略記 の意味・用法を知る

電解質塩には、１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ブロマイド（ＥＭＩ・Ｂｒと 略記 ）や臭化リチウム（ＬｉＢｒ）などが用いられ、その濃度は、０．３〜２．５モル／Ｌが好ましいとされている。

• 公開日：2017/03/02
• 出典：電気化学エネルギー蓄積デバイス
• 出願人：パナソニック株式会社

...極として金属ナトリウム（融点９８℃）を用いる場合、融点が９０℃以下のオニウム塩と、Ｎａ塩と、を電解液に用いることが好ましい。 ピロリジニウム系イオン液体としては、 下記式 で表されるN-メチル-N-プロピルピロリジニウムビス(トリフルオロメタンスルフォニル)アミド（[P13][TFSA]と 略記 ）、 N-メチル-N-プロピルピロリジニウムテトラフルオロボラート（[P13] BF4と略記）、N-メチル-N-プロピルピロリジニウムヘキサフルオロホスファート（[P13] PF6と略記）、N-メチル-N-プロピルピロリジニウムトリフルオロメタンスルホナート([P13][TfO]と略記)、N-メ...

• 公開日：2013/09/30
• 出典：硫黄系二次電池
• 出願人：国立大学法人横浜国立大学

熱接着性と突き刺し性の観点からポリオレフィン系樹脂（Ｐと 略記 ）とポリスチレン系樹脂（Ｓと略記）とのブレンド樹脂を採用する場合は、それらのブレンド比（重量比）は、Ｐ：Ｓ＝６０：４０〜９５：５とするのが好ましく、Ｐ：Ｓ＝８０：２０〜９５：５とすることがより好ましい。

• 公開日：2010/12/02
• 出典：突き刺し性に優れた蓋材
• 出願人：東洋アルミニウム株式会社

低分子ポリオールには、多価アルコール、並びに低分子ＯＨ末端ポリマー［ポリエーテルポリオール（以下ＰＴポリオールと 略記 ）、ポリエステルポリオール（以下ＰＳポリオールと略記）等］が含まれる。

• 公開日：2012/03/01
• 出典：切削加工用ポリウレタン樹脂成形品
• 出願人：三洋化成工業株式会社

）及びN-ペンタフルオロベンゼンスルフォニロキシ-7-メチルチアントレン-2,3-ジカルボン酸イミド（以下、Me-THIPSと 略記 する。

• 公開日：2009/07/02
• 出典：光酸発生剤及びフォトリソグラフィ用樹脂組成物
• 出願人：株式会社三宝化学研究所

代表的な非水溶媒としては、環状カーボネートであるエチレンカーボネート（以下、ＥＣと 略記 ）、プロピレンカーボネート（以下、ＰＣと略記）、ブチレンカーボネート（以下、ＢＣと略記）、環状エステルであるγ−ブチロラクトン（以下、γ−ＢＬと略記）、鎖状カーボネートであるジメチルカーボネート（以下、ＤＭＣと略記）、エチルメチルカーボネート（以下、ＥＭＣと略記）、ジエチルカーボネート（以下、ＤＥＣと略記）などが挙げられる。

• 公開日：2007/03/01
• 出典：非水電解液およびそれを用いた電気化学エネルギー蓄積デバイス
• 出願人：パナソニック株式会社

低分子ポリオールとしては、Ｃ２〜２４のポリオール、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール（以下それぞれＥＧ、ＤＥＧ、ＰＧ、１，４−ＢＤ、１，６−ＨＤ、ＮＰＧ、ＧＲ、ＴＭＰ、ＰＥと 略記 ）、水添ビスフェノールＡ、ヘキサントリオール、ソルビトール、シュークローズおよびこれらの２種以上の混合物）などが挙げられる。

• 公開日：2010/01/14
• 出典：膜モジュールのシール材用ポリウレタン樹脂形成性組成物
• 出願人：三洋化成工業株式会社

２，２’− ビス（ ジフェニルホスフィノ）−１，１’− ビナフチル（以下、「ＢＩＮＡＰ 」と 略記 する）、２，２’− ビス［ ジ（ｐ−トリル） ホスフィノ］−１，１’− ビナフチル（ 以下、「ｐ−Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ 」と略記する）、２，２’− ビス［ ジ（３，５−キシリル） ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（ 以下、「ＤＭ−ＢＩＮＡＰ 」と略記する） 、２，２’− ビス［ ジ（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル） ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（ 以下、「ｔ−Ｂｕ−２−ＢＩＮＡＰ」と略記する）、２，２’− ビス［ ジ（４−メトキシ−３，５−ジメ...

• 公開日：2003/02/07
• 出典：光学活性γ－ブチロラクトンの製造方法
• 出願人：高砂香料工業株式会社

2,2'- ビス( ジフェニルホスフィノ)-1,1'- ビナフチル( 以下、「BINAP」と 略記 する)、2,2'- ビス[ ジ(p-トリル) ホスフィノ]-1,1'- ビナフチル( 以下、「p-Tol-BINAP」と略記する)、2,2'- ビス[ ジ(3,5-キシリル) ホスフィノ]-1,1'- ビナフチル( 以下、「DM-BINAP」と略記する) 、2,2'- ビス[ ジ(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル) ホスフィノ]-1,1'-ビナフチル( 以下、「t-Bu-2-BINAP」と略記する)、2,2'- ビス[ ジ(4-メトキシ-3,5-ジメチルフェニル) ホスフィノ]-1,1'- ビナ...

• 公開日：2002/01/29
• 出典：ｌ－メントールの製造方法
• 出願人：高砂香料工業株式会社

（特徴部１０９ＳＧに関する説明） 次に、本発明の実施の形態における特徴部１０９ＳＧ（以下、本特徴部１０９ＳＧと 略記 する）について説明する。

• 公開日：2021/02/18
• 出典：遊技機
• 出願人：株式会社三共