管状炉 の意味・用法を知る
管状炉 とは、マッフル炉、ロータリキルン等(炉2) やマイクロカプセルの製造 などの分野において活用されるキーワードであり、旭硝子株式会社 や日産自動車株式会社 などが関連する技術を1,424件開発しています。
このページでは、 管状炉 を含む技術文献に基づき、その意味・用法のみならず、活用される分野や市場、法人・人物などを網羅的に把握することができます。
管状炉の意味・用法
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供給装置(30)と、入口ゾーン(E)と内部空間(I)と回転軸線(R)と出口側(A)とを備えた 管状炉 (20)と、出発材料(1)に水(W)を添加できるように供給装置(30)または入口ゾーン(E)の領域に配設される水供給部(31)とを備えた、水素を含むガスを生成するために有機出発材料(1)を反応させるための装置(100)であって、供給装置(30)および管状炉(20)の配置および設計が、供給装置(30)により入口ゾーン(E)の領域において出発材料(1)を管状炉(20)の内部空間(I)に供給することが可能であるとともに固体材料(2)およびガス混合物(3)を管状炉(20)の出口側(A)で排出できるようなも...
- 公開日:2017/06/29
- 出典:水素ガスを生成するために有機材料を反応させるためのプロセスおよび装置
- 出願人:クリーンカーボンコンバージョン、パテンツ、アクチエンゲゼルシャフト
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管状炉 と、試料台10とを備え、試料台は測定物質を導入する役割を果たし、試料台は管状炉内に配置され、試料台は試料台を管状炉の内壁に正確に支持するための少なくとも3本の支持突起12,13,14を備え、支持突起が試料台の縦軸16を通る共通平面内に配置され、少なくとも2本の支持突起12,13が試料台の2つの各々反対側の末端17,18上に形成されている、原子吸光分析用の原子化炉。
- 公開日:2014/05/19
- 出典:原子化炉
- 出願人:シュンク・コーレンストッフテヒニーク・ゲーエムベーハー
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Rh 及びRuを含有する原料を、石英製炉芯管を有する 管状炉 で塩化揮発処理し、次に得られた塩化処理揮発残渣を、石英製炉芯管を有する管状炉で塩化焙焼処理する方法において、塩化揮発処理を行った管状炉の炉芯管に起こる付着物を効率的に除去する。
- 公開日:2011/04/14
- 出典:Ru-Rh精製工程の効率的操業方法
- 出願人:JX金属株式会社
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Ca3N2(高純度化学製) 1.284g Si3N4(宇部製) 3.376g Eu2O3(信越製) 0.339g この3化合物原料を、BNるつぼに入れ、1200から1350℃、アンモニア雰囲気下、 管状炉 で5時間、焼成を行った。
- 公開日:2003/10/02
- 出典:窒化物蛍光体及びその製造方法
- 出願人:日亜化学工業株式会社
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焼成ボート1に原料物質3を載せ、 管状炉 2内に配置し、350ml/minのアンモニアを流しながら、1150℃で2時間焼成してGaN蛍光体を得た。
- 公開日:2000/07/25
- 出典:蛍光体製造用容器
- 出願人:双葉電子工業株式会社
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この造粒体を 管状炉 中でプロパンガスを毎分100ml流しながら800℃で30分の加熱処理をした。
- 公開日:1996/02/06
- 出典:窒化ケイ素質複合材料およびその製造方法
- 出願人:国立研究開発法人物質・材料研究機構
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特に本発明による解決手段により −噴霧帯域に隣接する帯域で熱降下の発生が阻止され、 −試料支持体が 管状炉 先端で電流供給部と直接接触することは生じないようにされ、 −電流及び熱伝導による試料支持体の加熱が更に減少し、 −十分な恒温条件下における分析試料の迅速で再生可能の噴霧が保証され、また −試料支持体が全方向での移動に対して固定されるようにすべきである。
- 公開日:1995/03/17
- 出典:原子吸光分光学用グラファイト管状炉
- 出願人:エスゲーエルカーボンソシエタスヨーロピア
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成膜装置、特にミストを用いる成膜装置や 管状炉 を備える成膜装置に適用すると、均質な膜、特に膜厚が均一な膜を得ることができるサセプタを提供する。
- 公開日:2016/02/18
- 出典:サセプタ
- 出願人:株式会社FLOSFIA
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また、 管状炉 3には、その内部を排気する真空ポンプ7と、雰囲気ガスを供給するガス供給手段(図示せず)が接続されている。
- 公開日:2015/03/19
- 出典:窒化ガリウムの製造方法
- 出願人:デクセリアルズ株式会社
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特許文献4には、 管状炉 のミストCVD装置が記載されており、特許文献1に記載のミストCVD装置とは、ミスト発生器内にキャリアガスを導入する点で異なっている。
- 公開日:2021/01/07
- 出典:酸化物半導体膜、酸化物半導体膜の電気抵抗率調整方法及び酸化物半導体膜の製造方法
- 出願人:信越化学工業株式会社
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