結晶成長 の意味・用法を知る
結晶成長 とは、結晶、結晶のための後処理 や気相成長(金属層を除く) などの分野において活用されるキーワードであり、株式会社リコー や株式会社半導体エネルギー研究所 などが関連する技術を52,953件開発しています。
このページでは、 結晶成長 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
結晶成長の意味・用法
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本発明の窒化物半導体の製造基板は、基板本体10Aと、基板本体10Aの表面に設けられ、液相成長によって左右側面10Cが横方向に 結晶成長 する台形状に形成された複数の凸状部10Bと、基板本体10Aの表面であり、隣り合う凸状部10Bの間に設けられ、液相成長によって結晶成長しない非結晶成長部10Dとを備えており、左右側面10Cから非結晶成長部10Dにわたり湾曲している。
- 公開日:2017/08/31
- 出典:窒化物半導体の製造基板、及び窒化物半導体の製造方法
- 出願人:学校法人名城大学
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本発明の一態様に係るSiC単結晶の製造方法は、種結晶から<0001>方向と略直交する方向に 結晶成長 させる第1の成長工程と、<0001>方向と略直交する方向かつ前記第1の成長工程で結晶成長させた方向に略直交する方向に結晶成長させる第2の工程と、前記第1の成長工程で結晶成長した方向のうち第1の成長工程で結晶成長させた方位と反対の向きに結晶成長させる第3の成長工程と、前記第2の成長工程で結晶成長した方向のうち第2の成長工程で結晶成長させた方位と反対の向きに結晶成長させる第4の成長工程と、を有する。
- 公開日:2017/06/08
- 出典:SiC単結晶の製造方法、SiC単結晶及びSiCインゴット
- 出願人:昭和電工株式会社
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種結晶1を用いた昇華再結晶法によるSiC単結晶3の製造方法であって、種結晶1が{0001}面から所定のオフ角方向にオフ角θSを有しており、主たる 結晶成長 を行う成長主工程に先駆けて、成長主工程よりも窒素濃度を高めて、成長雰囲気圧力が0.13kPa以上1.3kPa以下であると共に、種結晶1の温度が2000℃以上2100℃以下の条件で結晶成長させる成長副工程を含むSiC単結晶3の製造方法。
- 公開日:2017/05/25
- 出典:炭化珪素単結晶の製造方法
- 出願人:昭和電工株式会社
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...晶成長面の表面粗さRaが0.1μm以上5μm以下の種結晶30と、アルカリ金属と13族金属を含む原料と、を反応容器52内に配置する配置工程と、前記原料が溶融して混合融液24となった状態で、混合融液24に窒素を溶解させ、 結晶成長 温度の混合融液24中に配置された種結晶30に13族窒化物結晶32を成長させる結晶成長工程と、前記配置工程と前記結晶成長工程との工程間に150℃/時間以下の昇温速度で前記原料を前記結晶成長温度に昇温する昇温工程、および、前記結晶成長工程の後に150℃/時間以下の降温速度で前記混合融液24を降温する降温工程、の少なくとも一方の温度調整工程と、を含む、13族窒化物単結晶の製造方法...
- 公開日:2017/02/16
- 出典:13族窒化物単結晶の製造方法、および13族窒化物単結晶の製造装置
- 出願人:株式会社サイオクス
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CZ複合酸化物粒子(結晶子)30は、融点が1500℃以上である金属元素Mを主体とする金属微粒子であって該CZ複合酸化物粒子の 結晶成長 を抑制する結晶成長抑制微粒子40をさらに含んでいる。
- 公開日:2017/03/16
- 出典:排ガス浄化用触媒
- 出願人:株式会社キャタラー
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長時間連続して 結晶成長 を行う場合にあっても、欠陥の少ない均一且つ清浄な結晶を歩留まりよく形成することのできるSiC単結晶の製造方法を提供すること。
- 公開日:2017/06/08
- 出典:SiC単結晶の製造方法
- 出願人:トヨタ自動車株式会社
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アルカリ金属と13族金属を含む混合融液24中に、気相から窒素を溶解して混合融液24中で13族窒化物を 結晶成長 させる13族窒化物結晶の製造方法において、混合融液24に所定量のマグネシウムを添加し、混合融液24中で{10−11}面を有する角錐状結晶が結晶成長する温度条件および窒素分圧条件下において、マグネシウムが添加された混合融液24C中で{10−10}面または{0001}面を有する13族窒化物結晶100を結晶成長させる結晶成長工程を含む。
- 公開日:2016/04/25
- 出典:13族窒化物結晶の製造方法
- 出願人:株式会社リコー
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ベース基板20の一方の主面に原料ガスを接触させてベース基板20上に半導体を 結晶成長 させる工程と、ベース基板20の他方の主面に原料ガスを接触させてベース基板20上に半導体を結晶成長させる工程とを含み、2つの工程を交互に行う半導体基板の製造方法。
- 公開日:2016/08/18
- 出典:半導体基板の製造方法
- 出願人:国立大学法人山口大学
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第4工程は、主面から 結晶成長 を開始した13族窒化物結晶の{10−11}面を主成長面として、該{10−11}面の面積を拡大させながら結晶成長を継続させる。
- 公開日:2015/08/24
- 出典:13族窒化物結晶の製造方法
- 出願人:株式会社リコー
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第4工程は、13族窒化物結晶103の{10−11}面を主成長面として{10−11}面の面積を拡大させながら 結晶成長 を継続させる。
- 公開日:2015/12/03
- 出典:13族窒化物結晶の製造方法
- 出願人:株式会社リコー
結晶成長の問題点 に関わる言及
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融液や溶液などを用いて単結晶を成長する際に起こる多結晶化、即ち成長中にルソボ壁や融液あるいは溶液中から発生する結晶核から成長した結晶粒が、元の種結晶から成長した結晶を次第に侵食してしまう現象は、 結晶成長 において大きな問題であり、結晶成長学的観点から根本的な解決策が必要である。
- 公開日: 2005/05/12
- 出典: 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法
- 出願人: 国立大学法人東北大学
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また、更なる面内の抵抗率分布の均一化を単結晶の回転条件の変更により求めようとすれば、大直径の単結晶の製造の場合には、単結晶の回転の反転時の反動などによる結晶形状の悪化がより頻繁に生じ、単結晶の成長が阻害される。そして、これによって生産性の低下といったFZ単結晶の製造上の問題が顕在化する。このように、面内の抵抗率分布の均一性と 結晶成長 の安定性との両立を実現するのは簡単なことではない。
- 公開日: 2011/11/10
- 出典: 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置
- 出願人: 信越半導体株式会社
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所望する位置に対して選択的に単一面方位の結晶を形成するには、 結晶成長 核の発生が速い領域と結晶成長核の発生が遅い領域とを分離して形成し、かつ結晶成長核の発生が速い領域より単一面方位の結晶を成長させる必要がある。しかも結晶成長の核となる領域は結晶成長核の形成が早期に起こり、その周辺の結晶成長核の発生速度は小さくなければならない。
- 公開日: 1995/03/20
- 出典: 結晶成長方法およびMOSトランジスタのチャネル形成方法
- 出願人: ソニー株式会社
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しかし、ある程度結晶欠陥が少なく高品質なIII族窒化物種結晶を用いた場合、 結晶成長 によってそれ以上に結晶欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を得ることは困難である。
- 公開日: 2013/09/05
- 出典: III族窒化物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法
- 出願人: 国立大学法人大阪大学
結晶成長の特徴 に関わる言及
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すなわち、 結晶成長 途中で、結晶表面に形成される成長稜の幅や結晶の形状を規定内に入るように、結晶の成長条件を制御することにより、欠陥の少ない結晶を得ることができることをつきとめた。
- 公開日: 1995/12/05
- 出典: 三ホウ酸リチウム単結晶の製造方法
- 出願人: 日立金属株式会社
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気相成長方法は気相で 結晶成長 させる物質またはその原料を搬送し、シード結晶上等に結晶を成長させる。各結晶成長方法は、それぞれの特徴を有する。以下、化合物半導体の結晶成長を例にとって説明する。
- 公開日: 1999/03/23
- 出典: 結晶成長方法および装置
- 出願人: スタンレー電気株式会社
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種結晶の端面中央にくぼみを付けることで、種結晶端面で一度に均一に結晶核が発生成長するのではなく、最も良く冷却されるくぼみの中心部、すなわち種結晶中心から優先的に 結晶成長 する。そのため結晶の中心から結晶の長さ方向に一致した結晶面の成長が促進される。
- 公開日: 2005/04/21
- 出典: 単結晶引き上げ装置に用いる種結晶及び単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具
- 出願人: 株式会社日本製鋼所
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又、この窒化物半導体 結晶成長 基板を構成するInは、支持基板と結晶成長基板との接着材料として用いられ、しかも上述の結晶成長工程及びウェーハプロセス工程に対する耐性を有する。
- 公開日: 2009/05/28
- 出典: 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体結晶成長基板、結晶成長基板保持基板及び接着材
- 出願人: 沖電気工業株式会社
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これに対して増径部の密度が 結晶成長 部の密度より大きいか、または重複する場合には、X線回折積分強度比によらず、化合物半導体単結晶を得られる再現性が低い。同様に増径部のX線回折積分強度比が結晶成長部のX線回折積分強度比より大きいか、または重複する場合には、密度によらず化合物半導体単結晶を得られる再現性が低い。
- 公開日: 1998/01/13
- 出典: 化合物半導体単結晶の成長容器、その成長容器を使用した化合物半導体単結晶の製造方法、および成長容器の選別方法
- 出願人: 日立金属株式会社
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結晶、結晶のための後処理
- 目的・対象とする結晶の形態
- 結晶自体の特徴(クレーム)
- 材料1(元素状、合金)
- 材料2(酸化物)
- 材料3(複合酸化物)
- 材料4(酸素酸塩)
- 材料5(〜化物)
- 材料6(有機物)
- 固相成長
- 液相成長1(常温で液体の溶媒を使用する)
- 液相成長2(溶融溶媒を使用するもの)CG優先
- 液相成長3(融液の凝固によるもの)
- 液相成長4(ゾーンメルティング)
- 液相成長5(融液からの引き出し)
- 液相成長6(液相エピタキシャル)
- 気相成長1(蒸着、昇華)
- 気相成長2(CVD)
- 結晶成長共通1(成長条件の制御)固相成長を除く
- 結晶成長共通2(不純物のドーピング)
- 結晶成長共通3(原料の調製、原料組成)
- 結晶成長共通4(種結晶、基板)
- 結晶成長共通5(成長前の基板の処理、保護)
- 結晶成長共通6(基板への多層成長)
- 結晶成長共通7(装置、治具)
- 結晶成長共通8(検知、制御)
- 結晶成長共通9(特定の成長環境の付加)
- 後処理1(拡散源、その配置)
- 後処理2(後処理のための基板表面の前処理)
- 後処理3(気相からのドーピング)
- 後処理4(電磁波、粒子線照射によるドーピング)
- 後処理5(加熱、冷却処理)
- 後処理6(結晶の接合)
- 後処理7(エッチング、機械加工)
- 後処理8(電場、磁場、エネルギー線の利用)
- 後処理9(その他)
- 後処理10(装置、治具の特徴)
- 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定
- 用途
- 固相からの直接単結晶成長
- 単結晶成長プロセス・装置
- 圧力を加えるもの 例、水熱法
- 塩溶媒を用いるもの 例、フラックス成長
- るつぼ、容器またはその支持体
- ノ−マルフリ−ジングまたは温度勾配凝固
- ゾ−ンメルティングによる単結晶成長、精製
- 溶媒を用いるもの
- るつぼ、容器またはその支持体
- 誘導による溶融ゾ−ンの加熱
- 電磁波による加熱(集光加熱等)
- 制御または調整
- 材料またはヒ−タ−の移動機構、保持具
- 融液からの引出し(保護流体下も含む)
- 結晶化物質(原料)、反応剤の充填、添加
- 引出し方向に特徴
- 融液を入れるるつぼ、容器またはその支持体
- 融液、封止剤または結晶化した物質の加熱
- 制御または調整
- 融液、封止剤、結晶の回転、移動機構
- 種結晶保持器
- 種結晶
- 縁部限定薄膜結晶成長
- 液相エピタキシャル成長
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
- PVD
- イオン化蒸気の凝縮
- 分子線エピタキシャル法
- CVD
- エピタキシャル成長法、装置
- 製造工程
- 反応室
- 反応室または基板の加熱
- 基板保持体またはサセプタ
- 基板とガス流との関係
- ガスの供給・排出手段;反応ガス流の調節
- 制御または調節
- 基板
- 特殊な物理的条件下での単結晶成長
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気相成長(金属層を除く)
- 成長法
- 成長層の組成
- 導入ガス
- 成長条件(1)成膜温度T 請求項+実施例に記載されている成膜温度を全て付与する(除く従来例)
- 成長条件(2)成膜時の圧力P 請求項+実施例に記載されている成膜時の圧力を全て付与する(除く従来例)
- 被成膜面の組成・基板の特徴・ダミー基板・マスク
- 目的
- 半導体素子等への用途
- 機能的用途
- 半導体成長層の構造
- 半導体層の選択成長
- 絶縁体成長層の構造・絶縁体層の選択成長
- 装置の形式(1)基板支持の形態・成膜中の基板の運動 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 装置の形式(2)成膜室の形態 図面+詳細な説明に例示されている形式をすべて付与する(除く従来例)
- 成膜一般
- 成膜室・配管構造・配管方法
- ガス供給・圧力制御
- ノズル・整流・遮蔽・排気口
- 排気・排気制御・廃ガス処理
- プラズマ処理・プラズマ制御
- 冷却
- 加熱(照射)・温度制御
- 基板支持
- 搬出入口・蓋・搬送・搬出入
- 測定・測定結果に基づく制御・制御一般
- 機械加工プロセスとの組み合わせ
- 他プロセスとの組合せ
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半導体レーザ
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(1)
- 半導体レーザの構造(垂直共振器を除く)−(2)
- 垂直共振器を有するレーザの構造
- モノリシックな集積(同じ成長基板上に複数の素子を備えたもの)
- 半導体の積層方向の構造−1
- 半導体の積層方向の構造−2
- 活性層の材料系−基板材料
- 不純物に特徴があるもの
- 電極構造・材料に特徴があるもの
- 被覆構造・材料に特徴があるもの
- 製造方法1
- 製造方法2
- 課題・目的
- レーザ動作のタイプ
- モジュール・パッケージの用途
- モジュール・パッケージのタイプ(典型的なタイプを抽出)
- マウント・モジュール・パッケージにおける目的
- LDチップのマウント
- パッケージ・光モジュールの構成
- 発明の特徴となっている組合せ光学要素(LDチップ外)
- 駆動におけるレーザーのタイプ
- 用途(駆動)
- 駆動において特徴となる目的
- 安定化制御(主に検知・帰還制御)
- 駆動制御
- 異常対策
- 回路構成に特徴があるもの
- 被試験・被検査形状
- 試験・検査する項目
- 試験・検査において特徴と認められる点
- 試験・検査の内容