結晶方向 の意味・用法を知る
結晶方向 とは、ホトレジスト感材への露光・位置合せ や半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) などの分野において活用されるキーワードであり、カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー やソニー株式会社 などが関連する技術を193件開発しています。
このページでは、 結晶方向 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
結晶方向の意味・用法
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結晶方向 が所望の方向に揃った圧電体層を安定して得ることを課題とする。
- 公開日:2016/04/04
- 出典:電気機械変換部材の形成方法
- 出願人:株式会社リコー
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トレンチゲート構造(150)は、<1−100> 結晶方向 に沿った向きで延在している。
- 公開日:2016/09/05
- 出典:六方晶格子を有する半導体ボディにトレンチゲート構造を備えた半導体デバイス
- 出願人:インフィネオンテクノロジーズアーゲー
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半導体デバイス(500)は、水平面に平行な第1主 結晶方向 (401)を有する半導体ボディ(100)を含んでいる。
- 公開日:2016/09/05
- 出典:主結晶方向に対し傾斜した長手方向軸を有するトレンチゲート構造を含む電力半導体デバイス
- 出願人:インフィネオンテクノロジーズアーゲー
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第2の単結晶シリコンシードの各々は第1の 結晶方向 と異なる第2の結晶方向を有する。
- 公開日:2013/05/13
- 出典:結晶シリコンインゴット及びその製造方法
- 出願人:中美せき晶製品股ふん有限公司
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帯形状に形成され、活物質が部分的に塗布された集電体11からなる電極板10であって、集電体11は、一面に活物質12が塗布されたコーティング部;及び前記コーティング部の長さ方向に沿って前記コーティング部の一側または両側に形成され、少なくとも四つの 結晶方向 を有する無地部を含む二次電池用電極板が開示される。
- 公開日:2011/02/24
- 出典:二次電池用電極板及びこれを含む二次電池
- 出願人:三星エスディアイ株式会社
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結晶依存エッチングは、第2の 結晶方向 に対して垂直なフィンの部分から、相対的により速く材料を除去することができ、これにより、比較的均一な幅のフィン構造体がもたらされる。
- 公開日:2008/09/18
- 出典:ゲート・フィン間の重なりセンシティビティが低減されたFinFET
- 出願人:インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイーシヨン
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結晶方向 に沿って割れるのを防止しつつ、所定の圧力をもって2つ基板を貼り合わせることができ、成長基板とは異なる基板へ転写することのできる半導体発光素子の製造方法を提供する。
- 公開日:2007/08/02
- 出典:半導体発光素子
- 出願人:ソニー株式会社
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面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、 結晶方向 において扁平な側面(orientation flat)を有するa面窒化物半導体単結晶基板を提供する。
- 公開日:2007/05/10
- 出典:扁平な側面を有するa面窒化物半導体単結晶基板
- 出願人:サムスンコーニング精密ガラス株式会社
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被覆装置を与え、半導体ウェーハ上に膜の真空蒸着をする間、 結晶方向 に依存する膜の諸特性を制御する方法において、a)半導体ウェーハを、その表面が被覆され、ターゲット(14)の表面(24)と平行に一定間隔を置いた関係に維持されるように、真空室(12)内に支持する工程と、b)真空圧力水準のガスを前記室内に保持する工程と、c)ターゲットの後部に位置する磁石(18)で、ターゲット(14)の表面(24)全体に磁気トラップを作り、次いで、前記トラップとターゲット(14)との間の前記ガスの中にマグネトロン強化プラズマを発生させる工程と、d)ウェーハ(32)に隣接させて配置した補助磁石(40)で、ウェーハ(32)...
- 登録日:2003/03/14
- 出典:半導体ウェーハ上の蒸着膜の特性制御
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
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)を介して真空処理時の 結晶方向 に1枚ずつ位置決めする位置決め装置43と、これらが収納された室内の窒素ガスを大気圧に調整して保持する気圧調整装置(図示せず)とを備えて構成されている。
- 公開日:1994/09/22
- 出典:筐体搬入・搬出機構及び処理装置
- 出願人:東京エレクトロン株式会社
結晶方向の特徴 に関わる言及
注目されているキーワード
関連する分野分野動向を把握したい方
( 分野番号表示 ON )※整理標準化データをもとに当社作成
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半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)
- 半導体の露光の共通事項
- 紫外線,光露光の種類
- 紫外線,光露光用光源
- 光学系
- ステージ,チャック機構,及びそれらの動作
- ウェハ,マスクの搬送
- 露光の制御,調整の対象,内容
- 検知機能
- 検知機能の取付場所
- 制御,調整に関する表示,情報
- 位置合わせマーク
- 位置合わせマークの配置
- 位置合わせマークの特殊用途
- 位置を合わせるべき2物体上のマーク
- 位置合わせマークの光学的検出
- 検出用光学系
- 位置合わせマークの検出一般及び検出の補助
- X線露光
- X線光学系
- X線源
- X線露光用マスク
- レジスト塗布以前のウェハの表面処理
- レジスト塗布
- ベーキング装置
- 湿式現像,リンス
- ドライ現像
- レジスト膜の剥離
- 多層レジスト膜及びその処理
- 光の吸収膜,反射膜
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長