Mと非金属元素Xとを含むMnXn+1で示される無機結晶(ただし、nは、3≦n≦52の範囲の数値)、それと同一の 結晶構造 を有する無機結晶、または、これらの固溶体である無機結晶に、A元素(ただしAは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶した無機化合物を含む。
- 公開日:2017/10/05
- 出典:蛍光体、その製造方法、発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤
- 出願人:国立研究開発法人物質・材料研究機構
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請求項1に記載の正極活物質であって、前記リン酸鉄ナトリウムの 結晶構造 は、アルオード石型構造であることを特徴とする正極活物質。
- 公開日:2018/02/15
- 出典:正極活物質、正極及びナトリウムイオン電池、並びに、正極活物質の製造方法
- 出願人:株式会社IHI
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フラックスとしてリチウム以外のアルカリ金属の化合物を用いて、前駆体とリチウム化合物との混合物を650℃〜800℃の範囲の温度で焼成することにより、遷移金属として主としてニッケルを含有するリチウムニッケル含有複合酸化物からなり、層状岩塩型の 結晶構造 を備え、X線源としてCu−Kα線を用いた粉末X線回折から得られる(003)面と(104)面に帰属するピークの高さの比が1.20以上であり、前記(003)面と(104)面に帰属するピークの積分強度の比が1.15以上であり、かつ、八面体形状の一次粒子を含み、該八面体形状の一次粒子の数の全一次粒子の数に対する比率が1.0%以上である、正極活物質を得る。
- 公開日:2017/12/28
- 出典:リチウムニッケル含有複合酸化物および非水系電解質二次電池
- 出願人:住友金属鉱山シポレックス株式会社
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リチウム二次イオン電池1は、正極活物質粒子を有する正極3と、電解質9と、負極5とを備え、少なくとも一部の正極活物質粒子は、(111)面が少なくとも一方の主面となるプレート状で且つスピネル型の 結晶構造 を有しており、正極活物質粒子の元素組成はLiCo2-xNixO4(ただし、0<x<2)で表される。
- 公開日:2017/03/16
- 出典:正極活物質粒子、これを用いたリチウムイオン二次電池及び正極活物質粒子の製造方法
- 出願人:三星電子株式會社
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Ti3O5の組成を有する酸化チタンであって、 結晶構造 がβ相のときに所定温度以上に加熱されることでλ相に相転移して外部の熱を蓄え、結晶構造がλ相のときに前記所定温度未満まで冷却されたとしてもβ相に相転移せず、所定圧力以上の圧力が印加されたときにβ相に相転移して外部に熱を放出する特性を有する酸化チタンを含む蓄熱放熱材を備える内燃機関であって、前記蓄熱放熱材が、潤滑油が供給される摺動部の表面に設けられ、前記摺動部の表面が、クランクジャーナルを支持する主軸受の内壁面、および、シリンダライナの内壁面のうちのピストンリングの側面との間の摩擦状態が流体潤滑となる領域の少なくとも一方であることを特徴とする内燃...
- 公開日:2017/12/14
- 出典:内燃機関
- 出願人:トヨタ自動車株式会社
結晶構造の原理 に関わる言及
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ところで、従来、微小試料に関する 結晶構造 等を分析するためのX線装置として微小部X線回折装置が知られている。この微小部X線回折装置について簡単に説明すれば次の通りである。
- 公開日: 2001/11/09
- 出典: X線回折装置
- 出願人: 株式会社リガク
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X線分析装置は、試料へX線を照射したときに該試料から出るX線、例えば回折線、散乱線、蛍光X線等の状態に基づいて、試料の 結晶構造 、分子構造等を分析する装置である。このようなX線分析装置として、例えば、試料から発生する回折線の回折角度及び回折線強度を測定するX線回折装置や、試料から発生する散乱線の角度及び強度を測定するX線散乱装置や、試料から発生する蛍光X線を測定する蛍光X線装置等が知られている。
- 公開日: 2010/08/05
- 出典: X線分析及び熱分析同時分析装置
- 出願人: 株式会社リガク
結晶構造の問題点 に関わる言及
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すなわち、ある溶液に対しその溶解度が大きい 結晶構造 の上記化合物結晶が種結晶上に析出してもその溶解度が大きいためにすぐに溶解しその結晶成長は抑制される。これに対し、上記種結晶と同一の結晶構造を有する上記化合物はその構造が同一であることから結晶成長し易く、かつ、この結晶が析出した場合、かかる結晶構造の上記化合物はその溶解度が小さいため溶解され難い。
- 公開日: 1994/03/29
- 出典: 単結晶の製造方法
- 出願人: 積水化学工業株式会社
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この例では、緩衝層上にZnO系化合物半導体層を成長する例であったが、ZnO系化合物半導体に限られず、緩衝層のZnO系化合物と 結晶構造 が整合する化合物半導体層であれば、ZnO系化合物からなる緩衝層上に他の半導体層を成長することができる。また、LEDでなくてもLDであっても同様に、前述の各例の構造に形成できる。
- 公開日: 2008/11/27
- 出典: 半導体レーザ
- 出願人: ローム株式会社
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しかしながら、単結晶マグネシアを用いた場合には、成長するY123型 結晶構造 を有する酸化物結晶は、多結晶体になる傾向があり、単結晶体が得られ難いと言う問題点があった。
- 公開日: 1995/02/03
- 出典: ReBa2Cu3Oy結晶を融液から作製する方法
- 出願人: 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター
結晶構造の特徴 に関わる言及
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AlN結晶は、SiC結晶、Si結晶またはサファイア結晶などに比べて、GaN結晶と同じ 結晶構造 をとり、また結晶定数も近い。このため、結晶性が高いAlN結晶であれば、その主面上に、バッファ層を形成することなく、直接結晶性の高いGaN結晶を成長させることができる。
- 公開日: 2008/10/02
- 出典: 窒化ガリウム結晶の成長方法および窒化ガリウム結晶基板
- 出願人: 住友電気工業株式会社
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図2は、加工された超常磁性Mgがドーピングされたフェライトナノ粒子のXRD結果を示す。本結果によると、それぞれの条件で合成された加工された超常磁性Mgがドーピングされたフェライトナノ粒子は、調節されたMgドーピング量にしたがって単一相を有する同一の 結晶構造 を有していることが分かる。
- 公開日: 2012/06/21
- 出典: 高温のAC磁気誘導発熱を示す加工された超常磁性マグネシウムがドーピングされたフェライトナノ粒子の製造方法及びその方法によって製造された、加工された超常磁性マグネシウムがドーピングされたフェライトナノ粒子
- 出願人: 株式会社NURIVISTA
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前述の手段によれば、Y123型 結晶構造 を有したバルクの酸化物結晶を基板として用いることにより、Y123型結晶構造を有する酸化物結晶膜を結晶性良く形成することができるので、良質のY123型結晶構造を有する酸化物結晶膜を得ることができる。
- 公開日: 1994/11/22
- 出典: Y123型結晶構造を有する酸化物結晶膜及び膜積層体
- 出願人: 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター
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一方、スピネル型の 結晶構造 を有するリチウムマンガン複合酸化物は、層状岩塩構造を有するリチウムコバルト複合酸化物、リチウムニッケル複合酸化物などとは、構造的に異なっている。この構造の相違に起因して、リチウムマンガン複合酸化物の高充電状態での酸素脱離開始温度は、リチウムコバルト複合酸化物およびリチウムニッケル複合酸化物に比べて、高いので、リチウムマンガン複合酸化物は、安全性の高い正極材料である。
- 公開日: 2002/09/20
- 出典: 非水系二次電池
- 出願人: 大阪瓦斯株式会社
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重金属無機化合物(I)
- 構成元素(亜鉛化合物)
- 製造および処理(亜鉛化合物)
- 有用性(亜鉛化合物)
- 形状・構造(亜鉛化合物)
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- 超電導材料の形状
- 材料のマクロ,ミクロ構造,物性の特定
- 超電導材料の組成(クレ−ム)
- 製法1 原料、原料混合物の調整
- 製法2 固体原料の焼成によるもの
- 製法3 溶液からの晶出、融液からの製造
- 製法4 基板上への膜形成(気相法を除く)
- 製法5 気相からの製造(蒸着)
- 製法6 気相からの製造(CVD)
- 気相法共通
- 超電導材料の処理・その他
- 用途(クレ−ム)
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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触媒
- 技術主題
- 成分I特定物質
- 成分II無機物質
- 成分III金属元素
- 成分IV非金属元素
- 成分V有機物質及び配位子
- 使用対象反応I環境保全関連
- 使用対象反応II化学合成用(C1化学除く)
- 使用対象反応IIIエネルギーと化学原料関連
- 使用対象反応IVその他
- 使用形態
- 構造及び物性I‐I外形(それ自体)
- 構造及び物性I‐II外形に関する他の特徴
- 構造及び物性II微細構造
- 構造及び物性III 物性
- 構造及び物性IV その他
- 調製及び活性化I 目的
- 調製及び活性化II プロセス
- 調製及び活性化III材料及び条件(クレーム)
- 再生または再活性化
- 光触媒の技術主題
- 光触媒の成分
- 光触媒の活性化
- 光触媒の調製
- 光触媒の使用対象
- その他
- ゼオライト及びモレキュラーシーブ(MS)
- ゼオライト及びMSの合成
- ゼオライト及びMS触媒の特定(クレームのみ)
- ゼオライト及びMS触媒の処理・修飾
- 処理・修飾及び組成物の目的(目的記載個所)
- 触媒組成物の態様