空乏 の意味・用法を知る

空乏 化抑制層は、平面視において複数のトレンチに挟まれて位置し、炭化珪素半導体基板のオフ角が付いた方向において、空乏化抑制層と空乏化抑制層に隣接する一方のトレンチとの間の距離が、空乏化抑制層と空乏化抑制層に隣接する他方のトレンチとの間の距離とは異なる。

• 公開日：2018/04/19
• 出典：炭化珪素半導体装置
• 出願人：三菱電機株式会社

第１半導体物質を含むチャネル層１１２と、第２半導体物質を含み、チャネル層に２次元電子ガスを引き起こすチャネル供給層１１４と、チャネル供給層１１４の両側に設けられるソース電極１５１及びドレイン電極１５２と、チャネル供給層１１４上に設けられるものであり、２次元電子ガスに 空乏 領域を形成する空乏形成層１３０と、ソース電極１５１とドレイン電極１５２との間の空乏形成層１３０上に設けられる第１ゲート電極１２１と、ソース電極１５１と第１ゲート電極１２１との間の空乏形成層１３０上に、第１ゲート電極１２１と離隔して設けられる少なくとも一つの第２ゲート電極１２２と、を含む高電子移動度トランジスタ１００。

• 公開日：2014/05/01
• 出典：高電子移動度トランジスタ及びその駆動方法
• 出願人：三星電子株式會社

空乏 形成層は、半導体層の２ＤＥＧに空乏領域を形成する層である。

• 公開日：2014/02/03
• 出典：高電子移動度トランジスタ及びその製造方法
• 出願人：三星電子株式會社

炭化珪素からなる第一導電型のドリフト層２と、ドリフト層２上に形成された第二導電型のウェル領域５と、ウェル領域５上に形成された第一導電型のソース領域３と、ソース領域３の表面からウェル領域５を貫通するトレンチ７の内壁に形成されドリフト層２に少なくとも側面の一部が接して形成されたゲート絶縁膜９と、ゲート絶縁膜９を介してトレンチ７内に形成されたゲート電極１０と、ドリフト層２に形成された第二導電型の保護層８と、保護層８の側面に接してドリフト層２に形成され第一導電型の不純物濃度がドリフト層２よりも高い第一導電型の 空乏 化抑制層６とを備えた炭化珪素半導体装置とする。

• 公開日：2017/03/23
• 出典：炭化珪素半導体装置
• 出願人：三菱電機株式会社

制御ピラーに印加される電圧を変えることによって、ピラーのまわりの 空乏 ゾーンのサイズを変えることができ、結果としてトレンチゲートとウェルピックアップに接続されたピックアップ端子との間の静電容量の変化が生じる。

• 公開日：2016/04/07
• 出典：可変静電容量を有する３端子半導体デバイス
• 出願人：ノキアモービルフォーンズリミテッド

前記ＭＯＳＦＥＴは完全 空乏 型ＭＯＳＦＥＴとして機能するものである請求項７に記載の半導体装置。

• 公開日：2014/09/22
• 出典：半導体装置の製造方法
• 出願人：株式会社リコー

空乏 化不可能ドーピング領域は遮断動作中に半導体装置へ印可される電圧により空乏化されないドーピングを有する。

• 公開日：2017/02/02
• 出典：半導体装置および半導体装置形成方法
• 出願人：インフィネオンテクノロジーズオーストリアアクチエンゲゼルシャフト

前記キャリアトラップ層と前記第２半導体との間に、 空乏 化領域を含む空乏化半導体をさらに備える請求項１または請求項２に記載の半導体基板。

• 公開日：2010/11/18
• 出典：半導体基板、半導体基板の製造方法、および電子デバイス
• 出願人：住友化学株式会社

前記第２半導体領域１０３のうち最後に 空乏 化される最終空乏化部分は、前記第１半導体領域のうち前記最終空乏化部分の側方に位置する部分から前記最終空乏化部分への空乏領域の広がりによって空乏化される。

• 公開日：2013/08/01
• 出典：固体撮像装置およびカメラ
• 出願人：キヤノン株式会社

...、電子走行層７Ｂ側の表面上に、ｎ形電極バッファ層８Ａ、及びｎ形電極層８Ｂの順で積層された第２積層構成からなる第２メサ１０２と、ｐ形電界制御層５より第２メサ１０２側にある層の、第１メサ１０１の外周の内側で第２メサ１０２の外周を取り囲む包囲部分１４に形成され、バイアス印加時にｐ形電界制御層５の包囲部分が 空乏 化することを防止する空乏化抑制領域１１と、を備える。

• 公開日：2014/12/18
• 出典：アバランシ・フォトダイオード
• 出願人：ＮＴＴエレクトロニクス株式会社