結晶成長 の意味・用法を知る

融液や溶液などを用いて単結晶を成長する際に起こる多結晶化、即ち成長中にルソボ壁や融液あるいは溶液中から発生する結晶核から成長した結晶粒が、元の種結晶から成長した結晶を次第に侵食してしまう現象は、 結晶成長 において大きな問題であり、結晶成長学的観点から根本的な解決策が必要である。

• 公開日： 2005/05/12
• 出典： 結晶成長方法、バルク単結晶成長用バルク予備結晶、及びバルク単結晶成長用バルク予備結晶の作製方法
• 出願人： 国立大学法人東北大学

また、更なる面内の抵抗率分布の均一化を単結晶の回転条件の変更により求めようとすれば、大直径の単結晶の製造の場合には、単結晶の回転の反転時の反動などによる結晶形状の悪化がより頻繁に生じ、単結晶の成長が阻害される。そして、これによって生産性の低下といったＦＺ単結晶の製造上の問題が顕在化する。このように、面内の抵抗率分布の均一性と 結晶成長 の安定性との両立を実現するのは簡単なことではない。

• 公開日： 2011/11/10
• 出典： 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置
• 出願人： 信越半導体株式会社

所望する位置に対して選択的に単一面方位の結晶を形成するには、 結晶成長 核の発生が速い領域と結晶成長核の発生が遅い領域とを分離して形成し、かつ結晶成長核の発生が速い領域より単一面方位の結晶を成長させる必要がある。しかも結晶成長の核となる領域は結晶成長核の形成が早期に起こり、その周辺の結晶成長核の発生速度は小さくなければならない。

• 公開日： 1995/03/20
• 出典： 結晶成長方法およびＭＯＳトランジスタのチャネル形成方法
• 出願人： ソニー株式会社

しかし、ある程度結晶欠陥が少なく高品質なIII族窒化物種結晶を用いた場合、 結晶成長 によってそれ以上に結晶欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を得ることは困難である。

• 公開日： 2013/09/05
• 出典： ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法
• 出願人： 国立大学法人大阪大学

すなわち、 結晶成長 途中で、結晶表面に形成される成長稜の幅や結晶の形状を規定内に入るように、結晶の成長条件を制御することにより、欠陥の少ない結晶を得ることができることをつきとめた。

• 公開日： 1995/12/05
• 出典： 三ホウ酸リチウム単結晶の製造方法
• 出願人： 日立金属株式会社

気相成長方法は気相で 結晶成長 させる物質またはその原料を搬送し、シード結晶上等に結晶を成長させる。各結晶成長方法は、それぞれの特徴を有する。以下、化合物半導体の結晶成長を例にとって説明する。

• 公開日： 1999/03/23
• 出典： 結晶成長方法および装置
• 出願人： スタンレー電気株式会社

種結晶の端面中央にくぼみを付けることで、種結晶端面で一度に均一に結晶核が発生成長するのではなく、最も良く冷却されるくぼみの中心部、すなわち種結晶中心から優先的に 結晶成長 する。そのため結晶の中心から結晶の長さ方向に一致した結晶面の成長が促進される。

• 公開日： 2005/04/21
• 出典： 単結晶引き上げ装置に用いる種結晶及び単結晶引き上げ装置用種結晶支持用治具
• 出願人： 株式会社日本製鋼所

又、この窒化物半導体 結晶成長 基板を構成するＩｎは、支持基板と結晶成長基板との接着材料として用いられ、しかも上述の結晶成長工程及びウェーハプロセス工程に対する耐性を有する。

• 公開日： 2009/05/28
• 出典： 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体結晶成長基板、結晶成長基板保持基板及び接着材
• 出願人： 沖電気工業株式会社

これに対して増径部の密度が 結晶成長 部の密度より大きいか、または重複する場合には、Ｘ線回折積分強度比によらず、化合物半導体単結晶を得られる再現性が低い。同様に増径部のＸ線回折積分強度比が結晶成長部のＸ線回折積分強度比より大きいか、または重複する場合には、密度によらず化合物半導体単結晶を得られる再現性が低い。

• 公開日： 1998/01/13
• 出典： 化合物半導体単結晶の成長容器、その成長容器を使用した化合物半導体単結晶の製造方法、および成長容器の選別方法
• 出願人： 日立金属株式会社